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热词
    • 11. 发明申请
    • 공극률을 향상시킨 다공성 구조체 및 그 제조 방법 및 다공성 다중 구조체 및 그 제조 방법
    • 具有改进的无效率的多孔结构及其生产方法,以及用于其的多孔多结构和生产方法
    • WO2016178527A1
    • 2016-11-10
    • PCT/KR2016/004742
    • 2016-05-04
    • 한양대학교 산학협력단재단법인 지능형 바이오 시스템 설계 및 합성 연구단
    • 김동립전민수황정훈김선창조병관허창성
    • C12M1/00C25B1/02H01M8/023C12P1/00
    • B29C67/202B29C33/3814B29C44/00B29D99/0089C01B32/05C04B35/515C04B38/067C12M1/00C12M1/16C12M25/14C12N1/00C12P1/04C25B1/02C25B1/04H01M8/16Y02P70/56
    • 본 발명의 일실시예에 따른 다공성 구조체는 다수의 연결통로를 통해 3차원으로 서로 연결된 공극을 다수 구비한 프레임으로 구성된다. 본 발명의 일실시예에 따른 다공성 구조체는 프레임에 의해 구현된 다수의 공극이 최조밀 분포 상태를 갖고, 대칭구조로 형성된 다수의 연결통로에 의해 다수의 공극이 서로 3차원으로 연결되므로 공극률을 극대화할 수 있는 효과가 있다. 한편, 본 발명의 일실시예에 따른 다공성 다중 구조체는 3차원으로 서로 연결된 제 1 공극을 다수 구비한 제 1 다공성 구조체; 및 상기 제 1 공극과 다른 직경으로 3차원으로 서로 연결된 제 2 공극을 다수 구비하고, 상기 제 1 다공성 구조체를 둘러싸 접합된 제 2 다공성 구조체;를 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 다공성 다중 구조체는 마이크로 직경을 갖고 3차원으로 서로 연결된 다수의 제 1 공극 및 상기 제 1 공극 주위에 상기 제 1 공극보다 작은 직경으로 3차원으로 서로 연결된 제 2 공극을 다수 구비하는 프레임을 포함한다.
    • 根据本发明的一个实施例的多孔结构包括具有多个通过多个连接路径在三维上彼此连接的多个空隙的框架。 根据本发明的一个实施方案的多孔结构的优点在于,由于通过框架构成的多个空隙具有最紧密的分布状态,并且多个空隙彼此连接,所以可以使空隙率最大化 通过形成为对称结构的多个连接路径来实现三维。 同时,根据本发明的一个实施方案的多孔多结构包括:具有多个第一空隙的第一多孔结构,所述第一空隙在三维上彼此连接; 以及第二多孔结构,其具有多个第二空隙,所述多个第二空隙在三维上彼此具有与所述第一空隙不同的直径,并且其连接并包围所述第一多孔结构。 此外,根据本发明的另一实施例的多孔多结构体包括具有多个第一空隙的框架,该多个第一空隙在三维上彼此连接并且具有微观尺寸,并且第三空间以三维彼此连接, 直径小于第一空隙周围的第一空隙的直径。
    • 15. 发明申请
    • SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT HAVING IMPROVED PARTICLE PERFORMANCE
    • 具有改进的粒子性能的半导体处理设备
    • WO0203427A3
    • 2002-04-11
    • PCT/US0120284
    • 2001-06-25
    • LAM RES CORPBOSCH WILLIAM FREDERICK
    • BOSCH WILLIAM FREDERICK
    • C04B41/00C04B41/80C23C16/44H01L21/00C23C16/50
    • C04B41/009C04B41/0054C04B41/80C23C16/4404H01J37/321C04B41/53C04B35/565C04B35/515
    • A ceramic part having a surface exposed to the interior space, the surface having been shaped and plasma conditioned to reduce particles thereon by contacting the shaped surface with a high intensity plasma. The ceramic part can be made by sintering or machining a chemically deposited material. During processing of semiconductor substrates, particle contamination can be minimized by the ceramic part as a result of the plasma conditioning treatment. The ceramic part can be made of various materials such as alumina, silicon dioxide, quartz, carbon, silicon, silicon carbide, silicon nitride, boron nitride, boron carbide, aluminum nitride or titanium carbide. The ceramic part can be various parts of a vacuum processing chamber such as a liner within a sidewall of the processing chamber, a gas distribution plate supplying the process gas to the processing chamber, a baffle plate of a showerhead assembly, a wafer passage insert, a focus ring surrounding the substrate, an edge ring surrounding an electrode, a plasma screen and/or a window.
    • 具有暴露于内部空间的表面的陶瓷部件,该表面已经成形并经等离子体处理以通过使成形表面与高强度等离子体接触来减少其上的颗粒。 陶瓷部件可以通过烧结或加工化学沉积的材料制成。 在处理半导体衬底期间,由于等离子体调节处理,陶瓷部件可以使颗粒污染最小化。 陶瓷部件可以由诸如氧化铝,二氧化硅,石英,碳,硅,碳化硅,氮化硅,氮化硼,碳化硼,氮化铝或碳化钛等各种材料制成。 陶瓷部分可以是真空处理室的不同部分,例如处理室侧壁内的衬里,将处理气体供给处理室的气体分配板,喷头组件的挡板,晶片通道插入件, 围绕衬底的聚焦环,围绕电极的边缘环,等离子体屏幕和/或窗口。