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11. 发明申请

WO2012134226A2 포토리소그래피용 세정액 조성물 审中-公开
标题翻译：用于光刻机的清洁溶液组合物
公开(公告)号：WO2012134226A2
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/KR2012/002392
申请日：2012-03-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 오승근 , 이재우 , 김재현
发明人： 오승근 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/42 , C11D3/34 , G03F7/40
CPC分类号： C11D7/265 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D3/3776 , C11D7/3245 , C11D7/5004 , G03F7/168
摘要： 본 발명은 포토레지스트 패턴 형성 시 발생하는 패턴 쓰러짐 및 선폭 거칠기(LWR)의 수치 증대를 방지하고, 패턴 표면을 경화시켜 식각 저항성을 높일 수 있는 포토리소그래피용 세정액 조성물을 개시한다. 상기 세정액 조성물은 화학식 1로 표시되는 산성 단분자 화합물 또는 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 수용성 고분자; 및 용매를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于光刻的清洁溶液组合物，其防止图案塌陷和在形成光致抗蚀剂图案期间可能发生的线宽粗糙度（LWR）的数值增加，并且使图案表面变硬耐蚀刻性。清洗液组合物包括：包含化学式1表示的单分子酸化合物或化学式3表示的重复单元的水溶性聚合物; 和溶剂。

12. 发明申请

WO2012081865A2 포토리소그래피용 세정액 조성물 审中-公开
标题翻译：清洗液组合物用于光刻技术
公开(公告)号：WO2012081865A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/009526
申请日：2011-12-12
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 오승근 , 이재우 , 이정열 , 김정식 , 김재현
发明人： 오승근 , 이재우 , 이정열 , 김정식 , 김재현
IPC分类号： C11D3/37 , G03F7/42
CPC分类号： C11D3/43 , C11D3/378 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 포토레지스트 패턴 형성 시 발생하는 레지스트 스컴(scum) 및 패턴 쓰러짐을 방지하고, 선폭 거칠기(line width roughness: LWR)의 수치 증대를 억제(개선)할 수 있는 세정액 조성물이 개시된다. 상기 세정액 조성물은 청구항 1의 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 수용성 고분자; 계면활성제; 및 용매를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于防止在形成光致抗蚀剂图案时可能发生的抗污垢浮渣形成和图案塌陷以及用于防止（改善）线宽粗糙度（LWR）增加的清洗液组合物。清洗液组合物包括：水溶性聚合物，包括由权利要求1的化学式1表示的重复单元; 表面活性剂; 和溶剂。

13. 发明申请

WO2012064097A2 극자외선 리소그라피용 포토레지스트 탑코트 조성물과 이를 이용하는 패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译：用于极紫外光刻的光致抗蚀剂面漆组合物和使用该组合物的图案形成方法
公开(公告)号：WO2012064097A2
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/KR2011/008498
申请日：2011-11-09
申请人：㈜동진쎄미켐 , 이재우 , 오승근 , 이정열 , 김정식 , 김재현
发明人： 이재우 , 오승근 , 이정열 , 김정식 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0271 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 극자외선 리소그라피용 마스크에 쓰이는 포토레지스트 탑코트과 그 제조를 위한 조성물을 개시한다. 이 포토레지스트 탑코트 형성용 조성물은 ㄱ) 100 중량부의 수용성 바인더 수지, ㄴ) 0.01 내지 30 중량부의 극자외선 대역외 자외선 차단제와 ㄷ) 1,000 내지 10,000 중량부의 양성자성 용매를 포함한다. 이러한 포토레지스트 탑코트를 사용하면 극자외선 리소그라피의 대역외 영역 자외선에 의한 회로 패턴의 불량을 크게 줄이고, 거친 선폭도 개선할 수 있다.
摘要翻译：公开了用于极紫外光刻的掩模中使用的光致抗蚀剂顶涂层及其组合物。（a）100重量份的水溶性粘合剂树脂，（b）0.01至30重量份的极紫外带外部紫外线屏蔽剂，和（c）1,000至10,000重量份的质子溶剂。使用这种光致抗蚀剂面涂层可以极大地减少由于紫外线光刻的带外区域中的紫外线导致的电路图案的缺陷，并且还改善了粗线宽度。

14. 发明申请

WO2021096155A1 원자층 증착 및 기상 증착용 기판 표면 개질제 및 이를 이용한 기판 표면의 개질 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021096155A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：PCT/KR2020/015361
申请日：2020-11-05
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김태욱 , 이재우 , 복철규 , 김준영 , 여소정 , 한만호
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02
摘要： 본 발명은 원자층 증착 또는 기상 증착을 이용하여, 무기박막 등의 기판 표면을 균일하게 개질하기 위한 표면 개질제 및 이를 이용한 기판 표면의 개질 방법이 개시된다.

15. 发明申请

WO2014042443A1 레지스트 패턴의 하부막 형성용 화합물, 조성물 및 이를 이용한 하부막의 형성방법 审中-公开
标题翻译：用于形成电阻图案的下膜的化合物和组合物，以及使用其形成较薄膜的方法
公开(公告)号：WO2014042443A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：PCT/KR2013/008258
申请日：2013-09-12
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 한수영 , 이정열 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0002 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/0271
摘要： 블록공중합체의 유도된 자기조립 공정에 의해, 레지스트 패턴을 형성하는 과정에서 사용되는 하부막 형성용 화합물, 조성물 및 이를 이용한 하부막의 형성방법이 개시된다. 상기 레지스트 패턴의 하부막 형성용 화합물은 청구항 1의 화학식 1의 구조를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于形成下膜的化合物和组合物，其用于通过嵌段共聚物的定向自组装形成抗蚀剂图案的工艺。还公开了使用其形成下膜的方法。根据本发明的用于形成抗蚀剂图案的下膜的化合物具有权利要求1的化学式1的结构。

16. 发明申请

WO2014163332A1 미세패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 审中-公开
标题翻译：用于形成微孔的涂料组合物和使用其形成微孔板的方法
公开(公告)号：WO2014163332A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/KR2014/002641
申请日：2014-03-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 이형근 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： C09D7/12 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要： 네가티브 톤 현상액으로 현상된 포토레지스트 패턴의 표면에 코팅막을 형성하여 패턴의 선폭 크기 또는 구경을 축소시킬 수 있는 미세패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법이 개시된다. 상기 미세패턴 형성용 코팅 조성물은, 명세서의 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물; 및 유기용매를 포함한다. 명세서의 화학식 1에서, R 1 은 산소 원자 1 내지 3개를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 가지형 탄화수소기이거나, 산소 원자 1 내지 3개를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 3 내지 20의 고리형 탄화수소기이고, R 2 , R 3 및 R 5 는 각각 수소 원자 또는 메틸기이며, X는 존재하지 않거나, 산소 원자 1 내지 3개를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 3의 탄화수소기이고, R 4 는 고분자 화합물의 말단으로서, 질소 원자 1 내지 5개를 포함하는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기이며, a는 고분자를 구성하는 반복단위의 몰 퍼센트로서, 명세서의 화학식 1에서는 100몰%이다.
摘要翻译：公开了一种用于形成微图案的涂料组合物，其能够通过在由负色调剂显影剂显影的光致抗蚀剂图案的表面上形成涂膜而减小图案的线宽或直径; 以及使用其形成微图案的方法。用于形成微图案的涂料组合物包括：在说明书中由化学式1表示的高分子化合物; 和有机溶剂。在说明书中的化学式1中，R 1是含有或不含有1-3个氧原子的C 1-20直链或支链烃基或含有或不含有1-3个氧原子的C 3-20环烃基，R 2，R 3和 R5各自为氢原子或甲基，X不存在或为含有1-3个氧原子的C1-3烃基，作为高分子化合物的末端的R4为C1-10烃基含有1-5个氮原子，和a，作为构成聚合物的重复单元的摩尔百分比，在说明书中的化学式1中为100摩尔％。

17. 发明申请

WO2014157881A1 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译：耐蚀组合物和使用其形成图案的方法
公开(公告)号：WO2014157881A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/KR2014/002427
申请日：2014-03-24
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 임영배 , 김종원 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C09D165/02 , C08G2261/124 , C08G2261/1422 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3424 , C08G2261/45 , G03F7/094 , G03F7/40 , C08L61/06
摘要： 열적 안정성 및 에칭 저항성이 우수할 뿐만 아니라, 갭필(gap fill) 특성이 우수한 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 레지스트 하층막 조성물은, 명세서의 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 방향족 고리 함유 고분자; 명세서의 화학식 4로 표시되는 화합물; 및 유기 용매를 포함한다. 명세서의 화학식 1에서, R 1 은 탄소수 5 내지 20의 단일환형 또는 다환형의 방향족 탄화수소기이고, R 2 및 R 3 는 각각 독립적으로, 탄소수 4 내지 14의 단일환형 또는 다환형의 방향족 탄화수소기이고, a는 1 내지 3의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이다; 명세서의 화학식 4에서, n은 1 내지 250의 정수이다
摘要翻译：公开了具有显着的热稳定性和耐蚀刻性以及优异的间隙填充性能的抗蚀剂下层组合物，以及使用其形成图案的方法。抗蚀剂底层组合物包含：含有说明书中由化学式1表示的重复单元的含芳环的聚合物; 在说明书中由化学式4表示的化合物; 和有机溶剂。在本说明书中的化学式1中，R 1是C 5 -C 20单环或多环芳烃基，R 2和R 3独立地为C 4 -C 14单环或多环芳烃基，a为1-3的整数，b为 0-2的整数。在本说明书的化学式4中，n为1-250的整数。

18. 发明申请

WO2013066067A1 페놀계 단량체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 审中-公开
标题翻译：酚醛单体，聚合物，用于形成包含它们的底漆膜，以及用于耐下漆膜的组合物，包括它们
公开(公告)号：WO2013066067A1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/KR2012/009111
申请日：2012-11-01
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김정식 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： C07D311/86 , C07D495/10 , C08G61/12 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/094 , C07D311/86 , C07D491/107 , C07D495/10 , C08G8/20 , C08G61/122 , C08G2261/344 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 반도체 리소그래피(lithography) 공정에 이용되는, 페놀계 모노머, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물이 개시된다. 상기 페놀계 모노머는 청구항 1의 화학식 1로 표시된다.
摘要翻译：公开了一种苯酚单体，用于形成其包含其的抗蚀剂下层膜的聚合物及其用于半导体光刻工艺中的包含其的抗蚀剂下层膜的组合物。酚单体由权利要求1中的化学式1表示。

19. 发明申请

WO2013048155A2 유도된 자가정렬 공정을 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译：利用诱导自对准工艺形成半导体器件精细图案的方法
公开(公告)号：WO2013048155A2
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/KR2012/007837
申请日：2012-09-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
CPC分类号： H01L21/3086 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0337
摘要： 가이드 패턴의 벌크 노광 및 경화 과정 없이, 패턴 선폭의 사이즈가 20nm 이하인 패턴을 형성할 수 있는, 반도체 소자의 미세패턴 형성 방법은 (a) 유기반사방지막이 형성된 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계; (b) 상기 포토레지스트막을 노광하고, 네가티브 톤 현상액으로 현상하여 가이드 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 가이드 패턴이 형성된 기판 위에 자가정렬 유도층을 형성하는 단계; (d) 현상액을 이용하여 상기 가이드 패턴을 제거하여, 자가정렬 유도층을 형성하는 단계; (e) 상기 가이드 패턴이 제거된 자가정렬 유도층이 코팅된 기판 위에 DSA(directed self assembly) 물질인 블록 공중합체를 코팅하고, 상기 블록 공중합체의 유리전이온도 이상의 온도로 가열하여 자가정렬된 패턴을 형성하는 단계; 및 (f) 자가정렬된 패턴 중, 식각에 대한 저항성이 작은(또는 식각속도가 빠른) 부분을 산소(O 2 ) 플라즈마를 이용하여 선택적으로 식각하여 미세패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：
而不引导图案的体曝光和固化，图案线宽的大小，以形成一个20nm以下的图案，用于半导体器件的微细图案形成方法包括：（a）形成的有机防反射膜的基板形成光刻胶膜; （b）使光致抗蚀剂膜曝光并用负色调显影剂显影以形成引导图案; （c）在其上形成有引导图案的基板上形成配向层; （d）使用显影溶液除去引导图案以形成自对准诱导层; （E）上述导向模式被去除，自对准感应层涂覆有涂覆的衬底上的嵌段共聚物的DSA（定向自组装）材料，并且通过上述的嵌段共聚物图案的自对准加热到的温度的玻璃化转变形成; 对准图案的和（f）自向阻力小的蚀刻（或快速蚀刻速率）部分选择性通过使用氧蚀刻（O <子> 2 ）等离子体以形成精细图案步骤。

20. 发明申请

WO2012134142A3 자화수 공급용 호스 审中-公开
公开(公告)号：WO2012134142A3
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/KR2012/002213
申请日：2012-03-27
申请人： 주식회사 대우일렉트로닉스 , 민가영 , 이재우
发明人： 민가영 , 이재우
IPC分类号： D06F39/08 , D06F39/02 , C02F1/48
摘要： 본 발명은 자화수 공급용 호스에 관한 것으로서, 세탁수를 안내하는 관부와, 관부에 설치되고 자력이 생성되는 자화수부를 포함하고, 자화수부는 관부를 연결하는 것을 특징으로 하며, 이를 통해 자력에 의해 석회물질이 포함된 세탁수를 활성화시켜 세탁성능을 향상시킬 수 있다.

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