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11. 发明申请

WO2003094220A1 サブマウントおよび半導体装置审中-公开
标题翻译： SUBMOUNT和SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：WO2003094220A1
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/JP2003/005303
申请日：2003-04-24
申请人：住友電気工業株式会社 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
发明人：石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01S5/02236 , H01L23/488 , H01L33/62 , H01L2224/83192 , H01S5/02272 , H01S5/02476
摘要：　高い接合強度で半導体発光素子を取りつけることができるサブマウントを提供する。　サブマウントは、サブマウント基板と、サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層と、それらの間に、サブマウント基板側から遷移元素の少なくとも１種を主成分とする遷移元素層と貴金属の少なくとも１種を主成分とする貴金属層とが積層されたはんだ密着層を備える。半導体装置は、サブマウントのはんだ層上に搭載された半導体発光素子を備える。
摘要翻译：一种能够实现半导体发光元件的高粘合强度安装的基座。所述基座包括副安装座基板，形成在所述副安装座基板的主表面上的焊料层，并且保持在其间，由从所述副安装座基板一侧层叠的焊接接合层，所述过渡元件层主要包含至少一种过渡元素和主要含有至少一种贵金属的贵金属层。半导体器件设置有安装在基座的焊料层上的半导体发光元件。

12. 发明申请

WO2003075341A1 サブマウントおよび半導体装置审中-公开
标题翻译： SUBMOUNT和SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：WO2003075341A1
公开(公告)日：2003-09-12
申请号：PCT/JP2003/002451
申请日：2003-03-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 天羽映夫 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
发明人：天羽映夫 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01L2924/00
摘要： A submount to which a semiconductor light emitting element can be fixed surely. The submount (3) comprises a substrate (4), and a solder layer (8) formed on the major surface (4f) of the substrate (4). The solder layer (8) has a surface roughness Ra not larger than 0.18 mum before melting. Surface roughness Ra of the solder layer (8) is preferably not larger than 0.15 mum, and more preferably, not larger than 0.10 mum. A semiconductor device (1) comprises a laser diode (2) mounted on the solder layer (8) of the submount (3).
摘要翻译：能够可靠地固定半导体发光元件的基座。基座（3）包括基板（4）和形成在基板（4）的主表面（4f）上的焊料层（8）。焊料层（8）在熔融前的表面粗糙度Ra不大于0.18μm。焊料层（8）的表面粗糙度Ra优选为0.15μm以下，更优选为0.10μm以下。半导体器件（1）包括安装在基座（3）的焊料层（8）上的激光二极管（2）。

13. 发明申请

WO2003069743A1 サブマウントおよび半導体装置审中-公开
标题翻译：子安装和半导体器件
公开(公告)号：WO2003069743A1
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/JP2002/012870
申请日：2002-12-09
申请人：住友電気工業株式会社 , 今村誠 , 石井隆 , 天羽映夫 , 桧垣賢次郎 , 笹目彰 , 筑木保志
发明人：今村誠 , 石井隆 , 天羽映夫 , 桧垣賢次郎 , 笹目彰 , 筑木保志
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01S5/02272
摘要： A sub-mount enabling solder from climbing the edge of a semiconductor laser device and a semiconductor device are disclosed. A sub-mount for mounting a semiconductor device 2 thereon comprising a sub-mount substrate 4 and a solder film 8 formed on the sub-mount substrate 4, wherein the width WS microm and thickness d microm of the solder film are determined so that the following conditions may be satisfied. 0. 3
摘要翻译：公开了一种使焊料能够爬上半导体激光器件和半导体器件的边缘的子安装架。用于安装其上的半导体器件2的子座，其中包括形成在副安装基板4上的子安装基板4和焊料膜8，其中确定焊料膜的宽度WS微米和厚度d microm，使得可以满足以下条件。当30微米

14. 发明申请

WO2008001579A1 加熱用窒化アルミニウム基板、加熱装置および加熱用窒化アルミニウム基板の製造方法审中-公开
标题翻译：加热氮化铝板，加热器和制造加热氮化铝板的工艺
公开(公告)号：WO2008001579A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/061164
申请日：2007-06-01
申请人：株式会社アライドマテリアル , 石津定 , 廣瀬義幸 , 成田雅士 , 筑木保志
发明人：石津定 , 廣瀬義幸 , 成田雅士 , 筑木保志
IPC分类号： H05B3/10 , G03G15/20 , H05B3/00 , H05B3/16 , H05B3/20
CPC分类号： H05B3/0095 , G03G15/20
摘要：　簡単な構成で電極部の温度上昇を防止することが可能な加熱用窒化アルミニウム基板、加熱装置および加熱用窒化アルミニウム基板の製造方法を提供する。加熱用窒化アルミニウム基板（１００）は、相対的に高い熱伝導率を有する高熱伝導部分（１１０）と、相対的に低い熱伝導率を有する低熱伝導部分（１２０）とを備える。高熱伝導部分（１１０）は、少なくとも発熱体の一部が形成されるべき平面領域に配置されている。低熱伝導部分（１２０）は、少なくとも電極の一部が形成されるべき平面領域に配置されている。セラミックヒーター（１）は加熱用窒化アルミニウム基板（１０）と高熱伝導部（１１）に形成された発熱層（２０）と低熱伝導部分（１２）に形成された電極層（３０）とを備える。酸化雰囲気中で窒化アルミニウム基板を部分的に酸化して、酸化アルミニウムを含む部分を窒化アルミニウム基板内に形成することによって低熱伝導部分（１２０）を形成する。
摘要翻译：一种加热氮化铝板，通过简单的结构，可以防止电极部分的任何温度升高; 相关加热器以及这种加热氮化铝板的制造方法。加热氮化铝板（100）包括具有较高导热率的高导热部分（110）和具有相对较低导热率的低导热部分（120）。高导热部分（110）设置在平面区域中，以提供至少一部分发热体。低导热部分（120）设置在平面区域中，以设置至少一部分电极。提供包括加热氮化铝板（10）的陶瓷加热器（1）; 放置在高导热部分（11）中的发热层（20）; 和放置在低导热部分（12）中的电极层（30）。低导热部分（120）在氧化气氛中通过部分氧化氮化铝板形成，从而在氮化铝板中提供含有氧化铝的部分。

15. 发明申请

WO2004016567A1 窒化アルミニウム焼結体、メタライズ基板、ヒータ、治具および窒化アルミニウム焼結体の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化铝烧结紧密，金属化基板，加热器和制造氮化铝烧结的方法
公开(公告)号：WO2004016567A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/009705
申请日：2003-07-30
申请人：住友電気工業株式会社 , 伊藤靖 , 石津定 , 筑木保志
发明人：伊藤靖 , 石津定 , 筑木保志
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： C04B35/638 , B32B2311/08 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/6303 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/668 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/408 , H05B3/141
摘要：　従来より大面積かつ厚みの薄い窒化アルミニウム焼結体であって、反りやうねりが管理された平坦な窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法、さらにこの窒化アルミニウム焼結体を用いたメタライズ基板およびヒータを提供することである。　窒化アルミニウム基板１は、最大長さＭＬが３２０ｍｍ以上、厚みＴが０ｍｍ超え２ｍｍ以下、反りが０μｍ／ｍｍ以上２μｍ／ｍｍ未満、局所的なうねり高さが０μｍ以上１００μｍ以下である。
摘要翻译：一种氮化铝烧结体基板（1），其最大长度（ML）为320mm以上，厚度（T）大于0mm且不大于2mm，翘曲为0μm以上且小于 2个妈妈，局部挥舞高度0〜100个妈妈; 和烧结体的制造方法。金属化基板和使用该氮化铝烧结体的加热器。与常规的氮化铝烧结体相比，氮化铝烧结体具有更大的面积和更小的厚度，并且也是具有受控的翘曲和波动的扁平烧结体。

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