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    • 20. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITENDEN SCHICHTEN
    • 用于生产半导体层
    • WO2010125011A2
    • 2010-11-04
    • PCT/EP2010/055499
    • 2010-04-26
    • BASF SEKARPOV, AndreyFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • KARPOV, AndreyFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • C23C18/12
    • C23C18/1216C23C18/1245H01L21/02381H01L21/02488H01L21/02554H01L21/02565H01L21/02628H01L27/1292H01L29/66742H01L29/66969H01L29/7869
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Herstellen einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des wenigstens einen Metalloxids ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen,, Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon, in wenigstens einem Lösungsmittel, (B) Aufbringen der Lösung aus Schritt (A) auf das Substrat und (C) thermisches Behandeln des Substrates aus Schritt (B) bei einer Temperatur von 20 bis 200°C, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung in wenigstens ein halbleitendes Metalloxid zu überführen, wobei, falls in Schritt (A) elektrisch neutrales [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, als Vorläuferverbindung eingesetzt wird, dieses durch Umsetzung von Zinkoxid oder Zinkhydroxid mit Ammoniak erhalten wird, ein Substrat, welches mit wenigstens einem halbleitenden Metalloxid beschichtet ist, erhältlich durch dieses Verfahren, die Verwendung dieses Substrates in elektronischen Bauteilen, sowie ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch neutralem [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, durch Umsetzung von Zinkoxid und/oder Zinkhydroxid mit Ammoniak.
    • 本发明涉及一种方法,用于制造至少包括以下步骤:在基材上含有至少一个半导电金属氧化物的层:(A)制备含有选自单 - 羧酸盐组成的组中的至少一种金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液中,二 - 或者具有至少三个碳原子,或单 - ,二 - 或多元羧酸,醇化物,氢氧化物,氨基脲衍生物的多羧酸,Carbaminaten,异羟肟酸盐,异氰酸酯,脒,氨基腙,脲衍生物,羟胺,肟,氨基甲酸乙酯,氨,胺,膦,铵 化合物,,相应金属的叠氮化物和它们的混合物,在至少一种溶剂中,(B)将来自步骤溶液(a)以20〜200的温度的基板和(C)热处理步骤(B)的基板 ℃,在wenigst所述至少一种前体化合物 到ENS转换半导体金属氧化物,其中,如果在步骤(A)是电中性的[(OH)X(NH 3)YZN】Z,其中x,y和z,各自独立地选自0.01通过使用10作为前体化合物,即 涂有至少一个半导电金属氧化物的基板,获得通过该方法,使用该基板的电子部件,以及用于产生电中性的方法[(OH)由氧化锌或者与氨,X氢氧化锌得到的(NH 3) YZN】Z,其中x,y和z独立地是从0.01到10,由氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应。