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    • 11. 发明申请
    • OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    • 光电子半导体芯片
    • WO2011104274A2
    • 2011-09-01
    • PCT/EP2011/052681
    • 2011-02-23
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHEICHLER, ChristophLERMER, TeresaAVRAMESCU, Adrian Stefan
    • EICHLER, ChristophLERMER, TeresaAVRAMESCU, Adrian Stefan
    • H01S5/2018B82Y20/00H01S5/0655H01S5/2009H01S5/2027H01S5/3211H01S5/34333H01S2301/18
    • In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser einen Träger (2) und eine auf dem Träger (2) aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) basiert auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und beinhaltet wenigstens eine aktive Zone (4) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie wenigstens eine Wellenleiterschicht (5), die mittelbar oder unmittelbar an die aktive Zone (4) grenzt, wobei ein Wellenleiter (45) gebildet ist. Außerdem umfasst die Halbleiterschichtenfolge (3) eine an die Wellenleiterschicht (4) grenzende p-Mantelschicht (6p) an einer p-dotierten Seite oder/und eine n-Mantelschicht (6n) an einer n-dotierten Seite der aktiven Zone (4). Die Wellenleiterschicht (5) grenzt mittelbar oder unmittelbar an die Mantelschicht (6n, 6p). Ein effektiver Brechungsindex (n eff ) einer im Wellenleiter geführten Mode (M) ist hierbei größer als ein Brechungsindex des Trägers (2).
    • 在光电子半导体芯片的至少一个示例性导航用途货币形式(1)包括所述一个Tr的AUML; GER(2)和一个在Tr的BEAR生长GER(2)半导体层序列(3)。 半导体层序列(3)基于氮化物的化合物半导体材料,并且包括至少一个有源区(4),用于产生电磁辐射和至少一个波导层(5),其直接或间接地邻接所述有源区(4),其中一个波导( 45)。 的Au ROAD此外,半导体层序列(3)包括一个以上的掺杂p侧和/或n覆层(6 n)输出到有源区的n型掺杂侧上的波导层(4)接壤p覆层(6P)(4 )。 波导层(5)直接或间接邻接包层(6n,6p)。 波导模(M)的有效折射率(n eff)大于载体(2)的折射率。