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11. 发明申请

WO2011104274A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011104274A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/EP2011/052681
申请日：2011-02-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER, Christoph , LERMER, Teresa , AVRAMESCU, Adrian Stefan
发明人： EICHLER, Christoph , LERMER, Teresa , AVRAMESCU, Adrian Stefan
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/18
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser einen Träger (2) und eine auf dem Träger (2) aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) basiert auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und beinhaltet wenigstens eine aktive Zone (4) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie wenigstens eine Wellenleiterschicht (5), die mittelbar oder unmittelbar an die aktive Zone (4) grenzt, wobei ein Wellenleiter (45) gebildet ist. Außerdem umfasst die Halbleiterschichtenfolge (3) eine an die Wellenleiterschicht (4) grenzende p-Mantelschicht (6p) an einer p-dotierten Seite oder/und eine n-Mantelschicht (6n) an einer n-dotierten Seite der aktiven Zone (4). Die Wellenleiterschicht (5) grenzt mittelbar oder unmittelbar an die Mantelschicht (6n, 6p). Ein effektiver Brechungsindex (n eff ) einer im Wellenleiter geführten Mode (M) ist hierbei größer als ein Brechungsindex des Trägers (2).
摘要翻译：
在光电子半导体芯片的至少一个示例性导航用途货币形式（1）包括所述一个Tr的AUML; GER（2）和一个在Tr的BEAR生长GER（2）半导体层序列（3）。半导体层序列（3）基于氮化物的化合物半导体材料，并且包括至少一个有源区（4），用于产生电磁辐射和至少一个波导层（5），其直接或间接地邻接所述有源区（4），其中一个波导（ 45）。的Au ROAD此外，半导体层序列（3）包括一个以上的掺杂p侧和/或n覆层（6 n）输出到有源区的n型掺杂侧上的波导层（4）接壤p覆层（6P）（4 ）。波导层（5）直接或间接邻接包层（6n，6p）。波导模（M）的有效折射率（n eff）大于载体（2）的折射率。

12. 发明申请

WO2010112310A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010112310A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/053047
申请日：2010-03-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian, Stefan , QUEREN, Désirée , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
发明人： AVRAMESCU, Adrian, Stefan , QUEREN, Désirée , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinander folgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf.
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例中它是基于氮化物材料系统上，并在至少一个有源量子阱（2）。所述至少一个有源量子阱（2）适于产生操作期间的电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱（2）在平行于所述半导体芯片（1）N连续的区域（A），其中N是大于或等于2的自然数的生长方向z的方向。至少两个活性量子阱的区域（A）的孔（2）具有相互不同的平均铟℃。

13. 发明申请

WO2009106028A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2009106028A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000116
申请日：2009-01-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker
发明人： AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01S5/02 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2924/0002 , H01S5/0217 , H01S5/0424 , H01S5/12 , H01S5/18308 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement gemäß der Erfindung enthält eine auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierende Epitaxieschichtenfolge (6) mit einer aktiven Schicht (4), wobei das Aufwachssubstrat (1) A1 1-x Ga x N mit 0 1-x (In y Ga 1-y ) x N oder In 1-x Ga x N mit 0
摘要翻译：根据本发明的光电子器件包括基于（6），其具有有源层（4）上的氮化物化合物半导体层序列，其中所述生长衬底（1）具有A11-xGaxN与0

14. 发明申请

WO2009036730A2 OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：具有量子头结构的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2009036730A2
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008001445
申请日：2008-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES MARC , RUMBOLZ CHRISTIAN , EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , BRUEDERL GEORG , STRAUSS UWE
发明人： SCHILLGALIES MARC , RUMBOLZ CHRISTIAN , EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , BRUEDERL GEORG , STRAUSS UWE
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an opto-electronic semiconductor chip, which has a radiation-emitting semiconductor layer sequence (1) with an active zone (120). The active zone comprises a first quantum well layer (3), a second quantum well layer (4), and two end barrier layers (51). The first quantum well layer and the second quantum well layer are disposed between the two end barrier layers. The active zone has a semiconductor material, which comprises at least one first and a second component. The fraction of the first component in the semiconductor material of the two end barrier layers is lower than in the first and second quantum well layers. Compared to the first quantum well layer, the second quantum well layer has either a lower layer thickness and a larger fraction of the first component of the semiconductor material, or a higher or the same layer thickness and a lower fraction of the first component of the semiconductor material.
摘要翻译：公开了一种光电子半导体芯片，其具有带有有源区（120）的发射辐射的半导体层序列（1）。有源区包括第一量子阱层（3），第二量子阱层（4）和两个终止势垒层（51）。第一量子阱层和第二量子阱层设置在两个终止势垒层之间。有源区包括含有至少第一和第二组分的半导体材料。两个终止势垒层的半导体材料中第一组分的比例低于第一和第二量子阱层中的比例。与第一量子阱层相比，第二量子阱层具有较小的层厚度和较大比例的半导体材料的第一组分或者较大或相同的层厚度以及较小比例的半导体材料的第一组分。

15. 发明申请

WO2008089739A1 HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：半导体芯片和一种用于生产半导体芯片
公开(公告)号：WO2008089739A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/DE2008/000123
申请日：2008-01-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , AVRAMESCU, Adrian Stefan
发明人： EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , AVRAMESCU, Adrian Stefan
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/28575 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0083
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die einen aktiven Bereich (12) und eine p-leitende Halbleiterschicht (11) aufweist, umfasst. Der aktive Bereich (12) basiert vorzugsweise auf einem Verbindungshalbleiter und ist weiterhin bevorzugt zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen. Auf einer dem aktiven Bereich (12) abgewandten Seite der p-leitenden Halbleiterschicht (11) ist ein nichtmetallischer Anschlussbereich (2) angeordnet, der elektrisch leitend mit der p-leitenden Halbleiterschicht (11) verbunden ist. Der nichtmetallische Anschlussbereich (2) ist für Wasserstoff durchlässig ausgebildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：本发明公开了包含具有具有有源区（12）和p型半导体层（11）包括的半导体层序列（10）的半导体主体的半导体芯片（1）。有源区域（12）优选地是基于一种化合物半导体，并且进一步优选地提供用于产生辐射。上的有源区域（12）背离所述p型半导体层远离侧（11）设置一个非金属连接区域（2），其导电地连接到所述p型半导体层（11）。非金属连接区域（2）被设计地使氢透过。此外，被指定用于制造半导体芯片的方法。

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