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    • 3. 发明申请
    • パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法
    • 图案形成方法和使用该方法的电子设备的制造方法
    • WO2016017346A1
    • 2016-02-04
    • PCT/JP2015/068829
    • 2015-06-30
    • 富士フイルム株式会社
    • 加藤 啓太王 惠瑜白川 三千紘後藤 研由
    • G03F7/40G03F7/075G03F7/11G03F7/26G03F7/32H01L21/027
    • G03F7/094G03F7/038G03F7/039G03F7/0392G03F7/0397G03F7/095G03F7/11G03F7/162G03F7/168G03F7/2006G03F7/2041G03F7/3085G03F7/322G03F7/325G03F7/40
    • 本発明は、超微細パターン(例えば、線幅及びスペース幅が共に40nm以下のラインアンドスペースパターン)を容易に形成可能なパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。本発明は、(A)基板上に第一のレジスト組成物を用いて第一のレジスト膜を形成する工程、(B)前記第一のレジスト膜を露光する工程、(C)露光された前記第一のレジスト膜を現像し、第一のパターンを形成する工程、(D)前記第一のパターンが設けられた基板上に、平坦化層形成用組成物(a)を用いて平坦化層を形成する工程、(E)前記平坦化層上に、第二のレジスト組成物を用いて第二のレジスト膜を形成する工程、(F)前記第二のレジスト膜を露光する工程、及び(G)露光された前記第二のレジスト膜を現像し、第二のパターンを形成する工程、をこの順序で含むパターン形成方法であって、前記第一のパターンが、前記平坦化層形成用組成物(a)に対して不溶である、パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法に関する。
    • 提供:容易地形成超细图案(例如,具有不大于40nm的线宽和空间宽度的线间距图案)的图案形成方法; 以及电子设备的制造方法。 本发明涉及使用其的电子器件的图案形成方法和制造方法,所述图案形成方法依次包括:在基片上形成第一抗蚀剂膜的步骤(A),通过使用第一 抗蚀剂组成; 其中暴露第一抗蚀剂膜的步骤(B); 其中暴露的第一抗蚀剂膜显影并形成第一图案的步骤(C); 通过使用平坦化层形成组合物(a),在其上具有第一图案的基板上形成平坦化层的步骤(D); 通过使用第二抗蚀剂组合物在平坦化层上形成第二抗蚀剂膜的步骤(E); 第二抗蚀剂膜露出的步骤(F); 和曝光的第二抗蚀剂膜显影并形成第二图案的步骤(G)。 第一图案不溶于形成平坦化层的组合物(a)。