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    • 1. 发明申请
      US20090076317A1 Synthesis of high activity ZSM-48 有权
    • Synthesis of high activity ZSM-48
    • 高活性ZSM-48的合成
    • US20090076317A1
    • 2009-03-19
    • US11901490
    • 2007-09-18
    • Wenyih Frank Lai , Wieslaw J. Roth , Robert E. Kay , Christine N. Elia
    • Wenyih Frank Lai , Wieslaw J. Roth , Robert E. Kay , Christine N. Elia
    • C01B33/26 , C07C7/00
    • C01B39/48 , B01J29/703 , B01J29/7461 , B01J35/0066 , B01J37/0009 , B01J2229/20 , B01J2229/42 , C10G45/64 , C10G2300/1022
    • A process for producing ZSM-48 comprises crystallizing an aqueous reaction mixture comprising at least one source of silica, at least one source of alumina, at least one source of hydroxyl ions, at least one source of diquaternary alkylammonium, R2+, ions having the formula: (CH3)3N+(CH2)5N+(CH3)3 and optionally ZSM-48 seed crystals, wherein said reaction mixture has a composition including the following molar ratios: R2+:SiO2less than 0.1 SiO2:Al2O3less than 100 OH−:SiO2less than 0.2.
    • 一种生产ZSM-48的方法包括使包含至少一种二氧化硅源，至少一种氧化铝源，至少一种羟基离子源，至少一种二季烷基铵R2 +的源，R2 +，具有式 （“CH3”）3N +（CH2）5N +（CH3）3 <？in-line-formula description =“In-line formula”end =“lead” 末端=“尾”→和任选的ZSM-48晶种，其中所述反应混合物具有包括以下摩尔比的组成：
      entry /> <条目>小于0.1 SiO2：Al2O3 小于100 OH-：SiO2 小于0.2
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        • 5. 发明申请
          US20110034749A1 Synthesis and use of ZSM-12 审中-公开
        • Synthesis and use of ZSM-12
        • ZSM-12的合成与应用
        • US20110034749A1
        • 2011-02-10
        • US12850060
        • 2010-08-04
        • Wenyih Frank Lai , Jeffrey T. Elks , Robert E. Kay
        • Wenyih Frank Lai , Jeffrey T. Elks , Robert E. Kay
        • C07C15/08 , C01B39/04 , C01B39/42
        • B01J29/7034 , C01B39/42 , C07C6/126 , C07C2529/70 , C10G45/64 , C10G2300/1096 , C10G2400/30 , Y02P20/52 , C07C15/08
        • A process is described for synthesizing a porous, crystalline material having the framework structure of ZSM-12 of the formula: (n)YO2:X2O3 wherein X is a trivalent element, Y is a tetravalent element and n is between about 80 and about 250. In the process, a mixture capable of forming said material is prepared comprising sources of alkali or alkaline earth metal (M), an oxide of trivalent element (X), an oxide of tetravalent element (Y), hydroxyl ions (OFF), water and tetraethylammonium cations (R), wherein said mixture has a composition, in terms of mole ratios, within the following ranges: YO2/X2O3=100 to 300; H2O/YO2=5 to 15; OH−/YO2=0.10 to 0.30; M/YO2=0.05 to 0.30; and R/YO2=0.10 to 0.20. The mixture is reacted at a temperature of at least about 300° F. (149° C.) for a time of less than about 50 hours to form crystals of the crystalline material and the crystalline material is then recovered.
        • 描述了一种用于合成具有下式的ZSM-12的骨架结构的多孔结晶材料的方法：（n）YO 2：X 2 O 3其中X是三价元素，Y是四价元素，n在约80和约250之间 在该方法中，制备能够形成所述材料的混合物，其包含碱金属或碱土金属（M），三价元素（X）的氧化物，四价元素（Y）的氧化物，羟基离子（OFF）， 水和四乙基铵阳离子（R），其中所述混合物的摩尔比为组成，在以下范围内：YO 2 / X 2 O 3 = 100至300; H2O / YO2 = 5〜15; OH- / YO 2 = 0.10〜0.30; M / YO2 = 0.05〜0.30; R / YO2 = 0.10〜0.20。 混合物在至少约300°F（149℃）的温度下反应约少于约50小时，形成晶体，然后回收结晶物质。
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        • 10. 发明授权
          US4655848A HgCdTe epitaxially grown on crystalline support 失效
        • HgCdTe epitaxially grown on crystalline support
        • 外延生长在结晶载体上的HgCdTe
        • US4655848A
        • 1987-04-07
        • US769816
        • 1985-08-26
        • Robert E. Kay , Hakchill Chan , Fred Ju , Burton A. Bray
        • Robert E. Kay , Hakchill Chan , Fred Ju , Burton A. Bray
        • C30B25/02 , C30B25/22 , H01L21/363 , H01L21/38 , H01L21/36
        • C30B25/02 , C30B25/22 , C30B29/48 , H01L21/02395 , H01L21/02411 , H01L21/0242 , H01L21/0248 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , Y10T428/12528
        • A layer of HgCdTe (15) epitaxially grown onto a crystalline support (10), e.g., of sapphire of GaAs. A CdTe substrate (5) is epitaxially grown to a thickness of between 1 micron and 5 microns on the support (10). A HgTe source (3) is spaced from the CdTe substrate (5) a distance of between 0.1 mm and 10 mm. The substrate (5) and source (3) are heated together in a thermally insulating, reusable ampoule (17) within a growth temperature range of between 500.degree. C. and 625.degree. C. for a growth step having a duration of between 5 minutes and 4 hours. Then an interdiffusion step is performed, in which the source (3) and substrate (5) are cooled within a temperature range of between 400.degree. C. and 500.degree. C. for a time of between 1 hour and 16 hours. In a first growth step embodiment, the source (3) and substrate (5) are isothermal. In a second growth step embodiment, the source (3) and substrate (5) are non-isothermal. Means are disclosed for preventing contamination of the reactants during HgTe (3) synthesis, and for polishing the HgCdTe layer (15).
        • 外延生长到例如GaAs的蓝宝石的结晶载体（10）上的HgCdTe（15）层。 在载体（10）上外延生长1微米至5微米厚度的CdTe衬底（5）。 HgTe源（3）与CdTe衬底（5）间隔0.1mm至10mm的距离。 在500℃至625℃的生长温度范围内，在绝热的可重复使用的安瓿（17）中将基底（5）和源（3）加热在一起，对于持续时间为5分钟的生长步骤 和4小时。 然后进行相互扩散步骤，其中将源（3）和基底（5）在400℃至500℃的温度范围内冷却1小时至16小时。 在第一生长步骤的实施例中，源（3）和衬底（5）是等温的。 在第二生长步骤的实施例中，源（3）和衬底（5）是非等温的。 公开了用于在HgTe（3）合成期间防止反应物污染并用于抛光HgCdTe层（15）的手段。
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