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    • 2. 发明申请
      US20070215952A1 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 有权
    • SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
    • 半导体集成电路
    • US20070215952A1
    • 2007-09-20
    • US11614619
    • 2006-12-21
    • Osamu OZAWA , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu , Koichiro Ishibashi
    • Osamu OZAWA , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu , Koichiro Ishibashi
    • H01L29/76
    • H01L27/1203 , H01L21/823857
    • The semiconductor integrated circuit has so-called SOI type first MOS transistors (MNtk, MPtk) and second MOS transistors (MNtn, MPtn). The first MOS transistors have a gate isolation film thicker than that the second MOS transistors have. The first and second MOS transistors constitute a power-supply-interruptible circuit (6) and a power-supply-uninterrupted circuit (7). The power-supply-interruptible circuit has the first MOS transistors each constituting a power switch (10) between a source line (VDD) and a ground line (VSS), and the second MOS transistors connected in series with the power switch. A gate control signal for the first MOS transistors each constituting a power switch is made larger in amplitude than that for the second MOS transistors. This enables power-source cutoff control with a high degree of flexibility commensurate with the device isolation structure, which an SOI type semiconductor integrated circuit has originally.
    • 半导体集成电路具有所谓的SOI型第一MOS晶体管（MNtk，MPtk）和第二MOS晶体管（MNtn，MPtn）。 第一MOS晶体管具有比第二MOS晶体管更厚的栅极隔离膜。 第一和第二MOS晶体管构成电源可中断电路（6）和电源不间断电路（7）。 电源中断电路具有构成源极线（VDD）和接地线（VSS）之间的电源开关（10）的第一MOS晶体管，以及与电源开关串联连接的第二MOS晶体管。 构成功率开关的第一MOS晶体管的栅极控制信号的幅度比第二MOS晶体管的幅度大。 这使得能够实现与SOI原理的SOI型半导体集成电路的器件隔离结构相当的高度灵活性的电源切断控制。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 3. 发明申请
      US20100090282A1 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
    • SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
    • 半导体集成电路
    • US20100090282A1
    • 2010-04-15
    • US12639996
    • 2009-12-17
    • OSAMU OZAWA , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu , Koichiro Ishibashi
    • OSAMU OZAWA , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu , Koichiro Ishibashi
    • H01L27/12
    • H01L27/1203 , H01L21/823857
    • The semiconductor integrated circuit has so-called SOI type first MOS transistors (MNtk, MPtk) and second MOS transistors (MNtn, MPtn). The first MOS transistors have a gate isolation film thicker than that the second MOS transistors have. The first and second MOS transistors constitute a power-supply-interruptible circuit (6) and a power-supply-uninterrupted circuit (7). The power-supply-interruptible circuit has the first MOS transistors each constituting a power switch (10) between a source line (VDD) and a ground line (VSS), and the second MOS transistors connected in series with the power switch. A gate control signal for the first MOS transistors each constituting a power switch is made larger in amplitude than that for the second MOS transistors. This enables power-source cutoff control with a high degree of flexibility commensurate with the device isolation structure, which an SOI type semiconductor integrated circuit has originally.
    • 半导体集成电路具有所谓的SOI型第一MOS晶体管（MNtk，MPtk）和第二MOS晶体管（MNtn，MPtn）。 第一MOS晶体管具有比第二MOS晶体管更厚的栅极隔离膜。 第一和第二MOS晶体管构成电源可中断电路（6）和电源不间断电路（7）。 电源中断电路具有构成源极线（VDD）和接地线（VSS）之间的电源开关（10）的第一MOS晶体管，以及与电源开关串联连接的第二MOS晶体管。 构成功率开关的第一MOS晶体管的栅极控制信号的幅度比第二MOS晶体管的幅度大。 这使得能够实现与SOI原理的SOI型半导体集成电路的器件隔离结构相当的高度灵活性的电源切断控制。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 6. 发明授权
      US07714606B2 Semiconductor integrated circuit 失效
    • Semiconductor integrated circuit
    • 半导体集成电路
    • US07714606B2
    • 2010-05-11
    • US11639140
    • 2006-12-15
    • Osamu Ozawa , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu
    • Osamu Ozawa , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu
    • H03K3/01 , G05F1/10 , G05F3/02
    • H01L29/7841 , H01L27/1203 , H01L29/78615 , H03F1/0205 , H03F1/301 , H03F2200/513 , H03K19/0016 , H03K19/00338 , H03K19/00384 , H03K19/01707
    • A plurality of MOS transistors each having an SOI structure includes, in mixed form, those brought into body floating and whose body voltages are fixed and variably set. When a high-speed operation is expected in a logic circuit in which operating power is relatively a low voltage and a switching operation is principally performed, body floating may be adopted. Body voltage fixing may be adopted in an analog system circuit that essentially dislikes a kink phenomenon of a current-voltage characteristic. Body bias variable control may be adopted in a logic circuit that requires the speedup of operation in an active state and needs low power consumption in a standby state. Providing in mixed form the transistors which are subjected to the body floating and the body voltage fixing and which are variably controlled in body voltage, makes it easier to adopt an accurate body bias according to a circuit function and a circuit configuration in terms of the speedup of operation and the low power consumption.
    • 每个具有SOI结构的多个MOS晶体管以混合形式包括体内浮动并且其体电压是固定的并可变地设置的MOS晶体管。 当在其中工作功率相当低的逻辑电路中预期高速操作并且主要执行开关操作时，可以采用身体浮动。 在基本上不喜欢电流 - 电压特性的扭结现象的模拟系统电路中可以采用体电压固定。 主体偏置变量控制可以在需要加速运行状态的逻辑电路中采用，并且在待机状态下需要低功耗。 以混合形式提供经受身体浮动和身体电压固定并且在体电压中可变地控制的晶体管，使得根据电路功能和电路配置在加速度方面更容易采用精确的体偏置 的操作和低功耗。
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    • 7. 发明授权
      US07652333B2 Semiconductor integrated circuit 有权
    • Semiconductor integrated circuit
    • 半导体集成电路
    • US07652333B2
    • 2010-01-26
    • US11614619
    • 2006-12-21
    • Osamu Ozawa , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu , Koichiro Ishibashi
    • Osamu Ozawa , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu , Koichiro Ishibashi
    • H01L27/01
    • H01L27/1203 , H01L21/823857
    • The semiconductor integrated circuit has so-called SOI type first MOS transistors (MNtk, MPtk) and second MOS transistors (MNtn, MPtn). The first MOS transistors have a gate isolation film thicker than that the second MOS transistors have. The first and second MOS transistors constitute a power-supply-interruptible circuit (6) and a power-supply-uninterrupted circuit (7). The power-supply-interruptible circuit has the first MOS transistors each constituting a power switch (10) between a source line (VDD) and a ground line (VSS), and the second MOS transistors connected in series with the power switch. A gate control signal for the first MOS transistors each constituting a power switch is made larger in amplitude than that for the second MOS transistors. This enables power-source cutoff control with a high degree of flexibility commensurate with the device isolation structure, which an SOI type semiconductor integrated circuit has originally.
    • 半导体集成电路具有所谓的SOI型第一MOS晶体管（MNtk，MPtk）和第二MOS晶体管（MNtn，MPtn）。 第一MOS晶体管具有比第二MOS晶体管更厚的栅极隔离膜。 第一和第二MOS晶体管构成电源可中断电路（6）和电源不间断电路（7）。 电源中断电路具有构成源极线（VDD）和接地线（VSS）之间的电源开关（10）的第一MOS晶体管，以及与电源开关串联连接的第二MOS晶体管。 构成功率开关的第一MOS晶体管的栅极控制信号的幅度比第二MOS晶体管的幅度大。 这使得能够实现与SOI原理的SOI型半导体集成电路的器件隔离结构相当的高度灵活性的电源切断控制。
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    • 8. 发明申请
      US20070176233A1 Semiconductor integrated circuit 失效
    • Semiconductor integrated circuit
    • 半导体集成电路
    • US20070176233A1
    • 2007-08-02
    • US11639140
    • 2006-12-15
    • Osamu Ozawa , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu
    • Osamu Ozawa , Toshio Sasaki , Ryo Mori , Takashi Kuraishi , Yoshihiko Yasu
    • H01L29/76
    • H01L29/7841 , H01L27/1203 , H01L29/78615 , H03F1/0205 , H03F1/301 , H03F2200/513 , H03K19/0016 , H03K19/00338 , H03K19/00384 , H03K19/01707
    • A plurality of MOS transistors each having an SOI structure includes, in mixed form, those brought into body floating and whose body voltages are fixed and variably set. When a high-speed operation is expected in a logic circuit in which operating power is relatively a low voltage and a switching operation is principally performed, body floating may be adopted. Body voltage fixing may be adopted in an analog system circuit that essentially dislikes a kink phenomenon of a current-voltage characteristic. Body bias variable control may be adopted in a logic circuit that requires the speedup of operation in an active state and needs low power consumption in a standby state. Providing in mixed form the transistors which are subjected to the body floating and the body voltage fixing and which are variably controlled in body voltage, makes it easier to adopt an accurate body bias according to a circuit function and a circuit configuration in terms of the speedup of operation and the low power consumption.
    • 每个具有SOI结构的多个MOS晶体管以混合形式包括体内浮动并且其体电压是固定的并可变地设置的MOS晶体管。 当在其中工作功率相当低的逻辑电路中预期高速操作并且主要执行开关操作时，可以采用身体浮动。 在基本上不喜欢电流 - 电压特性的扭结现象的模拟系统电路中可以采用体电压固定。 主体偏置变量控制可以在需要加速运行状态的逻辑电路中采用，并且在待机状态下需要低功耗。 以混合形式提供经受身体浮动和身体电压固定并且在体电压中可变地控制的晶体管，使得根据电路功能和电路配置在加速度方面更容易采用精确的体偏置 的操作和低功耗。
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