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    • 3. 发明授权
      US07348245B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
    • Semiconductor device and a method of manufacturing the same
    • 半导体装置及其制造方法
    • US07348245B2
    • 2008-03-25
    • US11443257
    • 2006-05-31
    • Masaaki Shinohara , Kozo Watanabe , Fukuo Owada , Takashi Aoyama
    • Masaaki Shinohara , Kozo Watanabe , Fukuo Owada , Takashi Aoyama
    • H01L21/8234
    • H01L27/11568 , G11C11/005 , G11C16/0466 , H01L27/105 , H01L27/11573 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
    • Manufacturing method of a semiconductor device for forming a rewritable nonvolatile memory cell including a first field effect transistor for memory, a circuit including a second field effect transistor and a circuit including a third field effect transistor, including forming a gate insulating film over a semiconductor substrate, a gate electrode over the gate insulating film and sidewall spacers over the sidewalls of the gate electrode associated with each of the first through third field effect transistors. The sidewall spacers of at least the first field effect transistor have a different width than that of at least the second field effect transistor, the gate electrode of the third field effect transistor has a different length than that of at least the first field effect transistor for memory and the gate insulating film of the third field effect transistor has a thickness larger than that of the second field effect transistor.
    • 一种半导体器件的制造方法，用于形成包括用于存储器的第一场效应晶体管的可重写非易失性存储单元，包括第二场效应晶体管的电路和包括第三场效应晶体管的电路，包括在半导体衬底上形成栅极绝缘膜 栅极绝缘膜上的栅电极和与第一至第三场效应晶体管中的每一个相关联的栅电极的侧壁上的侧壁隔离物。 至少第一场效应晶体管的侧壁间隔物具有与至少第二场效应晶体管不同的宽度，第三场效应晶体管的栅电极具有与至少第一场效应晶体管不同的长度， 存储器和第三场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度大于第二场效应晶体管的厚度。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20060214256A1 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
    • Semiconductor device and a method of manufacturing the same
    • 半导体装置及其制造方法
    • US20060214256A1
    • 2006-09-28
    • US11443252
    • 2006-05-31
    • Masaaki Shinohara , Kozo Watanabe , Fukuo Owada , Takashi Aoyama
    • Masaaki Shinohara , Kozo Watanabe , Fukuo Owada , Takashi Aoyama
    • H01L29/00
    • H01L27/11568 , H01L27/115
    • A semiconductor device having a rewritable nonvolatile memory cell including a first field effect transistor for memory, a circuit including a second field effect transistor and a circuit including a third field effect transistor, the transistors each including a gate insulating film formed over a semiconductor substrate, a gate electrode over the gate insulating film and sidewall spacers over the sidewalls of the corresponding gate electrode. Sidewall spacers of the first field effect transistor are different from those of at least the second field effect transistors. Also, the gate insulating film of the third field effect transistor has a thickness larger than that of the second field effect transistor and the gate electrode of the third field effect transistor has a length different from that of either the first field effect transistor or second field effect transistor. The sidewall spacers of the first field effect transistor include a first silicon oxide film, a first silicon nitride film over the first silicon oxide film and a second silicon oxide film over the first silicon nitride film.
    • 一种半导体器件，具有可重写非易失性存储单元，其包括用于存储的第一场效应晶体管，包括第二场效应晶体管的电路和包括第三场效应晶体管的电路，所述晶体管包括形成在半导体衬底上的栅极绝缘膜， 在栅极绝缘膜上方的栅电极和相应栅电极的侧壁上的侧壁间隔物。 第一场效应晶体管的侧壁间隔物与至少第二场效应晶体管的侧壁间隔物不同。 此外，第三场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度大于第二场效应晶体管的栅极绝缘膜，第三场效应晶体管的栅电极的长度与第一场效应晶体管或第二场效应晶体管的长度不同 效应晶体管。 第一场效应晶体管的侧壁间隔物包括第一氧化硅膜，第一氧化硅膜上的第一氮化硅膜和位于第一氮化硅膜上的第二氧化硅膜。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 8. 发明授权
      US06577585B2 Skew adjustment for disk drive apparatus 失效
    • Skew adjustment for disk drive apparatus
    • 磁盘驱动装置的倾斜调整
    • US06577585B2
    • 2003-06-10
    • US09725074
    • 2000-11-29
    • Takashi Aoyama , Hitoshi Taniguchi
    • Takashi Aoyama , Hitoshi Taniguchi
    • G11B2124
    • G11B7/0956 , G11B7/082 , G11B7/08582
    • The hard disk apparatus has first and second skew adjust members 21 and 22 for adjusting inclinations or an inclination of a main guide shaft 16 and/or a sub-guide shaft 17. The first and second skew adjust members comprise: bearing parts 41 or a bearing part 41 provided such that the centers or center of shaft holes 43 or a shaft hole 43 in which ends or an end of a main guide shaft 16 and/or a sub-guide shaft 17 is inserted and supported is deviated from the centers or center of end surfaces or an end surface of the main guide shaft 16 and/or a sub-guide shaft 17, the end surfaces or end surface being substantially perpendicular to the axial directions or axial direction of the main guide shaft 16 and/or the sub-guide shaft 17; and first, second, and third contact surfaces A, B, and C that are brought into contact with a support base 8, the first, second, and third contact surfaces forming a substantially rectangular outer circumference.
    • 硬盘装置具有用于调整主导轴16和/或副导引轴17的倾斜度或倾斜度的第一和第二倾斜调整构件21和22.第一和第二倾斜调节构件包括：轴承部分41或 轴承部分41设置成使得轴孔43的中心或中心或其中插入和支撑主引导轴16和/或副引导轴17的端部或端部的轴孔43偏离中心或 端面的中心或主导轴16和/或副导引轴17的端面，端面或端面大致垂直于主导轴16的轴向或轴向方向和/或 副导向轴17; 以及与支撑基座8接触的第一，第二和第三接触面A，B，C，第一，第二和第三接触面形成大致矩形的外周。
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