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1. 发明授权

US08527914B2 Flare map calculating method and recording medium 有权
标题翻译：耀斑图计算方法和记录介质
公开(公告)号：US08527914B2
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US13615691
申请日：2012-09-14
申请人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Satoshi Tanaka
发明人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Satoshi Tanaka
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F7/70941 , G03F1/70
摘要： A flare map calculating method of an embodiment calculates an optical image intensity distribution in each division region set in a pattern region. Furthermore, an average value of the optical image intensity distribution is calculated in each division region. A pattern or plural patterns, which has a pattern density corresponding to the average value, is calculated as a corresponding density pattern in each division region. Furthermore, a density map, which represents a pattern density distribution within the pattern region, is generated based on the corresponding density pattern, and a flare map representing a flare intensity distribution within the pattern region is calculated by convolution integral of the density map and a point spread function.
摘要翻译：实施例的耀斑映射计算方法计算在图案区域中设置的每个划分区域中的光学图像强度分布。此外，在每个划分区域中计算出光学图像强度分布的平均值。在每个划分区域中计算具有对应于平均值的图案密度的图案或多个图案作为相应的浓度图案。此外，基于对应的浓度模式生成表示图案区域内的图案密度分布的密度图，并且通过密度图和a的卷积积分来计算表示图案区域内的耀斑强度分布的耀斑图点扩散功能。

2. 发明授权

US08617773B2 Method of correcting mask pattern, computer program product, and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：掩模图案校正方法，计算机程序产品和半导体器件制造方法
公开(公告)号：US08617773B2
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：US13239019
申请日：2011-09-21
申请人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
发明人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
IPC分类号： G03F1/44 , G03F1/72 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： In the method of correcting a mask pattern according to the embodiments, a mask pattern correction amount for a reference flare value is calculated as a reference mask correction amount, for every type of patterns within the layout, and a change amount of the mask pattern correction amount corresponding to the change amount of the flare value is calculated as the change amount information. A mask pattern corresponding to the flare value of the pattern is created based on the reference mask correction amount and the change amount information corresponding to the pattern, extracted from the information having the pattern, the reference mask correction amount, and the change amount information correlated with each other, and based on a difference between the flare value of the pattern and the reference flare value.
摘要翻译：在根据实施例的校正掩模图案的方法中，对于布局中的每种类型的图案，计算用于参考闪光值的掩模图案校正量作为参考掩模校正量，以及掩模图案校正的改变量计算与闪光值的变化量对应的量作为变化量信息。基于从具有图案的信息提取参考掩模校正量和变化量信息相关联的参考掩模校正量和对应于图案的改变量信息，创建与图案的闪光值相对应的掩模图案并且基于图案的耀斑值和参考闪光值之间的差异。

3. 发明授权

US08196071B2 Creating mask data of integrated circuit patterns using calculated etching conversion difference 失效
标题翻译：使用计算出的蚀刻转换差异创建集成电路图案的掩模数据
公开(公告)号：US08196071B2
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：US12688644
申请日：2010-01-15
申请人： Hiromitsu Mashita , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
发明人： Hiromitsu Mashita , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/36 , G03F1/54
摘要： A pattern data creating method comprising: referring to a first correspondence relation between an amount of dimension variation between a first pattern formed on a substrate and a second pattern formed by processing the substrate using the first pattern and either one of a pattern total surface area and a pattern boundary length of the first pattern; and creating pattern data for forming the first pattern.
摘要翻译：一种图形数据生成方法，包括：参照形成在基板上的第一图案和通过使用第一图案处理基板而形成的第二图案之间的尺寸变化量之间的第一对应关系，以及图案总表面积和第一图案的图案边界长度; 以及创建用于形成第一图案的图案数据。

4. 发明申请

US20100185313A1 PATTERN DATA CREATING METHOD, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 失效
标题翻译：图形数据创建方法，计算机程序产品和半导体器件制造方法
公开(公告)号：US20100185313A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：US12688644
申请日：2010-01-15
申请人： Hiromitsu MASHITA , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
发明人： Hiromitsu MASHITA , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/36 , G03F1/54
摘要： A pattern data creating method comprising: referring to a first correspondence relation between an amount of dimension variation between a first pattern formed on a substrate and a second pattern formed by processing the substrate using the first pattern and either one of a pattern total surface area and a pattern boundary length of the first pattern; and creating pattern data for forming the first pattern.
摘要翻译：一种图形数据生成方法，包括：参照形成在基板上的第一图案和通过使用第一图案处理基板而形成的第二图案之间的尺寸变化量之间的第一对应关系，以及图案总表面积和第一图案的图案边界长度; 以及创建用于形成第一图案的图案数据。

5. 发明授权

US09268208B2 Pattern generating method, pattern forming method, and pattern generating program 有权
标题翻译：图案生成方法，图案形成方法和图案生成程序
公开(公告)号：US09268208B2
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：US13421688
申请日：2012-03-15
申请人： Ryota Aburada , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
发明人： Ryota Aburada , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
IPC分类号： G03B27/42 , G03B27/54 , G03B27/68 , G03F1/36 , G03F7/20 , G03F1/70
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： One embodiment includes: a step of evaluating an amount of flare occurring through a mask at EUV exposure; a step of providing a dummy mask pattern on the mask based on the evaluated result of the amount of flare; and a step of executing a flare correction and an optical proximity correction on a layout pattern. The layout pattern is provided by the EUV exposure through the mask with the dummy mask pattern.
摘要翻译：一个实施例包括：评估在EUV暴露下通过掩模发生的耀斑的量的步骤; 基于闪光量的评价结果，在掩模上设置虚拟掩模图案的步骤; 以及在布局图案上执行闪光校正和光学邻近校正的步骤。布局图案由通过掩模的EUV曝光与伪掩模图案提供。

6. 发明申请

US20130063707A1 PATTERN GENERATING METHOD, PATTERN FORMING METHOD, AND PATTERN GENERATING PROGRAM 有权
标题翻译：图案生成方法，图案形成方法和图案生成程序
公开(公告)号：US20130063707A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：US13421688
申请日：2012-03-15
申请人： Ryota ABURADA , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
发明人： Ryota ABURADA , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
IPC分类号： G03B27/42
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： One embodiment includes: a step of evaluating an amount of flare occurring through a mask at EUV exposure; a step of providing a dummy mask pattern on the mask based on the evaluated result of the amount of flare; and a step of executing a flare correction and an optical proximity correction on a layout pattern. The layout pattern is provided by the EUV exposure through the mask with the dummy mask pattern.
摘要翻译：一个实施例包括：评估在EUV暴露下通过掩模发生的耀斑的量的步骤; 基于闪光量的评价结果，在掩模上设置虚拟掩模图案的步骤; 以及在布局图案上执行闪光校正和光学邻近校正的步骤。布局图案由通过掩模的EUV曝光与伪掩模图案提供。

7. 发明申请

US20120244707A1 METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, MASK PATTERN CORRECTING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：校正掩模图案，计算机程序产品，掩模图案校正装置的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20120244707A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：US13239019
申请日：2011-09-21
申请人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
发明人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
IPC分类号： G03F1/70 , H01L21/311 , G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： In the method of correcting a mask pattern according to the embodiments, a mask pattern correction amount for a reference flare value is calculated as a reference mask correction amount, for every type of patterns within the layout, and a change amount of the mask pattern correction amount corresponding to the change amount of the flare value is calculated as the change amount information. A mask pattern corresponding to the flare value of the pattern is created based on the reference mask correction amount and the change amount information corresponding to the pattern, extracted from the information having the pattern, the reference mask correction amount, and the change amount information correlated with each other, and based on a difference between the flare value of the pattern and the reference flare value.
摘要翻译：在根据实施例的校正掩模图案的方法中，对于布局中的每种类型的图案，计算用于参考闪光值的掩模图案校正量作为参考掩模校正量，以及掩模图案校正的改变量计算与闪光值的变化量对应的量作为变化量信息。基于从具有图案的信息提取参考掩模校正量和变化量信息相关联的参考掩模校正量和对应于图案的改变量信息，创建与图案的闪光值相对应的掩模图案并且基于图案的耀斑值和参考闪光值之间的差异。

8. 发明申请

US20110047518A1 PATTERN DETERMINING METHOD 审中-公开
标题翻译：图案确定方法
公开(公告)号：US20110047518A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：US12860278
申请日：2010-08-20
申请人： Issui Aiba , Takafumi Taguchi , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Fumiharu Nakajima , Toshiya Kotani , Tadahito Fujisawa
发明人： Issui Aiba , Takafumi Taguchi , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Fumiharu Nakajima , Toshiya Kotani , Tadahito Fujisawa
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5068 , G03F1/36
摘要： According to the embodiments, a first representative point is set on outline pattern data on a pattern formed in a process before a processed pattern. Then, a minimum distance from the first representative point to a peripheral pattern is calculated. Then, area of a region with no pattern, which is sandwiched by the first representative point and the peripheral pattern, in a region within a predetermined range from the first representative point is calculated. Then, it is determined whether the first representative point becomes a processing failure by using the minimum distance and the area.
摘要翻译：根据实施例，在处理图案之前的处理中形成的图案上的轮廓图案数据上设置第一代表点。然后，计算从第一代表点到外围图案的最小距离。然后，计算出与第一代表点和外围图案夹着的没有图案的区域的区域在距离第一代表点的预定范围内的区域中。然后，通过使用最小距离和面积确定第一代表点是否变为处理失败。

9. 发明申请

US20100030545A1 PATTERN SHAPE PREDICTING METHOD AND PATTERN SHAPE PREDICTING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：图案形状预测方法和图案形状预测装置
公开(公告)号：US20100030545A1
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：US12512686
申请日：2009-07-30
申请人： Taiga UNO , Toshiya Kotani
发明人： Taiga UNO , Toshiya Kotani
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/68
摘要： A pattern shape predicting method comprising: predicting, with simulation, an intensity distribution of a pattern image concerning a pattern shape of a pattern on substrate formed on a substrate based on pattern data; calculating a first pattern edge position from the intensity distribution of the pattern image; calculating a feature value of the intensity distribution of the pattern image in a predetermined range including the first pattern edge position; calculating a fluctuation amount of the first pattern edge position from the feature value using a correlation; and predicting a second pattern edge position taking into account the fluctuation amount with respect to the first pattern edge position.
摘要翻译：一种图案形状预测方法，包括：基于图案数据，通过模拟预测与形成在基板上的基板上的图案的图案形状有关的图案图像的强度分布; 根据图案图像的强度分布计算第一图案边缘位置; 在包括所述第一图案边缘位置的预定范围内计算所述图案图像的强度分布的特征值; 使用相关性从特征值计算第一图案边缘位置的变动量; 并且考虑到相对于第一图案边缘位置的波动量来预测第二图案边缘位置。

10. 发明授权

US08142961B2 Mask pattern correcting method, mask pattern inspecting method, photo mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method 有权
标题翻译：掩模图案校正方法，掩模图案检查方法，光掩模制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：US08142961B2
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：US12717914
申请日：2010-03-04
申请人： Toshiya Kotani , Satoshi Tanaka , Shigeki Nojima , Koji Hashimoto , Soichi Inoue
发明人： Toshiya Kotani , Satoshi Tanaka , Shigeki Nojima , Koji Hashimoto , Soichi Inoue
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G06F17/5068 , G03F1/36
摘要： A pattern correcting method for correcting a design pattern to form a desired pattern on a wafer is disclosed, which comprises defining an allowable dimensional change quantity of each of design patterns, defining a pattern correction condition for the each design pattern based on the allowable dimensional change quantity defined for the each design pattern, and correcting the each design pattern based on the pattern correction condition defined for the each design pattern.
摘要翻译：公开了一种用于校正在晶片上形成期望图案的设计图案的图案校正方法，其包括限定每个设计图案的允许尺寸变化量，基于允许的尺寸变化来定义每个设计图案的图案校正条件并且基于为每个设计图案定义的图案校正条件来校正每个设计图案。

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