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1. 发明授权

US08617773B2 Method of correcting mask pattern, computer program product, and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：掩模图案校正方法，计算机程序产品和半导体器件制造方法
公开(公告)号：US08617773B2
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：US13239019
申请日：2011-09-21
申请人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
发明人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
IPC分类号： G03F1/44 , G03F1/72 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： In the method of correcting a mask pattern according to the embodiments, a mask pattern correction amount for a reference flare value is calculated as a reference mask correction amount, for every type of patterns within the layout, and a change amount of the mask pattern correction amount corresponding to the change amount of the flare value is calculated as the change amount information. A mask pattern corresponding to the flare value of the pattern is created based on the reference mask correction amount and the change amount information corresponding to the pattern, extracted from the information having the pattern, the reference mask correction amount, and the change amount information correlated with each other, and based on a difference between the flare value of the pattern and the reference flare value.
摘要翻译：在根据实施例的校正掩模图案的方法中，对于布局中的每种类型的图案，计算用于参考闪光值的掩模图案校正量作为参考掩模校正量，以及掩模图案校正的改变量计算与闪光值的变化量对应的量作为变化量信息。基于从具有图案的信息提取参考掩模校正量和变化量信息相关联的参考掩模校正量和对应于图案的改变量信息，创建与图案的闪光值相对应的掩模图案并且基于图案的耀斑值和参考闪光值之间的差异。

2. 发明申请

US20120244707A1 METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, MASK PATTERN CORRECTING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：校正掩模图案，计算机程序产品，掩模图案校正装置的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20120244707A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：US13239019
申请日：2011-09-21
申请人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
发明人： Taiga Uno , Toshiya Kotani , Hiromitsu Mashita , Yukiyasu Arisawa
IPC分类号： G03F1/70 , H01L21/311 , G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： In the method of correcting a mask pattern according to the embodiments, a mask pattern correction amount for a reference flare value is calculated as a reference mask correction amount, for every type of patterns within the layout, and a change amount of the mask pattern correction amount corresponding to the change amount of the flare value is calculated as the change amount information. A mask pattern corresponding to the flare value of the pattern is created based on the reference mask correction amount and the change amount information corresponding to the pattern, extracted from the information having the pattern, the reference mask correction amount, and the change amount information correlated with each other, and based on a difference between the flare value of the pattern and the reference flare value.
摘要翻译：在根据实施例的校正掩模图案的方法中，对于布局中的每种类型的图案，计算用于参考闪光值的掩模图案校正量作为参考掩模校正量，以及掩模图案校正的改变量计算与闪光值的变化量对应的量作为变化量信息。基于从具有图案的信息提取参考掩模校正量和变化量信息相关联的参考掩模校正量和对应于图案的改变量信息，创建与图案的闪光值相对应的掩模图案并且基于图案的耀斑值和参考闪光值之间的差异。

3. 发明授权

US09268208B2 Pattern generating method, pattern forming method, and pattern generating program 有权
标题翻译：图案生成方法，图案形成方法和图案生成程序
公开(公告)号：US09268208B2
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：US13421688
申请日：2012-03-15
申请人： Ryota Aburada , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
发明人： Ryota Aburada , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
IPC分类号： G03B27/42 , G03B27/54 , G03B27/68 , G03F1/36 , G03F7/20 , G03F1/70
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： One embodiment includes: a step of evaluating an amount of flare occurring through a mask at EUV exposure; a step of providing a dummy mask pattern on the mask based on the evaluated result of the amount of flare; and a step of executing a flare correction and an optical proximity correction on a layout pattern. The layout pattern is provided by the EUV exposure through the mask with the dummy mask pattern.
摘要翻译：一个实施例包括：评估在EUV暴露下通过掩模发生的耀斑的量的步骤; 基于闪光量的评价结果，在掩模上设置虚拟掩模图案的步骤; 以及在布局图案上执行闪光校正和光学邻近校正的步骤。布局图案由通过掩模的EUV曝光与伪掩模图案提供。

4. 发明申请

US20130063707A1 PATTERN GENERATING METHOD, PATTERN FORMING METHOD, AND PATTERN GENERATING PROGRAM 有权
标题翻译：图案生成方法，图案形成方法和图案生成程序
公开(公告)号：US20130063707A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：US13421688
申请日：2012-03-15
申请人： Ryota ABURADA , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
发明人： Ryota ABURADA , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Masahiro Miyairi , Toshiya Kotani
IPC分类号： G03B27/42
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70941
摘要： One embodiment includes: a step of evaluating an amount of flare occurring through a mask at EUV exposure; a step of providing a dummy mask pattern on the mask based on the evaluated result of the amount of flare; and a step of executing a flare correction and an optical proximity correction on a layout pattern. The layout pattern is provided by the EUV exposure through the mask with the dummy mask pattern.
摘要翻译：一个实施例包括：评估在EUV暴露下通过掩模发生的耀斑的量的步骤; 基于闪光量的评价结果，在掩模上设置虚拟掩模图案的步骤; 以及在布局图案上执行闪光校正和光学邻近校正的步骤。布局图案由通过掩模的EUV曝光与伪掩模图案提供。

5. 发明申请

US20110047518A1 PATTERN DETERMINING METHOD 审中-公开
标题翻译：图案确定方法
公开(公告)号：US20110047518A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：US12860278
申请日：2010-08-20
申请人： Issui Aiba , Takafumi Taguchi , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Fumiharu Nakajima , Toshiya Kotani , Tadahito Fujisawa
发明人： Issui Aiba , Takafumi Taguchi , Hiromitsu Mashita , Taiga Uno , Fumiharu Nakajima , Toshiya Kotani , Tadahito Fujisawa
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5068 , G03F1/36
摘要： According to the embodiments, a first representative point is set on outline pattern data on a pattern formed in a process before a processed pattern. Then, a minimum distance from the first representative point to a peripheral pattern is calculated. Then, area of a region with no pattern, which is sandwiched by the first representative point and the peripheral pattern, in a region within a predetermined range from the first representative point is calculated. Then, it is determined whether the first representative point becomes a processing failure by using the minimum distance and the area.
摘要翻译：根据实施例，在处理图案之前的处理中形成的图案上的轮廓图案数据上设置第一代表点。然后，计算从第一代表点到外围图案的最小距离。然后，计算出与第一代表点和外围图案夹着的没有图案的区域的区域在距离第一代表点的预定范围内的区域中。然后，通过使用最小距离和面积确定第一代表点是否变为处理失败。

6. 发明授权

US08196071B2 Creating mask data of integrated circuit patterns using calculated etching conversion difference 失效
标题翻译：使用计算出的蚀刻转换差异创建集成电路图案的掩模数据
公开(公告)号：US08196071B2
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：US12688644
申请日：2010-01-15
申请人： Hiromitsu Mashita , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
发明人： Hiromitsu Mashita , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/36 , G03F1/54
摘要： A pattern data creating method comprising: referring to a first correspondence relation between an amount of dimension variation between a first pattern formed on a substrate and a second pattern formed by processing the substrate using the first pattern and either one of a pattern total surface area and a pattern boundary length of the first pattern; and creating pattern data for forming the first pattern.
摘要翻译：一种图形数据生成方法，包括：参照形成在基板上的第一图案和通过使用第一图案处理基板而形成的第二图案之间的尺寸变化量之间的第一对应关系，以及图案总表面积和第一图案的图案边界长度; 以及创建用于形成第一图案的图案数据。

7. 发明申请

US20100185313A1 PATTERN DATA CREATING METHOD, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 失效
标题翻译：图形数据创建方法，计算机程序产品和半导体器件制造方法
公开(公告)号：US20100185313A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：US12688644
申请日：2010-01-15
申请人： Hiromitsu MASHITA , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
发明人： Hiromitsu MASHITA , Katsumi Iyanagi , Takafumi Taguchi , Toshiya Kotani , Hidefumi Mukai , Taiga Uno , Takashi Nakazawa
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/36 , G03F1/54
摘要： A pattern data creating method comprising: referring to a first correspondence relation between an amount of dimension variation between a first pattern formed on a substrate and a second pattern formed by processing the substrate using the first pattern and either one of a pattern total surface area and a pattern boundary length of the first pattern; and creating pattern data for forming the first pattern.
摘要翻译：一种图形数据生成方法，包括：参照形成在基板上的第一图案和通过使用第一图案处理基板而形成的第二图案之间的尺寸变化量之间的第一对应关系，以及图案总表面积和第一图案的图案边界长度; 以及创建用于形成第一图案的图案数据。

8. 发明授权

US08039177B2 Method of correcting a flare and computer program product 有权
标题翻译：纠正火炬和计算机程序产品的方法
公开(公告)号：US08039177B2
公开(公告)日：2011-10-18
申请号：US12817968
申请日：2010-06-17
申请人： Taiga Uno , Yukiyasu Arisawa , Hajime Aoyama
发明人： Taiga Uno , Yukiyasu Arisawa , Hajime Aoyama
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F1/70
摘要： A method of correcting a flare comprising: calculating a distribution of a flare value corresponding to pattern data on the pattern data as a flare map; calculating an occupancy of a pattern having a predetermined flare value on the pattern data as a flare value occupancy for each flare value, by using the flare map; determining a reference flare value to be a reference of the flare value based on the distribution of the flare value occupancy; and performing a pattern correction corresponding to the flare value with a pattern correction amount at the reference flare value as a reference.
摘要翻译：一种校正闪光的方法，包括：计算与图案数据上的图案数据相对应的耀斑值的分布，作为耀斑图; 通过使用闪光图，计算对图案数据具有预定耀斑值的图案的占有量作为每个耀斑值的闪光值占有率; 基于闪光值占用的分布，确定参考闪光值作为闪光值的参考; 并且以参考闪光值的模式校正量作为参考，执行与闪光值对应的图案校正。

9. 发明申请

US20120198395A1 FLARE VALUE CALCULATION METHOD, FLARE CORRECTION METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT 有权
标题翻译： FLARE值计算方法，FLARE校正方法和计算机程序产品
公开(公告)号：US20120198395A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：US13238616
申请日：2011-09-21
申请人： Yukiyasu Arisawa , Taiga Uno
发明人： Yukiyasu Arisawa , Taiga Uno
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70941
摘要： In a flare value calculation method according to an embodiment, an average optical intensity is calculated for each of mask patterns in a case where an exposure process is performed on a substrate using the mask patterns. Then, pattern correction amounts for the mask patterns corresponding to the average optical intensity and information about the dimensions of the mask patterns are calculated for each mask pattern. Then, post-correction mask patterns are prepared by performing pattern correction on each of the mask patterns using the pattern correction amount. Then, a flare value of an optical system of an exposure apparatus is calculated using a pattern average density of the post-correction mask patterns.
摘要翻译：在根据实施例的耀斑值计算方法中，在使用掩模图案对基板进行曝光处理的情况下，针对每个掩模图案计算平均光强度。然后，对于每个掩模图案，计算对应于平均光强度的掩模图案的图案校正量和关于掩模图案的尺寸的信息。然后，通过使用图案校正量对每个掩模图案执行图案校正来准备后校正掩模图案。然后，使用校正后掩模图案的图案平均密度来计算曝光装置的光学系统的耀斑值。

10. 发明授权

US08507160B2 Flare prediction method, photomask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and computer-readable medium 有权
标题翻译：闪光预测方法，光掩模制造方法，半导体器件制造方法和计算机可读介质
公开(公告)号：US08507160B2
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：US13233680
申请日：2011-09-15
申请人： Taiga Uno , Yukiyasu Arisawa
发明人： Taiga Uno , Yukiyasu Arisawa
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/70 , G03F7/70433 , G03F7/70941
摘要： According to one embodiment, a flare prediction method in photolithography includes determining a pattern density distribution of a pattern layout, determining an inclination of a variation in the pattern density distribution, and performing a flare calculation in a plurality of partition sizes based on the inclination of a variation in the pattern density distribution.
摘要翻译：根据一个实施例，光刻中的闪光预测方法包括确定图案布局的图案密度分布，确定图案密度分布的变化的倾斜度，以及基于倾斜度的多个分割尺寸执行闪光计算模式密度分布的变化。

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