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    • 1. 发明授权
    • Plasma processing system
    • 等离子体处理系统
    • US06207007B1
    • 2001-03-27
    • US09276125
    • 1999-03-25
    • Sumie SegawaToshiaki Makabe
    • Sumie SegawaToshiaki Makabe
    • G01R2300
    • H01J37/32935H01J37/32082
    • A plasma processing system controls the electronegativity of a plasma produced by ionizing a process gas when processing a substrate by using the plasma. The relation between the pressure in a processing vessel (1) and the frequency of a RF power source (11′), and the electronegativity of the plasma produced by the agency of RF power is determined beforehand. A controller (18) adjusts the pressure in the processing vessel (1) and/or the frequency of the RF power source (11′) in a real-time control mode by a feedback control operation on the basis of a pressure measured by a pressure sensor (17) and a frequency measured by a frequency meter (15) to adjust the electronegativity of the plasma to an appropriate value. The electronegativity of the plasma can be determined through simulation using a one-dimensional RCT model of the plasma.
    • 等离子体处理系统通过使用等离子体来处理衬底时,控制通过对工艺气体进行电离而产生的等离子体的电负性。 预先确定处理容器(1)中的压力与RF电源(11')的频率之间的关系以及由RF功率的代理产生的等离子体的电负性。 控制器(18)通过反馈控制操作基于由一个或多个控制器测量的压力来调节处理容器(1)中的压力和/或RF功率源(11')的频率在实时控制模式 压力传感器(17)和由频率计(15)测量的频率,以将等离子体的电负性调整到适当的值。 可以通过使用等离子体的一维RCT模型的模拟来确定等离子体的电负性。