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1. 发明授权

US08048588B2 Method and apparatus for removing radiation side lobes 有权
标题翻译：用于去除辐射旁瓣的方法和装置
公开(公告)号：US08048588B2
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：US10970077
申请日：2004-10-20
申请人： Sia Kim Tan , Soon Yoeng Tan , Qunying Lin , Huey Ming Chong , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Soon Yoeng Tan , Qunying Lin , Huey Ming Chong , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03F1/00 , G03C5/00 , G06F17/50
CPC分类号： G03F1/34 , G03F1/36
摘要： A method and structure for removing side lobes is provided by positioning first and second radiation transparent regions of respective first and second phases at a first plane with the first and second phases being substantially out of phase. Further, positioning the first and the second region to cause radiation at a second plane to be neutralized in a first region, not to be neutralized in a second region, and to have a side lobe in a third region. Further, positioning a non-transparent region at the first plane to assure radiation at the second plane to be neutralized in the first region and positioning a third radiation transparent region of the first or second phase at the first plane to neutralize the side lobes in the third region at the second plane.
摘要翻译：通过将第一和第二相的第一和第二辐射透明区域定位在第一平面上，其中第一和第二相基本上异相，来提供用于去除旁瓣的方法和结构。此外，定位第一和第二区域以使第二平面上的辐射在第一区域中被中和，而不在第二区域中被中和，并且在第三区域中具有旁瓣。此外，在第一平面处定位不透明区域以确保在第二平面处的辐射在第一区域中被中和，并且将第一或第二相的第三辐射透明区域定位在第一平面处以中和旁瓣第三个地区在第二个飞机。

2. 发明授权

US07556891B2 Method and apparatus for contact hole unit cell formation 有权
标题翻译：接触孔单元电池形成的方法和装置
公开(公告)号：US07556891B2
公开(公告)日：2009-07-07
申请号：US10973182
申请日：2004-10-25
申请人： Soon Yoeng Tan , Sia Kim Tan , Qunying Lin , Huey Ming Chong , Liang-Choo Hsia
发明人： Soon Yoeng Tan , Sia Kim Tan , Qunying Lin , Huey Ming Chong , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/29 , G03F1/26
摘要： A method for forming a contact hole unit cell is provided. A light transparent contact hole region of a first phase is positioned at a first plane. A light transparent phase-shifting region of a second phase is positioned at the first plane, the second phase being substantially out of phase with the first phase. The phase-shifting region substantially surrounds the contact hole region. A light transparent border region is positioned at the first plane outside the phase-shifting region. The border region has a phase substantially the same as that of the contact hole region. A chrome pad is positioned at the first plane outside and contacting at least a portion of the border region. The contact hole region, the phase-shifting region, the border region, and the chrome pad are positioned to cause light from the first plane to be reinforcing in a target contact hole configuration on a second plane and to be substantially neutralizing outside the target contact hole configuration on the second plane.
摘要翻译：提供一种形成接触孔单元的方法。第一相的透光接触孔区域位于第一平面。第二相的光透明相移区位于第一平面处，第二相基本上与第一相不同相。相移区域基本上围绕接触孔区域。光透明边界区域位于相移区域外的第一平面处。边界区域具有与接触孔区域大致相同的相位。铬垫位于第一平面外部并与边界区域的至少一部分接触。定位接触孔区域，相移区域，边界区域和铬焊盘以使得来自第一平面的光在第二平面上的目标接触孔构造中被加强并且基本上在目标接触点之外中和孔配置在第二平面上。

3. 发明授权

US07445874B2 Method to resolve line end distortion for alternating phase shift mask 有权
标题翻译：解决交变相移掩模线路失真的方法
公开(公告)号：US07445874B2
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：US10985263
申请日：2004-11-10
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03F9/00 , G06F17/50
CPC分类号： G03F1/30
摘要： A embodiment method for forming a layout for a phase shift mask. A embodiment comprises providing a layout comprising a first feature, a first shifter region and a second shifter region. The first feature preferably has a L-shape portion with an elbow region. The first shifter region is on the outside of the L-shaped portion and the second shifter region is on the inside of the L-shaped portion. The elbow region has an outside corner away from the second shifter region. We identify a phase conflict region caused by the L-shaped portion of the first feature, the first shifter region and the second shifter region. We resolve the phase conflict by modifying the elbow region by moving the outside corner of the elbow region away from the first shifter region and the phase conflict region. The modification of the elbow region further comprises forming a jog region in the line end section of the first feature.
摘要翻译：一种用于形成相移掩模布局的实施例方法。实施例包括提供包括第一特征，第一移位区和第二移位区的布局。第一特征优选具有肘部区域的L形部分。第一移位区域位于L形部分的外侧，第二移位区域位于L形部分的内侧。肘部区域具有远离第二移位区域的外角。我们识别由第一特征的L形部分，第一移位区域和第二移位区域引起的相位冲突区域。我们通过移动肘部区域的外角远离第一移位区域和相位冲突区域来修改肘部区域来解决相位冲突。肘部区域的修改还包括在第一特征的线端部中形成点动区域。

4. 发明授权

US07649612B2 Phase shifting photolithography system 有权
标题翻译：相移光刻系统
公开(公告)号：US07649612B2
公开(公告)日：2010-01-19
申请号：US11307245
申请日：2006-01-27
申请人： Qunying Lin , Sia Kim Tan , Liang-Choo Hsia
发明人： Qunying Lin , Sia Kim Tan , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03B27/54 , G03B27/72
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70091
摘要： A phase shifting photolithography system includes inserting a phase shift component in a path of an illumination, wherein the phase shift component modifies a portion of the illumination to a different, and controlling an aperture shutter of the phase shift component modifying an interference of the illumination and the illumination with the different phase.
摘要翻译：相移光刻系统包括在照明路径中插入相移分量，其中相移分量将照明的一部分修改为不同的，并且控制相移分量的孔径光阑来修改照明的干扰和具有不同相位的照明。

5. 发明授权

US07560199B2 Polarizing photolithography system 有权
标题翻译：极化光刻系统
公开(公告)号：US07560199B2
公开(公告)日：2009-07-14
申请号：US11163481
申请日：2005-10-20
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F7/7015 , G03F1/50 , G03F7/70566
摘要： A polarizing photolithography reticle system is provided including providing a reticle substrate, forming polarization structures on the reticle substrate, and etching circuit patterns on the reticle substrate on a side opposite the polarization structures.
摘要翻译：提供了一种偏振光刻掩模版系统，其包括提供掩模版基板，在掩模版基板上形成偏振结构，以及在与该偏振结构相反的一侧刻蚀掩模版基板上的电路图案。

6. 发明申请

US20070177121A1 PHASE SHIFTING PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM 有权
标题翻译：相移图像系统
公开(公告)号：US20070177121A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：US11307245
申请日：2006-01-27
申请人： Qunying Lin , Sia Kim Tan , Liang-Choo Hsia
发明人： Qunying Lin , Sia Kim Tan , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03B27/54
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70091
摘要： A phase shifting photolithography system includes inserting a phase shift component in a path of an illumination, wherein the phase shift component modifies a portion of the of the illumination to a different, and controlling an aperture shutter of the phase shift component modifying an interference of the illumination and the illumination with the different phase.
摘要翻译：相移光刻系统包括在照明路径中插入相移分量，其中相移分量将照明的一部分修改为不同，并且控制相移分量的孔径光阑来修改照相的干涉照明和不同相位的照明。

7. 发明申请

US20070092839A1 POLARIZING PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM 有权
标题翻译：偏光照相系统
公开(公告)号：US20070092839A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：US11163481
申请日：2005-10-20
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03C5/00 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/7015 , G03F1/50 , G03F7/70566
摘要： A polarizing photolithography reticle system is provided including providing a reticle substrate, forming polarization structures on the reticle substrate, and etching circuit patterns on the reticle substrate on a side opposite the polarization structures.
摘要翻译：提供了一种偏振光刻掩模版系统，其包括提供掩模版基板，在掩模版基板上形成偏振结构，以及在与该偏振结构相反的一侧刻蚀掩模版基板上的电路图案。

8. 发明授权

US07421676B2 System and method for phase shift assignment 有权
标题翻译：用于相移分配的系统和方法
公开(公告)号：US07421676B2
公开(公告)日：2008-09-02
申请号：US10942689
申请日：2004-09-15
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/30
摘要： A semiconductor design is provided having at least one feature at one of a line end and a line junction, and phase regions. At least one cut line is added to at least one of such features at line ends and such features at line junctions. Phases are assigned to the phase regions. The manufacturing of a photomask with the assigned phase regions is directed.
摘要翻译：提供半导体设计，其具有线端和线结中的一个以及相位区域中的至少一个特征。至少一条切割线被添加到线端的这些特征中的至少一个并且线结处的这些特征。阶段分配给相位区域。指定具有指定相位区域的光掩模的制造。

9. 发明授权

US07384714B2 Anti-reflective sidewall coated alternating phase shift mask and fabrication method 有权
标题翻译：抗反射侧壁涂层交替相移掩模及其制作方法
公开(公告)号：US07384714B2
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：US10973526
申请日：2004-10-25
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/30
摘要： A method for fabricating a phase shift mask is provided. A trenched phase shift mask having portions of a light-blocking layer thereon is formed. A layer of anti-reflective material is then formed on the trenched phase shift mask and the portions of the light-blocking layer. The anti-reflective material is then removed on horizontal surfaces of the trenched phase shift mask and of the portions of the light-blocking layer.
摘要翻译：提供了制造相移掩模的方法。形成其上具有遮光层的部分的沟槽相移掩模。然后在沟槽相移掩模和遮光层的部分上形成一层抗反射材料。然后在沟槽相移掩模的水平表面和遮光层的部分上去除抗反射材料。

10. 发明申请

US20060075376A1 System and method for phase shift assignment 有权
标题翻译：用于相移分配的系统和方法
公开(公告)号：US20060075376A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：US10942689
申请日：2004-09-15
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03F1/00 , G06F17/50
CPC分类号： G03F1/30
摘要： A semiconductor design is provided having at least one feature at one of a line end and a line junction, and phase regions. At least one cut line is added to at least one of such features at line ends and such features at line junctions. Phases are assigned to the phase regions. The manufacturing of a photomask with the assigned phase regions is directed.
摘要翻译：提供半导体设计，其具有线端和线结中的一个以及相位区域中的至少一个特征。至少一条切割线被添加到线端部处的这些特征中的至少一个并且线结处的这些特征。阶段分配给相位区域。指定具有指定相位区域的光掩模的制造。

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