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1. 发明授权

US07560199B2 Polarizing photolithography system 有权
标题翻译：极化光刻系统
公开(公告)号：US07560199B2
公开(公告)日：2009-07-14
申请号：US11163481
申请日：2005-10-20
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F7/7015 , G03F1/50 , G03F7/70566
摘要： A polarizing photolithography reticle system is provided including providing a reticle substrate, forming polarization structures on the reticle substrate, and etching circuit patterns on the reticle substrate on a side opposite the polarization structures.
摘要翻译：提供了一种偏振光刻掩模版系统，其包括提供掩模版基板，在掩模版基板上形成偏振结构，以及在与该偏振结构相反的一侧刻蚀掩模版基板上的电路图案。

2. 发明申请

US20070092839A1 POLARIZING PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM 有权
标题翻译：偏光照相系统
公开(公告)号：US20070092839A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：US11163481
申请日：2005-10-20
申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
发明人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
IPC分类号： G03C5/00 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/7015 , G03F1/50 , G03F7/70566
摘要： A polarizing photolithography reticle system is provided including providing a reticle substrate, forming polarization structures on the reticle substrate, and etching circuit patterns on the reticle substrate on a side opposite the polarization structures.
摘要翻译：提供了一种偏振光刻掩模版系统，其包括提供掩模版基板，在掩模版基板上形成偏振结构，以及在与该偏振结构相反的一侧刻蚀掩模版基板上的电路图案。

3. 发明授权

US08034543B2 Angled-wedge chrome-face wall for intensity balance of alternating phase shift mask 有权
标题翻译：角度楔形铬面墙用于交变相移掩模的强度平衡
公开(公告)号：US08034543B2
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：US12696067
申请日：2010-01-29
申请人： Gek Soon Chua , Sia Kim Tan , Qunying Lin , Cho Jui Tay , Chenggen Quan
发明人： Gek Soon Chua , Sia Kim Tan , Qunying Lin , Cho Jui Tay , Chenggen Quan
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/26
CPC分类号： G03F1/30
摘要： A method for forming a semiconductor device is presented. The method includes providing a substrate having a photoresist thereon and transmitting a light source through a mask having a pattern onto the photoresist. The mask comprises a mask substrate having first, second and third regions, the third region is disposed between the first and second regions. The mask also includes a light reducing layer over the mask substrate having a first opening over the first region and a second opening over the second region. The first and second openings have layer sidewalls. The sidewalls of the light reducing layer are slanted at an angle less than 90 degrees from the plane of a top surface of the mask substrate. The method also includes developing the photoresist to transfer the pattern of the mask to the photoresist.
摘要翻译：提出了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供其上具有光致抗蚀剂的基底，并通过具有图案的掩模将光源透射到光致抗蚀剂上。掩模包括具有第一，第二和第三区域的掩模基板，第三区域设置在第一和第二区域之间。掩模还包括在掩模基板上方的减光层，在第一区域上具有第一开口，在第二区域上具有第二开口。第一和第二开口具有层侧壁。减光层的侧壁以与掩模基板的顶面的平面成90度以下的角度倾斜。该方法还包括显影光致抗蚀剂以将掩模的图案转移到光致抗蚀剂。

4. 发明授权

US07674562B2 Angled-wedge chrome-face wall for intensity balance of alternating phase shift mask 有权
标题翻译：角度楔形铬面墙用于交变相移掩模的强度平衡
公开(公告)号：US07674562B2
公开(公告)日：2010-03-09
申请号：US11297532
申请日：2005-12-07
申请人： Gek Soon Chua , Sia Kim Tan , Qunying Lin , Cho Jui Tay , Chenggen Quan
发明人： Gek Soon Chua , Sia Kim Tan , Qunying Lin , Cho Jui Tay , Chenggen Quan
IPC分类号： G03F1/08 , G03F1/14
CPC分类号： G03F1/30
摘要： A method for forming a phase shift mask is presented. The method includes providing a substrate including a transparent material having first, second and third regions, the third region being disposed between the first and second regions. The method also includes forming a light reducing layer on a first major surface of the substrate. The light reducing layer is patterned to form a patterned light reducing layer having sidewalls defining openings to expose the first and second regions. The patterned light reducing layer is processed to transform the sidewalls of the patterned light reducing layer to angled sidewalls having an angle of less than 90° from a plane of the first major surface of the substrate. The angled sidewalls improve intensity balance of an image-formed by light-transmitted through the mask.
摘要翻译：提出了一种形成相移掩模的方法。该方法包括提供包括具有第一，第二和第三区域的透明材料的基板，该第三区域设置在第一和第二区域之间。该方法还包括在基板的第一主表面上形成减光层。图案化减光层以形成具有限定开口以暴露第一和第二区域的侧壁的图案化减光层。处理图案化的光降低层以将图案化的减光层的侧壁转变成与基板的第一主表面的平面成小于90°的角度的成角度的侧壁。成角度的侧壁提高了透过掩模的光图像形成的强度平衡。

5. 发明申请

US20090286167A1 CROSS TECHNOLOGY RETICLES 有权
标题翻译：交叉技术假说
公开(公告)号：US20090286167A1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：US12369720
申请日：2009-02-11
申请人： Sia Kim Tan , Guoxiang Ning , Gek Soon Chua , Soon Yoeng Tan , Byoung Il Choi , Jason Phua
发明人： Sia Kim Tan , Guoxiang Ning , Gek Soon Chua , Soon Yoeng Tan , Byoung Il Choi , Jason Phua
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/50
摘要： A method of fabricating a device is presented. The method includes forming a mask that includes multiple images. A substrate is patterned using the mask. An image of the multiple images corresponds to a respective patterning process. The substrate is processed further to complete the processing of the substrate to form the desired function of the device.
摘要翻译：提出了一种制造器件的方法。该方法包括形成包括多个图像的掩模。使用掩模对衬底进行图案化。多幅图像的图像对应于各自的图案化处理。进一步处理衬底以完成衬底的处理以形成器件的期望功能。

6. 发明申请

US20100293516A1 MASK SYSTEM EMPLOYING SUBSTANTIALLY CIRCULAR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION TARGET AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF 有权
标题翻译：采用实质性光学临近修正目标的掩模系统及其制造方法
公开(公告)号：US20100293516A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：US12465431
申请日：2009-05-13
申请人： Sia Kim Tan , Gek Soon Chua , Kwee Liang Martin Yeo , Ryan Khoon Khye Chong , Moh Lung Ling
发明人： Sia Kim Tan , Gek Soon Chua , Kwee Liang Martin Yeo , Ryan Khoon Khye Chong , Moh Lung Ling
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36
摘要： A method of manufacture of a mask system includes: providing design data; generating a substantially circular optical proximity correction target from the design data; biasing a segment of the substantially circular optical proximity correction target; and generating mask data based on the shape produced by biasing the segment of the substantially circular optical proximity correction target.
摘要翻译：掩模系统的制造方法包括：提供设计数据; 从设计数据生成基本圆形的光学邻近校正目标; 偏置基本圆形的光学邻近校正目标的一段; 以及基于通过偏置基本圆形的光学邻近校正目标的段而产生的形状来产生掩模数据。

7. 发明授权

US07866224B2 Monitoring structure 有权
标题翻译：监控结构
公开(公告)号：US07866224B2
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：US11565623
申请日：2006-11-30
申请人： Sia Kim Tan , Gek Soon Chua , Qun Ying Lin , Martin Yeo
发明人： Sia Kim Tan , Gek Soon Chua , Qun Ying Lin , Martin Yeo
IPC分类号： B08B13/00
CPC分类号： G03F1/84 , G03F1/44
摘要： Apparatus is provided for determining presence of contamination on a lithography mask, including: a fluid trap having a base and at least one wall member extending substantially perpendicularly to the base for trapping fluid on a portion of the base when fluid introduced during a cleaning process of the mask is removed.
摘要翻译：提供了用于确定光刻掩模上的污染物存在的设备，包括：流体捕集器，其具有基部和至少一个基本上垂直于基底垂直延伸的壁构件，用于当在清洁过程中引入的流体面具被去除。

8. 发明授权

US08413083B2 Mask system employing substantially circular optical proximity correction target and method of manufacture thereof 有权
标题翻译：采用基本圆形光学邻近校正目标的掩模系统及其制造方法
公开(公告)号：US08413083B2
公开(公告)日：2013-04-02
申请号：US12465431
申请日：2009-05-13
申请人： Sia Kim Tan , Gek Soon Chua , Kwee Liang Martin Yeo , Ryan Khoon Khye Chong , Moh Lung Ling
发明人： Sia Kim Tan , Gek Soon Chua , Kwee Liang Martin Yeo , Ryan Khoon Khye Chong , Moh Lung Ling
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36
摘要： A method of manufacture of a mask system includes: providing design data; generating a substantially circular optical proximity correction target from the design data; biasing a segment of the substantially circular optical proximity correction target; and generating mask data based on the shape produced by biasing the segment of the substantially circular optical proximity correction target.
摘要翻译：掩模系统的制造方法包括：提供设计数据; 从设计数据生成基本圆形的光学邻近校正目标; 偏置基本圆形的光学邻近校正目标的一段; 以及基于通过偏置基本圆形的光学邻近校正目标的段而产生的形状来产生掩模数据。

9. 发明授权

US07923180B2 Cross technology reticles 有权
标题翻译：十字技术标线
公开(公告)号：US07923180B2
公开(公告)日：2011-04-12
申请号：US12369720
申请日：2009-02-11
申请人： Sia Kim Tan , Guoxiang Ning , Gek Soon Chua , Soon Yoeng Tan , Byoung Il Choi , Jason Phua
发明人： Sia Kim Tan , Guoxiang Ning , Gek Soon Chua , Soon Yoeng Tan , Byoung Il Choi , Jason Phua
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F1/50
摘要： A method of fabricating a device is presented. The method includes forming a mask that includes multiple images. A substrate is patterned using the mask. An image of the multiple images corresponds to a respective patterning process. The substrate is processed further to complete the processing of the substrate to form the desired function of the device.
摘要翻译：提出了一种制造器件的方法。该方法包括形成包括多个图像的掩模。使用掩模对衬底进行图案化。多幅图像的图像对应于各自的图案化处理。进一步处理衬底以完成衬底的处理以形成器件的期望功能。

10. 发明授权

US07867698B2 Reticle system for manufacturing integrated circuit systems 有权
标题翻译：用于制造集成电路系统的标线系统
公开(公告)号：US07867698B2
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：US12122866
申请日：2008-05-19
申请人： Gek Soon Chua , Sia Kim Tan , Byoung-IL Choi , Ryan Chong , Martin Yeo
发明人： Gek Soon Chua , Sia Kim Tan , Byoung-IL Choi , Ryan Chong , Martin Yeo
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： G03F1/50
摘要： A reticle system that includes: providing a reticle system; and assigning two or more of an image pattern onto the reticle system to form one or more layers of an integrated circuit system by grouping and pairing each of the image pattern onto the reticle system according to a multi-layer reticle grouping/pairing flow.
摘要翻译：一种掩模版系统，其包括：提供掩模版系统; 以及通过根据多层标线组分组/配对流将图像图案中的每一个分组并配对到光罩系统上，将两个或多个图像图案分配到标线系统上以形成集成电路系统的一个或多个层。

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