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    • 8. 发明申请
    • Ferroelectric capacitor stack etch cleaning methods
    • 铁电电容堆栈蚀刻清洗方法
    • US20060134808A1
    • 2006-06-22
    • US11016400
    • 2004-12-17
    • Scott SummerfeltLindsey HallK. UdayakumarTheodore Moise
    • Scott SummerfeltLindsey HallK. UdayakumarTheodore Moise
    • H01L21/00
    • H01L21/0206H01L21/02071H01L28/55H01L28/57H01L28/65H01L28/75
    • Methods (100) are provided for fabricating a ferroelectric capacitor structure including methods (128) for etching and cleaning patterned ferroelectric capacitor structures in a semiconductor device. The methods comprise etching (140, 200) portions of an upper electrode, etching (141, 201) ferroelectric material, and etching (142, 202) a lower electrode to define a patterned ferroelectric capacitor structure, and etching (143, 206) a portion of a lower electrode diffusion barrier structure. The methods further comprise ashing (144, 203) the patterned ferroelectric capacitor structure using a first ashing process, performing (145, 204) a wet clean process after the first ashing process, and ashing (146, 205) the patterned ferroelectric capacitor structure using a second ashing process directly after the wet clean process at a high temperature in an oxidizing ambient.
    • 提供了用于制造铁电电容器结构的方法(100),其包括用于在半导体器件中蚀刻和清洁图案化的铁电电容器结构的方法(128)。 所述方法包括:上电极的蚀刻(140,200)部分,蚀刻(141,201)铁电材料和蚀刻(142,202)下电极以限定图案化的铁电电容器结构,以及蚀刻(143,206)a 部分下部电极扩散阻挡结构。 所述方法还包括使用第一灰化处理灰化(144,203)所述图案化的铁电电容器结构,在第一灰化过程之后执行(145,204)湿式清洁处理,以及使用所述图案化铁电电容器结构灰化(146,205) 在氧化环境中的高温下在湿式清洁工艺之后直接进行第二次灰化处理。