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    • 9. 发明授权
    • Nitride read-only memory cell and method of manufacturing the same
    • 氮化物只读存储单元及其制造方法
    • US07834382B2
    • 2010-11-16
    • US11649902
    • 2007-01-05
    • Chi-Pin Lu
    • Chi-Pin Lu
    • H01L21/336
    • H01L21/28282H01L29/66833H01L29/7923
    • A nitride read-only memory cell and a method of manufacturing the same are provided. First, a substrate is provided, and a first oxide layer is formed on the substrate. Next, a nitride layer is deposited on the first oxide layer via a first gas and a second gas. The flow ratio of the first gas to the second gas is 2:1. After that, a second oxide layer is formed on the nitride layer. Then, a bit-line region is formed at the substrate. Afterward, a gate is formed on the second oxide layer. The first oxide layer, nitride layer, the second oxide layer and the gate compose a stack structure of the cell. Further, a spacer is formed on the side-wall of the stack structure.
    • 提供一种氮化物只读存储单元及其制造方法。 首先,提供基板,在基板上形成第一氧化物层。 接下来,经由第一气体和第二气体在第一氧化物层上沉积氮化物层。 第一气体与第二气体的流量比为2:1。 之后,在氮化物层上形成第二氧化物层。 然后,在基板上形成位线区域。 之后,在第二氧化物层上形成栅极。 第一氧化物层,氮化物层,第二氧化物层和栅极构成电池的堆叠结构。 此外,在堆叠结构的侧壁上形成间隔件。