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    • 8. 发明申请
    • IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD OF IMAGE SENSOR
    • 图像传感器的图像传感器和制造方法
    • US20100078751A1
    • 2010-04-01
    • US12563276
    • 2009-09-21
    • Jong Man Kim
    • Jong Man Kim
    • H01L31/103H01L31/18
    • H01L27/14665H01L27/14634
    • Disclosed are an image sensor and a method for manufacturing the same. The image sensor can include a readout circuitry on a first substrate; an interlayer dielectric layer including at least one metal and contact plug electrically connected to the readout circuitry; and an image sensing device formed on a second substrate, bonded to the interlayer dielectric layer, and provided with a first conductive type conduction layer and a second conductive type conduction layer. An uppermost contact plug in the interlayer dielectric layer has a wall structure extending from an uppermost metal in the interlayer dielectric layer. The top surface of the uppermost contact plug makes contact with the image sensing device and is connected to an image sensing device and an uppermost metal of an adjacent pixel.
    • 公开了一种图像传感器及其制造方法。 图像传感器可以包括在第一基板上的读出电路; 层间电介质层,包括电连接到所述读出电路的至少一个金属和接触插塞; 以及形成在第二基板上的图像感测装置,其接合到所述层间电介质层,并且设置有第一导电类型导电层和第二导电类型导电层。 层间电介质层中的最上面的接触插塞具有从层间介质层中的最上面的金属延伸的壁结构。 最上面的接触插塞的顶表面与图像感测装置接触并且连接到图像感测装置和相邻像素的最上面的金属。