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81. 发明授权

US08507315B2 Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same 有权
标题翻译：采用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储单元及其形成方法
公开(公告)号：US08507315B2
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：US13464115
申请日：2012-05-04
申请人： April D. Schricker , S. Brad Herner , Mark H. Clark
发明人： April D. Schricker , S. Brad Herner , Mark H. Clark
IPC分类号： H01L29/02
CPC分类号： H01L45/1641 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/33 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1675
摘要： A method of forming a memory cell is provided that includes forming a steering element above a substrate, and forming a reversible resistance-switching element coupled to the steering element. The reversible resistance-switching element includes one or more of TiOx, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3, HfO2, and V2O5, and the reversible resistance switching element is formed without being etched. Numerous other aspects are provided.
摘要翻译：提供一种形成存储单元的方法，其包括在基板上形成操舵元件，以及形成与该转向元件连接的可逆电阻切换元件。可逆电阻切换元件包括TiO x，Ta 2 O 5，Nb 2 O 5，Al 2 O 3，HfO 2和V 2 O 5中的一种或多种，并且形成不可蚀刻的可逆电阻切换元件。提供了许多其他方面。

82. 发明授权

US08503215B2 Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication 有权
标题翻译：垂直堆叠现场可编程非易失性存储器和制造方法
公开(公告)号：US08503215B2
公开(公告)日：2013-08-06
申请号：US13526671
申请日：2012-06-19
申请人： Mark G. Johnson , Thomas H. Lee , Vivek Subramanian , Paul Michael Farmwald , James M. Cleeves
发明人： Mark G. Johnson , Thomas H. Lee , Vivek Subramanian , Paul Michael Farmwald , James M. Cleeves
IPC分类号： G11C11/36
CPC分类号： G11C17/06 , G11C11/5692 , G11C13/003 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/71 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/16
摘要： A memory cell is provided that includes a steering element, and a non-volatile state change element coupled in series with the steering element. The steering element and state change element are disposed in a vertically-oriented pillar. Other aspects are also provided.
摘要翻译：提供了一种存储单元，其包括转向元件和与该转向元件串联耦合的非易失性状态变化元件。转向元件和状态改变元件设置在垂直定向的支柱中。还提供其他方面。

83. 发明申请

US20130183829A1 METHODS FOR INCREASED ARRAY FEATURE DENSITY 有权
标题翻译：增加阵列特征密度的方法
公开(公告)号：US20130183829A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：US13760877
申请日：2013-02-06
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： Huiwen Xu , Yung-Tin Chen , Steven J. Radigan
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/3088 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L27/101 , H01L27/1021
摘要： A method is provided that includes forming completely distinct first features above a substrate, forming sidewall spacers on the first features, filling spaces between adjacent sidewall spacers with filler features, and removing the sidewall spacers. Numerous other aspects are provided.
摘要翻译：提供了一种方法，其包括在基底上形成完全不同的第一特征，在第一特征上形成侧壁间隔物，在填充物特征之间填充相邻侧壁间隔物之间的空间，以及去除侧壁间隔物。提供了许多其他方面。

84. 发明申请

US20130181181A1 MIIIM DIODE HAVING LANTHANUM OXIDE 审中-公开
标题翻译：具有氧化铝的MIIIM二极管
公开(公告)号：US20130181181A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：US13787505
申请日：2013-03-06
申请人： SanDisk 3D LLC
发明人： Deepak C. Sekar , Tanmay Kumar , Peter Rabkin , Xiying Chen Costa
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/2418 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/149
摘要： A MIIIM diode and method of fabricating are disclosed. In one aspect, the MIIIM diode comprises a first metal electrode, a first region comprising a first insulator material having an interface with the first metal electrode, a second region comprising a second insulator material having an interface with the first insulator material, a third region comprising a third insulator material having an interface with the second insulator material, and a second metal electrode having an interface with the third insulator material. At least one of the first, second, or third insulator materials is lanthanum oxide.
摘要翻译：公开了一种MIIIM二极管及其制造方法。一方面，MIIIM二极管包括第一金属电极，第一区域，包括与第一金属电极具有界面的第一绝缘体材料，第二区域包括与第一绝缘体材料具有界面的第二绝缘体材料，第三区域包括具有与第二绝缘体材料的界面的第三绝缘体材料和与第三绝缘体材料具有界面的第二金属电极。第一，第二或第三绝缘体材料中的至少一种是氧化镧。

85. 发明申请

US20130175492A1 MEMORY CELLS HAVING STORAGE ELEMENTS THAT SHARE MATERIAL LAYERS WITH STEERING ELEMENTS AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
标题翻译：具有与转向元件共享材料层的存储元件的存储单元及其形成方法
公开(公告)号：US20130175492A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：US13783585
申请日：2013-03-04
申请人： SanDisk 3D LLC
发明人： Yung-Tin Chen , Chuanbin Pan , Andrei Mihnea , Steven Maxwell , Kun Hou
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1616 , Y10S438/957
摘要： In some embodiments, a memory cell is provided that includes a metal-insulator-metal stack and a steering element coupled to the metal-insulator-metal stack. The metal-insulator-metal stack includes a first conductive layer, a reversible resistivity switching layer above the first conductive layer, and a second conductive layer above the reversible resistivity switching layer. The first conductive layer and/or the second conductive layer includes a first semiconductor material layer. The steering element includes the first semiconductor material layer. Numerous other aspects are provided.
摘要翻译：在一些实施例中，提供了包括金属 - 绝缘体 - 金属堆叠和耦合到金属 - 绝缘体 - 金属堆叠的操纵元件的存储单元。金属 - 绝缘体 - 金属堆叠包括第一导电层，第一导电层上方的可逆电阻率开关层和可逆电阻率切换层上方的第二导电层。第一导电层和/或第二导电层包括第一半导体材料层。该转向元件包括第一半导体材料层。提供了许多其他方面。

86. 发明申请

US20130146832A1 MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY GROWN REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
标题翻译：使用可选择的可变电阻开关元件的记忆单元及其形成方法
公开(公告)号：US20130146832A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：US13764065
申请日：2013-02-11
申请人： SanDisk 3D LLC
发明人： April D. Schricker , Brad Herner , Mark H. Clark
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/24
摘要： A memory cell is provided that includes a reversible resistance-switching element above a substrate. The reversible resistance-switching element includes an etched material layer that includes an oxidized layer of the etched material layer above a non-oxidized layer of the etched material layer. Numerous other aspects are provided.
摘要翻译：提供了一种存储单元，其包括在基板上方的可逆电阻切换元件。可逆电阻切换元件包括蚀刻材料层，该蚀刻材料层包括在蚀刻材料层的未氧化层之上的蚀刻材料层的氧化层。提供了许多其他方面。

87. 发明授权

US08462580B2 Memory system with reversible resistivity-switching using pulses of alternatrie polarity 有权
标题翻译：具有可逆电阻率切换的存储系统，使用交替极性的脉冲
公开(公告)号：US08462580B2
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：US12948375
申请日：2010-11-17
申请人： Peter Rabkin , George Samachisa , Roy E. Scheuerlein
发明人： Peter Rabkin , George Samachisa , Roy E. Scheuerlein
IPC分类号： G11C7/12 , G11C8/08 , G11C7/22 , G11C11/36 , G11C11/34
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/72
摘要： A memory system includes a plurality of non-volatile storage elements that each comprise a diode (or other steering device) in series with reversible resistance-switching material. One or more circuits in the memory system program the non-volatile storage elements by changing the reversible resistance-switching material of one or more non-volatile storage elements to a first resistance state. The memory system can also change the reversible resistance-switching material of one or more of the non-volatile storage elements from the first resistance state to a second resistance state by applying one or more pairs of opposite polarity voltage conditions (e.g., pulses) to the respective diodes (or other steering devices) such that current flows in the diodes (or other steering devices) without operating the diodes (or other steering devices) in breakdown condition.
摘要翻译：存储器系统包括多个非易失性存储元件，每个非易失性存储元件包括与可逆电阻切换材料串联的二极管（或其他转向装置）。存储器系统中的一个或多个电路通过将一个或多个非易失性存储元件的可逆电阻切换材料改变为第一电阻状态而对非易失性存储元件进行编程。存储系统还可以将一个或多个非易失性存储元件的可逆电阻切换材料从第一电阻状态改变到第二电阻状态，通过将一对或多对相反极性的电压条件（例如，脉冲）施加到相应的二极管（或其他转向装置）使得电流在二极管（或其他转向装置）中流动，而不会在击穿情况下操作二极管（或其他转向装置）。

88. 发明授权

US08379437B2 Flexible multi-pulse set operation for phase-change memories 有权
标题翻译：用于相变存储器的灵活多脉冲设置操作
公开(公告)号：US08379437B2
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：US12551553
申请日：2009-08-31
申请人： Tyler Thorp , Roy E. Scheuerlein
发明人： Tyler Thorp , Roy E. Scheuerlein
IPC分类号： G11C11/00 , G11C7/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2013/0092
摘要： Methods and apparatus are provided that include reading a plurality of sets of program pulse tuning instructions from a memory page, the memory page including a plurality of memory cells; and creating a plurality of program pulses in accordance with the plurality of sets of program pulses to program the plurality of memory cells. The plurality of sets of program pulse tuning instructions may be different from one another in at least one respect.
摘要翻译：提供了包括从存储器页面读取多组编程脉冲调整指令的方法和装置，所述存储器页面包括多个存储器单元; 以及根据所述多组编程脉冲创建多个编程脉冲，以对所述多个存储单元进行编程。多组编程脉冲调谐指令在至少一个方面可以彼此不同。

89. 发明授权

US08350299B2 Memory with high dielectric constant antifuses adapted for use at low voltage 有权
标题翻译：具有适用于低电压使用的高介电常数反熔丝的存储器
公开(公告)号：US08350299B2
公开(公告)日：2013-01-08
申请号：US12836320
申请日：2010-07-14
申请人： Xiaoyu Yang , Roy E. Scheuerlein , Feng Li , Albert T. Meeks
发明人： Xiaoyu Yang , Roy E. Scheuerlein , Feng Li , Albert T. Meeks
IPC分类号： H01L29/66
CPC分类号： H01L45/12 , G11C17/00 , G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/101 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A memory cell is provided that includes a diode and a resistance-switching material layer coupled in series with the diode. The resistance-switching material layer: (a) has a dielectric constant in the range of about 5 to about 27, and (b) includes a material from the family consisting of XvOw, wherein X represents an element from the family consisting of Hf and Zr, and wherein the subscripts v and w have non-zero values that form a stable compound. Other aspects are also provided.
摘要翻译：提供存储单元，其包括与二极管串联耦合的二极管和电阻切换材料层。电阻切换材料层：（a）的介电常数在约5至约27的范围内，（b）包括由XvOw组成的族的材料，其中X表示由Hf和 Zr，并且其中下标v和w具有形成稳定化合物的非零值。还提供其他方面。

90. 发明授权

US08320196B2 Semiconductor memory with improved block switching 有权
标题翻译：半导体存储器具有改进的块切换
公开(公告)号：US08320196B2
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：US13233602
申请日：2011-09-15
申请人： Thomas Yan , Luca Fasoli , Roy E Scheuerlein
发明人： Thomas Yan , Luca Fasoli , Roy E Scheuerlein
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C7/18 , G11C13/004 , G11C16/24 , G11C2029/0411 , G11C2213/71 , G11C2213/72
摘要： A non-volatile memory core comprises one or more memory bays. Each memory bay comprises one or more memory blocks that include a grouping of non-volatile storage elements. In one embodiment, memory blocks in a particular memory bay share a group of read/write circuits. During a memory operation, memory blocks are transitioned into active and inactive states. The process of transitioning blocks from an inactive state to an active state includes enabling charge sharing between a memory block entering the active state and another memory block that was previously in the active state. This charge sharing improves performance and/or reduces energy consumption for the memory system.
摘要翻译：非易失性存储器核心包括一个或多个存储器空间。每个存储器托架包括一个或多个存储器块，其包括非易失性存储元件的分组。在一个实施例中，特定存储器架中的存储器块共享一组读/写电路。在存储器操作期间，存储器块被转换为活动状态和非活动状态。将块从非活动状态转换到活动状态的过程包括使得进入活动状态的存储块与先前处于活动状态的另一存储块之间的电荷共享成为可能。这种电荷共享提高了存储器系统的性能和/或降低了能量消耗。

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