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    • 93. 发明授权
      US5297165A Equalizer for radio receive signal 失效
    • Equalizer for radio receive signal
    • 用于无线电接收信号的均衡器
    • US5297165A
    • 1994-03-22
    • US724612
    • 1991-07-02
    • Takashi Ueda , Hiroshi Suzuki , Hitoshi Yoshino
    • Takashi Ueda , Hiroshi Suzuki , Hitoshi Yoshino
    • H04L25/03 , H04B1/10 , H03C7/00
    • H04L25/03038 , H04L25/03019
    • In a transversal type equalizer having a series connected delay elements, multipliers are coupled with each output of each delay element and an adder adds outputs of the multipliers to provide an equalized output signal for equalizing a time division radio receive signal for every burst in mobile communication. A receive memory (11) stores the receive signal. A transversal type equalization process circuit (77a) is coupled with the output of the memory (11). A output memory (100) stores on equalized output signal. In training tap coefficients of a transversal filter, a tap or a delay element is precluded when an absolute value of a tap coefficient is less than a predetermined value, so that calculation amount for updating tap coefficients is decreased and tracking characteristics are improved. A multiplier (15) is inserted between an output of the receive memory (11) and an input of the equalization process circuit (77a) so that a signal which is subject to equalization is phase-shifted beforehand so that frequency offset between transmit frequency in a transmitter and local frequency in a receiver is compensated. The phase adjustment by the multiplier (15) depends upon residual phase error at an output of the equalization process circuit (77a). An output memory (100) is used as a training signal to initialize the tap coefficients of the equalization process circuit (77a) during a burst when equalized output signal has an error larger than a predetermined value.
    • 在具有串联连接的延迟元件的横向型均衡器中，乘法器与每个延迟元件的每个输出端耦合，并且加法器将乘法器的输出相加以提供均衡的输出信号，以均衡用于移动通信中的每个突发的时分无线电接收信号 。 接收存储器（11）存储接收信号。 横向型均衡处理电路（77a）与存储器（11）的输出端相连。 输出存储器（100）存储均衡的输出信号。 在训练横向滤波器的抽头系数时，当抽头系数的绝对值小于预定值时，排除抽头或延迟元件，从而降低更新抽头系数的计算量并提高跟踪特性。 在接收存储器（11）的输出端和均衡处理电路（77a）的输入端之间插入一个乘法器（15），使得经过均衡的信号被预先相移，使得发送频率之间的频率偏移 接收机中的发射机和本地频率被补偿。 乘法器（15）的相位调整取决于均衡处理电路（77a）的输出处的残留相位误差。 当均衡的输出信号具有大于预定值的误差时，输出存储器（100）用作训练信号以在突发期间初始化均衡处理电路（77a）的抽头系数。
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    • 96. 发明授权
      US5158904A Process for the preparation of semiconductor devices 失效
    • Process for the preparation of semiconductor devices
    • 制备半导体器件的方法
    • US5158904A
    • 1992-10-27
    • US742342
    • 1991-08-08
    • Takashi Ueda
    • Takashi Ueda
    • H01L21/266 , H01L21/336 , H01L29/78
    • H01L29/66575 , H01L21/266 , Y10S148/082
    • A process for preparing a semiconductor device, which includes; forming on a semiconductive silicon substrate a gate oxide film and a gate electrode constituting a MOS transistor, a semiconductor element protective film on the gate electrode and a wiring layer on the protective film; forming, above the gate electrode, a first photoresist film having an opening correspondingly in position to a point that a channel region is to be provided, a silicon oxide film provided by spin-on-glass method and a second photoresist film having the same pattern as the first photoresist film in this order; etching by use of the second photoresist film as a mask to form a mask pattern which comprises three layers of the first and second photoresist films and the intervening silicon oxide film sandwiched therebetween and has an opening above the gate electrode correspondingly in position to that point for provision of the channel region; applying an impurity ion with high energy from above and through which mask pattern to be implanted under the gate electrode to form the channel region.
    • 一种制备半导体器件的方法，包括： 在半导体硅衬底上形成栅极氧化膜和构成MOS晶体管的栅电极，栅电极上的半导体元件保护膜和保护膜上的布线层; 在栅电极上形成第一光致抗蚀剂膜，该第一光致抗蚀剂膜具有对应于要设置沟道区的位置的开口，通过旋涂法提供的氧化硅膜和具有相同图案的第二光致抗蚀剂膜 作为第一光致抗蚀剂膜; 通过使用第二光致抗蚀剂膜作为掩模进行蚀刻以形成掩模图案，该掩模图案包括三层第一和第二光致抗蚀剂膜和夹在其间的中间氧化硅膜，并且在栅电极上方具有对应于该位置的开口， 提供渠道区域; 从上方施加高能量的杂质离子并通过掩模图案在栅电极下方形成沟道区域。
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    • 100. 发明授权
      US4929590A Thermosensitive recording material 失效
    • Thermosensitive recording material
    • 热敏记录材料
    • US4929590A
    • 1990-05-29
    • US317979
    • 1989-03-02
    • Keiichi Maruta , Takashi Ueda , Yasuhiko Watanabe
    • Keiichi Maruta , Takashi Ueda , Yasuhiko Watanabe
    • B41M5/44
    • B41M5/44
    • A thermosensitive recording material is disclosed, which comprises (a) a support, (b) an undercoat layer formed on the support, which comprises spherical hollow particles made of a plastic material having a glass transition temperature ranging from 40.degree. C. to 90.degree. C., the spherical hollow particles having a mean particle diameter of 0.20 .mu.m to 1.5 .mu.m, and a voidage of 40% to 90%, and a binder resin in an effective amount, and (c) a thermosensitive coloring layer formed on the undercoat layer, which comprises as the main components a leuco dye and a color developer capable of inducing color formation in the leuco dye upon application of heat thereto.
    • 公开了一种热敏记录材料，其包括（a）载体，（b）形成在载体上的底涂层，其包含由玻璃化转变温度为40℃至90℃的塑料材料制成的球形中空颗粒 C，平均粒径为0.20μm〜1.5μm，空隙率为40〜90％的球状中空颗粒和有效量的粘合剂树脂，（c）形成在 底涂层，其包含作为主要组分的无色染料和能够在施加热量时在无色染料中引起颜色形成的彩色显影剂。
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