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1. 发明专利

TW202015238A 使用犧牲源極／汲極層增加的電晶體源極／汲極接觸面積审中-公开
简体标题：使用牺牲源极／汲极层增加的晶体管源极／汲极接触面积
公开(公告)号：TW202015238A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108117114
申请日：2019-05-17
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：克倫達克斯 , CRUM, DAX , 古哈比斯瓦吉 , GUHA, BISWAJEET , 許威廉 , HSU, WILLIAM , 賽亞史蒂芬 , CEA, STEPHEN , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L21/28
摘要：此處提供了使用犧牲S/D層的包含增加的電晶體源極/汲極(S/D)接觸面積的積體電路結構。在S/D材料的磊晶生長之前，將包含與S/D材料不同的材料的犧牲層沉積到S/D溝槽中，使得犧牲層用來作為在S/D材料之下的空間支架。在S/D接觸處理期間，可以相對於S/D材料選擇性地蝕刻犧牲層以至少部分地移除犧牲層，在S/D材料之下留下空間以使接觸金屬填充。在某些情況中，接觸金屬也在S/D材料的部分之間。在某些情況中，例如當採用S/D區的任一側上的介電質壁結構時，接觸金屬圍繞epi S/D。藉由增加S/D接觸面積，減小了接觸電阻，從而改善了電晶體裝置的性能。
简体摘要：此处提供了使用牺牲S/D层的包含增加的晶体管源极/汲极(S/D)接触面积的集成电路结构。在S/D材料的磊晶生长之前，将包含与S/D材料不同的材料的牺牲层沉积到S/D沟槽中，使得牺牲层用来作为在S/D材料之下的空间支架。在S/D接触处理期间，可以相对于S/D材料选择性地蚀刻牺牲层以至少部分地移除牺牲层，在S/D材料之下留下空间以使接触金属填充。在某些情况中，接触金属也在S/D材料的部分之间。在某些情况中，例如当采用S/D区的任一侧上的介电质壁结构时，接触金属围绕epi S/D。借由增加S/D接触面积，减小了接触电阻，从而改善了晶体管设备的性能。

2. 发明专利

TW201921455A 製造用於水平環繞式閘極元件的接面及間隔物之方法审中-公开
简体标题：制造用于水平环绕式闸极组件的接面及间隔物之方法
公开(公告)号：TW201921455A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129955
申请日：2018-08-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吉田尚美 , YOSHIDA, NAOMI , 董琳 , DONG, LIN , 孫世宇 , SUN, SHIYU , 金鳴淳 , KIM, MYUNGSUM , 金男成 , KIM, NAM SUNG , 凱爾西斯迪米崔 , KIOUSSIS, DIMITRI , 柯羅立克米克海爾 , KOROLIK, MIKHAIL , 桑托羅葛塔諾 , SANTORO, GAETANO , 佩納凡奈莎 , PENA, VANESSA
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/786
摘要：本揭示案提供用於形成水平環繞式閘極(horizontal gate-all-around; hGAA)結構元件的方法。在一個實例中，一種方法包括選擇性地及橫向地蝕刻多材料層中之第一層的第一組側壁，其中該多材料層包括重複成對的第一層與第二層，該第一及第二層分別具有第一組及第二組側壁，來自第一層之第一組側壁經由多材料層中界定之開口而曝露，及一組內部間隔物，其形成於來自第二層的第二組側壁頂部；自第一層之第一組側壁形成一凹槽，並界定自形成於第二層頂部的內部間隔物的外部垂直表面起向內的垂直壁；及自第一層之凹槽起形成磊晶矽層。
简体摘要：本揭示案提供用于形成水平环绕式闸极(horizontal gate-all-around; hGAA)结构组件的方法。在一个实例中，一种方法包括选择性地及横向地蚀刻多材料层中之第一层的第一组侧壁，其中该多材料层包括重复成对的第一层与第二层，该第一及第二层分别具有第一组及第二组侧壁，来自第一层之第一组侧壁经由多材料层中界定之开口而曝露，及一组内部间隔物，其形成于来自第二层的第二组侧壁顶部；自第一层之第一组侧壁形成一凹槽，并界定自形成于第二层顶部的内部间隔物的外部垂直表面起向内的垂直壁；及自第一层之凹槽起形成磊晶硅层。

3. 发明专利

TW201921454A 在FET元件的奈米通道結構中納入單擴散中斷之方法和裝置审中-公开
简体标题：在FET组件的奈米信道结构中纳入单扩散中断之方法和设备
公开(公告)号：TW201921454A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128577
申请日：2018-08-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：史密斯傑佛瑞 , SMITH, JEFFREY , 德維利耶安東 J , DEVILLIERS, ANTON J.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：形成半導體元件的方法包含設置起始結構，該起始結構包含其上具有與複數源極/汲極（S/D）區域交替配置之複數閘極區域的基板，其中閘極區域之各者包含奈米通道結構，該奈米通道結構具有由替換閘極圍繞的中間部分、及由個別閘極間隔件圍繞的相對端部分，使得奈米通道結構延伸穿過閘極區域的替換閘極和閘極間隔件。S/D區域的各者包含延伸穿過S/D區域的S/D結構，以連接分別設置在S/D區域之相對側上之第一和第二毗鄰閘極區域的奈米通道結構。將第一毗鄰閘極區域轉變成包含假性閘極結構的單擴散中斷，及將第二毗鄰閘極區域轉變成主動閘極，該主動閘極包含配置成在第二毗鄰閘極區域的奈米通道結構之內產生電流通道的主動閘極結構。
简体摘要：形成半导体组件的方法包含设置起始结构，该起始结构包含其上具有与复数源极/汲极（S/D）区域交替配置之复数闸极区域的基板，其中闸极区域之各者包含奈米信道结构，该奈米信道结构具有由替换闸极围绕的中间部分、及由个别闸极间隔件围绕的相对端部分，使得奈米信道结构延伸穿过闸极区域的替换闸极和闸极间隔件。S/D区域的各者包含延伸穿过S/D区域的S/D结构，以连接分别设置在S/D区域之相对侧上之第一和第二毗邻闸极区域的奈米信道结构。将第一毗邻闸极区域转变成包含假性闸极结构的单扩散中断，及将第二毗邻闸极区域转变成主动闸极，该主动闸极包含配置成在第二毗邻闸极区域的奈米信道结构之内产生电流信道的主动闸极结构。

4. 发明专利

TW201911568A 半導體裝置及電源轉換電路审中-公开
简体标题：半导体设备及电源转换电路
公开(公告)号：TW201911568A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107113382
申请日：2018-04-19
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：白井伸幸 , SHIRAI, NOBUYUKI , 松浦伸悌 , NOBUYOSHI, MATSUURA
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種半導體裝置。半導體裝置包括半導體基板、閘極電極、汲極電極及源極電極。閘極電極、汲極電極及源極電極形成於半導體基板上。源極電極的面積大於閘極電極的面積與汲極電極的面積。部分的源極電極呈現凸狀而設置於閘極電極與汲極電極之間。本發明的半導體裝置可維持開關切換時之各種特性並可高速進行開關切換。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备。半导体设备包括半导体基板、闸极电极、汲极电极及源极电极。闸极电极、汲极电极及源极电极形成于半导体基板上。源极电极的面积大于闸极电极的面积与汲极电极的面积。部分的源极电极呈现凸状而设置于闸极电极与汲极电极之间。本发明的半导体设备可维持开关切换时之各种特性并可高速进行开关切换。

5. 发明专利

TW201843838A 積體電路裝置及其製作方法审中-公开
简体标题：集成电路设备及其制作方法
公开(公告)号：TW201843838A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106140660
申请日：2017-11-23
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全輝璨 , JUN, HWI-CHAN , 申憲宗 , SHIN, HEON-JONG , 張在蘭 , JANG, JAE-RAN , 黃寅燦 , HWANG, IN-CHAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要：一種積體電路裝置及其製作方法。鰭型主動區在基底上在第一水平方向上延伸。閘極線在鰭型主動區上在與第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源極/汲極區在鰭型主動區中位於閘極線的一側。絕緣蓋平行於基底延伸，閘極線及源極/汲極區排列在絕緣蓋與基底之間。源極/汲極觸點垂直地延伸穿過絕緣蓋，源極/汲極觸點具有被絕緣蓋覆蓋的第一側壁及連接到源極/汲極區的端部。鰭隔離絕緣單元垂直地延伸穿過絕緣蓋而延伸到鰭型主動區中。源極/汲極區排列在鰭隔離絕緣單元與閘極線之間。
简体摘要：一种集成电路设备及其制作方法。鳍型主动区在基底上在第一水平方向上延伸。闸极线在鳍型主动区上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源极/汲极区在鳍型主动区中位于闸极线的一侧。绝缘盖平行于基底延伸，闸极线及源极/汲极区排列在绝缘盖与基底之间。源极/汲极触点垂直地延伸穿过绝缘盖，源极/汲极触点具有被绝缘盖覆盖的第一侧壁及连接到源极/汲极区的端部。鳍隔离绝缘单元垂直地延伸穿过绝缘盖而延伸到鳍型主动区中。源极/汲极区排列在鳍隔离绝缘单元与闸极线之间。

6. 发明专利

TW201838183A 參數放大器审中-公开
简体标题：参数放大器
公开(公告)号：TW201838183A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107105774
申请日：2018-02-21
申请人：澳洲商新南創新有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：豪斯馬修G , HOUSE, MATTHEW G
IPC分类号： H01L29/417 , H03B7/14
摘要：本揭示內容相關於可在存在磁場時使用的參數放大器。特定而言，本揭示內容相關於一種整合訊號放大器，包含：量子點；第一導電電極，設置以防止對量子點的電子穿隧；以及第二導電電極，設置以准許對量子點的這種電子穿隧。在震盪訊號被跨第一電極與第二電極施加時，跨第一電極與第二電極的等效電容在震盪訊號的頻率下震盪。
简体摘要：本揭示内容相关于可在存在磁场时使用的参数放大器。特定而言，本揭示内容相关于一种集成信号放大器，包含：量子点；第一导电电极，设置以防止对量子点的电子穿隧；以及第二导电电极，设置以准许对量子点的这种电子穿隧。在震荡信号被跨第一电极与第二电极施加时，跨第一电极与第二电极的等效电容在震荡信号的频率下震荡。

7. 发明专利

TW201834247A 具有多終端電晶體佈局的半導體元件审中-公开
简体标题：具有多终端晶体管布局的半导体组件
公开(公告)号：TW201834247A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106131487
申请日：2017-09-13
申请人：創王光電股份有限公司 , INT TECH CO., LTD.
发明人：鄭士嵩 , CHENG, SHIH-SONG
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78
摘要：本揭露係關於一種半導體元件。該半導體元件包含一閘極區域、一源極/汲極區域、以及位於該閘極區域與該源極/汲極區域之間的一絕緣層。該源極/汲極區域包含延伸於一第一方向的一第一區段、延伸平行於該第一區段的一第二區段、以及連接於該第一區段與該第二區段之間的一第三區段。
简体摘要：本揭露系关于一种半导体组件。该半导体组件包含一闸极区域、一源极/汲极区域、以及位于该闸极区域与该源极/汲极区域之间的一绝缘层。该源极/汲极区域包含延伸于一第一方向的一第一区段、延伸平行于该第一区段的一第二区段、以及连接于该第一区段与该第二区段之间的一第三区段。

8. 发明专利

TWI634377B 場效型電晶體及其製造方法、顯示元件、顯示裝置及系統有权
简体标题：场效型晶体管及其制造方法、显示组件、显示设备及系统
公开(公告)号：TWI634377B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106102167
申请日：2017-01-20
申请人：日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人：新江定憲 , ARAE, SADANORI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50

9. 发明专利

TW201826527A 用於自我對齊閘極邊緣（ＳＡＧＥ）架構之雙鰭端帽审中-公开
简体标题：用于自我对齐闸极边缘（ＳＡＧＥ）架构之双鳍端帽
公开(公告)号：TW201826527A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106128297
申请日：2017-08-21
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 歐雷瓦羅門 , OLAC-VAW, ROMAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：揭示用於自我對齊閘極邊緣架構的雙鰭端帽，以及製造用於自我對齊閘極邊緣結構之雙鰭端帽的方法。在實例中，半導體結構包括具有設置在基板上方並突出穿過溝槽隔離層之最上表面之第一多數半導體鰭片的I/O裝置。具有第二多數半導體鰭片的邏輯裝置設置在基板上方並突出穿過溝槽隔離層的最上表面。閘極邊緣隔離結構設置在I/O裝置與邏輯裝置之間。第一多數半導體鰭片的最靠近閘極邊緣隔離結構之半導體鰭片比第二多數半導體鰭片的最靠近閘極邊緣隔離結構之半導體鰭片更遠離閘極邊緣隔離結構。
简体摘要：揭示用于自我对齐闸极边缘架构的双鳍端帽，以及制造用于自我对齐闸极边缘结构之双鳍端帽的方法。在实例中，半导体结构包括具有设置在基板上方并突出穿过沟槽隔离层之最上表面之第一多数半导体鳍片的I/O设备。具有第二多数半导体鳍片的逻辑设备设置在基板上方并突出穿过沟槽隔离层的最上表面。闸极边缘隔离结构设置在I/O设备与逻辑设备之间。第一多数半导体鳍片的最靠近闸极边缘隔离结构之半导体鳍片比第二多数半导体鳍片的最靠近闸极边缘隔离结构之半导体鳍片更远离闸极边缘隔离结构。

10. 发明专利

TW201826494A 低耗電的半導體裝置审中-公开
简体标题：低耗电的半导体设备
公开(公告)号：TW201826494A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106131481
申请日：2017-09-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：羅安訓 , LO, AN-HSUN , 葉恩祥 , YEH, EN-HSIANG , 葉子禎 , YEH, TZU-JIN , 陳文生 , CHEN, WEN-SHENG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/417 , H01L21/768 , H01L21/02
摘要：一種放大單元包含一轉換器及一回饋機構。該轉換器具有耦合至一供應節點之一供應輸入。該轉換器進一步具有經組態以接收一輸入訊號之一輸入終端。該轉換器經組態以放大來自該輸入終端之該輸入訊號以產生一輸出訊號。該回饋機構耦合至該轉換器之該輸入終端，且經組態以基於該輸入訊號而引起一恆定偏壓電流自該供應節點流動通過該轉換器。
简体摘要：一种放大单元包含一转换器及一回馈机构。该转换器具有耦合至一供应节点之一供应输入。该转换器进一步具有经组态以接收一输入信号之一输入终端。该转换器经组态以放大来自该输入终端之该输入信号以产生一输出信号。该回馈机构耦合至该转换器之该输入终端，且经组态以基于该输入信号而引起一恒定偏压电流自该供应节点流动通过该转换器。

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