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1. 发明专利

TW201919171A 包含接觸插塞的半導體元件及其形成方法审中-公开
简体标题：包含接触插塞的半导体组件及其形成方法
公开(公告)号：TW201919171A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107118802
申请日：2018-05-31
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：郭玟燦 , GWAK, MIN CHAN , 全輝璨 , JUN, HWI CHAN , 申憲宗 , SHIN, HEON JONG , 劉素羅 , YOU, SO RA , 李相炫 , LEE, SANG HYUN , 黃寅燦 , HWANG, IN CHAN
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/768
摘要：一種半導體元件包含在基板上彼此間隔開且成直線地平行延伸之多個主動區。閘極電極跨越多個主動區，且對應的汲極區在閘極電極之第一側面上的主動區中之對應一個上及/或主動區中之對應一個中，且對應的源極區在閘極電極之第二側面上的主動區中之對應一個上及/或主動區中之對應一個中。汲極插塞設置於汲極區上且源極插塞設置於源極區上。閘極插塞設置於在汲極插塞與源極插塞之間的閘極電極上，以使得穿過汲極插塞之中心及源極插塞之中心的直線與閘極插塞相交。
简体摘要：一种半导体组件包含在基板上彼此间隔开且成直线地平行延伸之多个主动区。闸极电极跨越多个主动区，且对应的汲极区在闸极电极之第一侧面上的主动区中之对应一个上及/或主动区中之对应一个中，且对应的源极区在闸极电极之第二侧面上的主动区中之对应一个上及/或主动区中之对应一个中。汲极插塞设置于汲极区上且源极插塞设置于源极区上。闸极插塞设置于在汲极插塞与源极插塞之间的闸极电极上，以使得穿过汲极插塞之中心及源极插塞之中心的直线与闸极插塞相交。

2. 发明专利

TWI691077B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI691077B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105109784
申请日：2016-03-29
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴秀蕙 , PARK, SUEHYE , 金倫楷 , KIM, YOONHAE , 裵德漢 , BAE, DEOKHAN , 張在蘭 , JANG, JAERAN , 全輝璨 , JUN, HWICHAN
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/66

3. 发明专利

TW201904003A 具有金屬通孔的半導體裝置审中-公开
简体标题：具有金属通孔的半导体设备
公开(公告)号：TW201904003A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107118864
申请日：2018-06-01
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：洪瑟氣 , HONG, SEUL KI , 申憲宗 , SHIN, HEON JONG , 全輝璨 , JUN, HWI CHAN , 郭玟燦 , GWAK, MIN CHAN
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/528
摘要：一種半導體裝置包括基底，所述基底具有裝置隔離區，所述裝置隔離區界定主動區。主動鰭位於所述主動區中。閘極結構沿與所述基底的上表面正交的方向與所述主動鰭交疊，且在與第一方向相交的第二方向上延伸。源極/汲極區設置在所述主動鰭上。接觸塞連接到所述源極/汲極區且與所述主動鰭交疊。金屬通孔位於所述基底上方的比所述接觸塞的上表面高的第一水平高度且與所述主動鰭間隔開。金屬線位於所述基底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度且連接到所述金屬通孔。通孔連接層從所述接觸塞的上部部分延伸且連接到所述金屬通孔。
简体摘要：一种半导体设备包括基底，所述基底具有设备隔离区，所述设备隔离区界定主动区。主动鳍位于所述主动区中。闸极结构沿与所述基底的上表面正交的方向与所述主动鳍交叠，且在与第一方向相交的第二方向上延伸。源极/汲极区设置在所述主动鳍上。接触塞连接到所述源极/汲极区且与所述主动鳍交叠。金属通孔位于所述基底上方的比所述接触塞的上表面高的第一水平高度且与所述主动鳍间隔开。金属线位于所述基底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度且连接到所述金属通孔。通孔连接层从所述接触塞的上部部分延伸且连接到所述金属通孔。

4. 发明专利

TW201843838A 積體電路裝置及其製作方法审中-公开
简体标题：集成电路设备及其制作方法
公开(公告)号：TW201843838A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106140660
申请日：2017-11-23
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全輝璨 , JUN, HWI-CHAN , 申憲宗 , SHIN, HEON-JONG , 張在蘭 , JANG, JAE-RAN , 黃寅燦 , HWANG, IN-CHAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要：一種積體電路裝置及其製作方法。鰭型主動區在基底上在第一水平方向上延伸。閘極線在鰭型主動區上在與第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源極/汲極區在鰭型主動區中位於閘極線的一側。絕緣蓋平行於基底延伸，閘極線及源極/汲極區排列在絕緣蓋與基底之間。源極/汲極觸點垂直地延伸穿過絕緣蓋，源極/汲極觸點具有被絕緣蓋覆蓋的第一側壁及連接到源極/汲極區的端部。鰭隔離絕緣單元垂直地延伸穿過絕緣蓋而延伸到鰭型主動區中。源極/汲極區排列在鰭隔離絕緣單元與閘極線之間。
简体摘要：一种集成电路设备及其制作方法。鳍型主动区在基底上在第一水平方向上延伸。闸极线在鳍型主动区上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源极/汲极区在鳍型主动区中位于闸极线的一侧。绝缘盖平行于基底延伸，闸极线及源极/汲极区排列在绝缘盖与基底之间。源极/汲极触点垂直地延伸穿过绝缘盖，源极/汲极触点具有被绝缘盖覆盖的第一侧壁及连接到源极/汲极区的端部。鳍隔离绝缘单元垂直地延伸穿过绝缘盖而延伸到鳍型主动区中。源极/汲极区排列在鳍隔离绝缘单元与闸极线之间。

5. 发明专利

TW201806166A 包含接觸結構的半導體裝置审中-公开
简体标题：包含接触结构的半导体设备
公开(公告)号：TW201806166A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115405
申请日：2017-05-10
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全輝璨 , JUN, HWI CHAN , 金昶和 , KIM, CHANG HWA , 河大元 , HA, DAE WON
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L23/5226 , H01L27/0886
摘要：本發明提供一種包含接觸結構的半導體裝置。半導體裝置包含限定下部主動區的隔離區。第一源極/汲極區和第二源極/汲極區以及第一閘極電極和第二閘極電極在下部主動區上。第一源極/汲極區和第二源極/汲極區鄰近於彼此。第一閘極遮蓋圖案和第二閘極遮蓋圖案分別在第一閘極電極和第二閘極電極上。第一接觸結構和第二接觸結構分別在第一源極/汲極區和第二源極/汲極區上。下部絕緣圖案在第一源極/汲極區與第二源極/汲極區之間。上部絕緣圖案在第一接觸結構與第二接觸結構之間。氧化矽具有相對於形成上部絕緣圖案、第一閘極遮蓋圖案以及第二閘極遮蓋圖案的絕緣材料的蝕刻選擇性。
简体摘要：本发明提供一种包含接触结构的半导体设备。半导体设备包含限定下部主动区的隔离区。第一源极/汲极区和第二源极/汲极区以及第一闸极电极和第二闸极电极在下部主动区上。第一源极/汲极区和第二源极/汲极区邻近于彼此。第一闸极遮盖图案和第二闸极遮盖图案分别在第一闸极电极和第二闸极电极上。第一接触结构和第二接触结构分别在第一源极/汲极区和第二源极/汲极区上。下部绝缘图案在第一源极/汲极区与第二源极/汲极区之间。上部绝缘图案在第一接触结构与第二接触结构之间。氧化硅具有相对于形成上部绝缘图案、第一闸极遮盖图案以及第二闸极遮盖图案的绝缘材料的蚀刻选择性。

6. 发明专利

TW201814921A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201814921A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106116853
申请日：2017-05-22
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金孝眞 , KIM, HYO-JIN , 金昶和 , KIM, CHANG-HWA , 全輝璨 , JUN, HWI-CHAN , 朴哲弘 , PARK, CHUL-HONG , 梁在錫 , YANG, JAE-SEOK , 千寬永 , CHUN, KWAN-YOUNG
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/36
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/76895 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/785
摘要：本發明揭露一種半導體裝置以及一種製造半導體裝置的方法，所述裝置包括：閘極結構，位於基板上；源極/汲極層，位於所述基板的各自與所述閘極結構相鄰的部分上；第一接觸插塞，各自接觸所述源極/汲極層的上表面；第二接觸插塞，接觸所述閘極結構中的一者，所述第二接觸插塞的側壁被絕緣間隔壁覆蓋；以及第三接觸插塞，共同接觸所述閘極結構中的至少一者的上表面及所述第一接觸插塞中的至少一者，所述第三接觸插塞的側壁的至少一部分不被絕緣間隔壁覆蓋。
简体摘要：本发明揭露一种半导体设备以及一种制造半导体设备的方法，所述设备包括：闸极结构，位于基板上；源极/汲极层，位于所述基板的各自与所述闸极结构相邻的部分上；第一接触插塞，各自接触所述源极/汲极层的上表面；第二接触插塞，接触所述闸极结构中的一者，所述第二接触插塞的侧壁被绝缘间隔壁覆盖；以及第三接触插塞，共同接触所述闸极结构中的至少一者的上表面及所述第一接触插塞中的至少一者，所述第三接触插塞的侧壁的至少一部分不被绝缘间隔壁覆盖。

7. 发明专利

TW201709516A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201709516A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105109784
申请日：2016-03-29
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴秀蕙 , PARK, SUEHYE , 金倫楷 , KIM, YOONHAE , 裵德漢 , BAE, DEOKHAN , 張在蘭 , JANG, JAERAN , 全輝璨 , JUN, HWICHAN
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L27/092
摘要：本發明描述一種半導體裝置，其包含：基板，其具備主動圖案；跨所述主動圖案延伸的閘電極；分別在所述閘電極之間設置於所述主動圖案的上部部分中的源極/汲極區；以及第一接點及第二接點，所述第一接點及所述第二接點分別設置於所述閘電極之間且電連接至所述源極/汲極區。所述第一接點及所述第二接點是以接點的接點中心線與對應閘極中心線隔開第一距離及第二距離的方式安置。所述第一距離不同於所述第二距離。
简体摘要：本发明描述一种半导体设备，其包含：基板，其具备主动图案；跨所述主动图案延伸的闸电极；分别在所述闸电极之间设置于所述主动图案的上部部分中的源极/汲极区；以及第一接点及第二接点，所述第一接点及所述第二接点分别设置于所述闸电极之间且电连接至所述源极/汲极区。所述第一接点及所述第二接点是以接点的接点中心线与对应闸极中心线隔开第一距离及第二距离的方式安置。所述第一距离不同于所述第二距离。

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