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1. 发明专利

TWI700735B 元件晶片之製造方法有权
简体标题：组件芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI700735B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105103299
申请日：2016-02-02
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：田中圭 , TANAKA, KEI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/76 , H01L21/78 , H01L23/00

2. 发明专利

TWI695455B 半導體封裝及其製造方法有权
简体标题：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TWI695455B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105112247
申请日：2016-04-20
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：朴渊芝 , PARK, YEON JI , 白鉉知 , BAEK, HYEON JI , 李其勇 , LEE, KI YONG , 金宗鉉 , KIM, JONG HYUN
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/18

3. 发明专利

TWI693679B 電子封裝件有权
简体标题：电子封装件
公开(公告)号：TWI693679B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107127441
申请日：2018-08-07
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：方柏翔 , FANG, BO SIANG , 陳冠達 , CHEN, KUAN TA , 賴佳助 , LAI, CHIA CHU
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/58

4. 发明专利

TW202015095A 用於處理基板的背側之方法及工具审中-公开
简体标题：用于处理基板的背侧之方法及工具
公开(公告)号：TW202015095A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108133596
申请日：2016-11-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR , 史林尼法森史瓦米奈森T , SRINIVASAN, SWAMINATHAN T.
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3105 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L23/00 , H01L29/32
摘要：一般來說，本文所揭示之實施例與用於處理基板的底表面以抵消基板上的熱應力之方法及裝置有關。可將校正應變施加至基板的底表面，校正應變可補償基板的頂表面上之非期望的應變及變形。可藉由任意結合沉積、佈植、熱處理及蝕刻等方法在基板的背側上形成經特別設計的膜，以產生能補償基板的非所欲變形之應變。藉由局部改變氮化矽膜或碳膜的氫含量可導致局部應變。可藉由印刷、微影術或自組裝技術可形成結構。可藉由期望的應力地圖來決定對膜之層的處理，且所述處理可包括退火、佈植、熔融或其它熱處理。
简体摘要：一般来说，本文所揭示之实施例与用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力之方法及设备有关。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上之非期望的应变及变形。可借由任意结合沉积、布植、热处理及蚀刻等方法在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形之应变。借由局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可借由印刷、微影术或自组装技术可形成结构。可借由期望的应力地图来决定对膜之层的处理，且所述处理可包括退火、布植、熔融或其它热处理。

5. 发明专利

TWI688372B 具有基於聚矽氧之封裝黏著劑之電子裝置有权
简体标题：具有基于聚硅氧之封装黏着剂之电子设备
公开(公告)号：TWI688372B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW105113549
申请日：2016-04-29
申请人：美商維爾利生命科學有限公司 , VERILY LIFE SCIENCES LLC
发明人：佩品布萊恩馬克 , PEPIN, BRIAN MARC , 依特寇恩詹姆仕 , ETZKORN, JAMES
IPC分类号： A61B5/1477 , H01L21/56 , A61B5/00 , H01L23/29 , H01L23/00 , H01L21/48 , H01L23/31

6. 发明专利

TWI688049B 電子封裝件及其製法有权
简体标题：电子封装件及其制法
公开(公告)号：TWI688049B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107117046
申请日：2018-05-18
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：唐紹祖 , TANG, SHAO TZU , 陳美琪 , CHEN, MEI CHI , 陳敬佳 , CHEN, CHING CHIA , 呂金宇 , LU, CHIN YU
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/50 , G06K9/00

7. 实用新型

TWM591701U 整平結構及其扇出型面板級封裝設備有权
简体标题：整平结构及其扇出型皮肤级封装设备
公开(公告)号：TWM591701U
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108216795
申请日：2019-12-17
申请人：亞智科技股份有限公司
发明人：江家誼
IPC分类号： H01L21/67 , H01L23/00

8. 发明专利

TWI685001B 封裝基材及同軸金屬柱的製造方法有权
简体标题：封装基材及同轴金属柱的制造方法
公开(公告)号：TWI685001B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105119710
申请日：2016-06-23
申请人：胡迪群 , HU, DYI CHUNG
发明人：胡迪群 , HU, DYI CHUNG
IPC分类号： H01B11/18 , H01B13/016 , H01L21/027 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L23/498 , H05K1/11

9. 发明专利

TW201919278A 天線模組审中-公开
简体标题：天线模块
公开(公告)号：TW201919278A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107113052
申请日：2018-04-17
申请人：南韓商三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：金斗一 , KIM, DOO IL , 白龍浩 , BAEK, YONG HO , 朴振嫙 , PARK, JIN SEON , 許榮植 , HUR, YOUNG SIK
IPC分类号： H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q3/00 , H01L23/00
摘要：一種天線模組包括：扇出型半導體封裝，包括積體電路、包封體、核心構件以及連接構件，所述包封體包封積體電路的至少一部分，所述核心構件的第一側表面面對積體電路或包封體，所述連接構件包括電性連接至積體電路及核心構件的至少一配線層、及至少一絕緣層；以及天線封裝，包括被配置成傳送或接收第一射頻訊號的多個第一方向性天線構件。所述扇出型半導體封裝更包括至少一第二方向性天線構件，所述至少一第二方向性天線構件配置於核心構件的與核心構件的第一側表面相對的第二側表面上，自電性連接至至少一配線層的位置豎立，且被配置成傳送或接收第二射頻訊號。
简体摘要：一种天线模块包括：扇出型半导体封装，包括集成电路、包封体、内核构件以及连接构件，所述包封体包封集成电路的至少一部分，所述内核构件的第一侧表面面对集成电路或包封体，所述连接构件包括电性连接至集成电路及内核构件的至少一配线层、及至少一绝缘层；以及天线封装，包括被配置成发送或接收第一射频信号的多个第一方向性天线构件。所述扇出型半导体封装更包括至少一第二方向性天线构件，所述至少一第二方向性天线构件配置于内核构件的与内核构件的第一侧表面相对的第二侧表面上，自电性连接至至少一配线层的位置竖立，且被配置成发送或接收第二射频信号。

10. 发明专利

TW201911486A 具有環形中介件之半導體器件總成审中-公开
简体标题：具有环形中介件之半导体器件总成
公开(公告)号：TW201911486A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107120163
申请日：2018-06-12
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：金斯利湯瑪士 H , KINSLEY, THOMAS H.
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/16 , H01L25/065
摘要：本發明提供一種半導體器件封裝。該封裝可包含：位於一基板上之一半導體晶粒堆疊，該基板包含複數個電接觸件；及一環形中介件，其安置於該基板上方且圍繞該半導體晶粒堆疊。該環形中介件可包含各電耦合至該複數個電接觸件之至少一對應者之複數個電路元件。該封裝可進一步包含安置於該環形中介件及該半導體晶粒堆疊上方之一蓋子。
简体摘要：本发明提供一种半导体器件封装。该封装可包含：位于一基板上之一半导体晶粒堆栈，该基板包含复数个电接触件；及一环形中介件，其安置于该基板上方且围绕该半导体晶粒堆栈。该环形中介件可包含各电耦合至该复数个电接触件之至少一对应者之复数个电路组件。该封装可进一步包含安置于该环形中介件及该半导体晶粒堆栈上方之一盖子。

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