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1. 发明专利

TW201947629A 電子束設備审中-公开
简体标题：电子束设备
公开(公告)号：TW201947629A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108114996
申请日：2019-04-30
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：漢潘尼斯彼得保羅 , HEMPENIUS, PETER PAUL , 侯史文安東尹喬漢 , HOL, SVEN ANTOIN JOHAN , 克里莫斯馬丁法蘭絲貞努斯 , KREMERS, MAARTEN FRANS JANUS , 凡德葛羅斯亨利克斯馬丁尼斯約翰納司 , VAN DE GROES, HENRICUS MARTINUS JOHANNES , 波許尼爾喬漢尼斯馬利亞 , BOSCH, NIELS JOHANNES MARIA , 貝根馬歇爾考瑞德馬里 , BAGGEN, MARCEL KOENRAAD MARIE
IPC分类号： H01J37/06 , H01J37/10
摘要：本發明揭示一種電子束設備，工具包含經組態以將一電子束投影至一物件上之一電子光學系統、用以固持該物件之一物件台、及經組態以相對於該電子光學系統移動該物件台之一定位裝置。該定位裝置包含經組態以相對於該電子光學系統移動該物件台之一短衝程載物台及經組態以相對於該電子光學系統移動該短衝程載物台之一長衝程載物台。該電子束設備進一步包含一磁屏蔽件，以屏蔽該電子光學系統免於由該定位裝置產生之一磁擾動。該磁屏蔽件可配置於該定位裝置與該電子光學系統之間。
简体摘要：本发明揭示一种电子束设备，工具包含经组态以将一电子束投影至一对象上之一电子光学系统、用以固持该对象之一对象台、及经组态以相对于该电子光学系统移动该对象台之一定位设备。该定位设备包含经组态以相对于该电子光学系统移动该对象台之一短冲程载物台及经组态以相对于该电子光学系统移动该短冲程载物台之一长冲程载物台。该电子束设备进一步包含一磁屏蔽件，以屏蔽该电子光学系统免于由该定位设备产生之一磁扰动。该磁屏蔽件可配置于该定位设备与该电子光学系统之间。

2. 发明专利

TW201910932A 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法审中-公开
简体标题：多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TW201910932A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124005
申请日：2018-07-12
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/147 , H01J37/10 , H01J37/28
摘要：本發明的一個態樣，係提供一種於多射束描繪中即使當缺陷射束存在的情形下仍可抑制最大照射時間的增大之多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。　　本發明一個態樣之多帶電粒子束描繪裝置，具備：分配係數演算處理電路，使用可識別缺陷射束之缺陷射束資訊，對成為多帶電粒子束的設計上的照射位置之複數個設計網格的每一設計網格，對於實際的照射位置鄰近或略一致於該設計網格之剔除缺陷射束的3個以上的射束，以分配後的各分配劑量的重心位置及總和會一致於該設計網格位置及照射至該設計網格的預定劑量之方式，來演算用來分配照射至該設計網格的預定劑量之給該3個以上的射束的各射束之分配係數；及描繪機構，使用照射至各設計網格之預定劑量已各自被分配至相對應的3個以上的射束之多帶電粒子束，來對試料描繪圖樣。
简体摘要：本发明的一个态样，系提供一种于多射束描绘中即使当缺陷射束存在的情形下仍可抑制最大照射时间的增大之多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束描绘方法。　　本发明一个态样之多带电粒子束描绘设备，具备：分配系数演算处理电路，使用可识别缺陷射束之缺陷射束信息，对成为多带电粒子束的设计上的照射位置之复数个设计网格的每一设计网格，对于实际的照射位置邻近或略一致于该设计网格之剔除缺陷射束的3个以上的射束，以分配后的各分配剂量的重心位置及总和会一致于该设计网格位置及照射至该设计网格的预定剂量之方式，来演算用来分配照射至该设计网格的预定剂量之给该3个以上的射束的各射束之分配系数；及描绘机构，使用照射至各设计网格之预定剂量已各自被分配至相对应的3个以上的射束之多带电粒子束，来对试料描绘图样。

3. 发明专利

TWI641019B 電子束成像設備、使用一電子束之成像方法及雙威恩過濾器單色器有权
简体标题：电子束成像设备、使用一电子束之成像方法及双威恩过滤器单色器
公开(公告)号：TWI641019B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW104116703
申请日：2015-05-25
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：姜辛容 , JIANG, XINRONG , 韓立群 , HAN, LIQUN
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/10 , H01J37/06

4. 发明专利

TW201824331A 複合光束裝置审中-公开
简体标题：复合光束设备
公开(公告)号：TW201824331A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106125457
申请日：2017-07-28
申请人：日商日立高新技術科學股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION
发明人：麻畑達也 , ASAHATA, TATSUYA
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/28 , H01J37/30 , H01J37/10
摘要：本發明提供一種複合光束裝置，其在利用集束離子束對試樣進行截面加工之後利用其他光束對截面進行精加工時，能夠抑制來自電子束鏡筒的電場或磁場的洩漏所造成的影響或充電所造成的影響。本發明之複合光束裝置（100）具有：電子束鏡筒（10），其用於對試樣（200）照射電子束（10A）；集束離子束鏡筒（20），其用於對試樣照射集束離子束（20A）而形成截面；以及中性粒子束鏡筒（30），其加速電壓被設定得比集束離子束鏡筒低，用於對試樣照射中性粒子束（30A）而對截面進行精加工，電子束鏡筒、集束離子束鏡筒以及中性粒子束鏡筒被配置成各自的各照射光束在照射點P上交叉。
简体摘要：本发明提供一种复合光束设备，其在利用集束离子束对试样进行截面加工之后利用其他光束对截面进行精加工时，能够抑制来自电子束镜筒的电场或磁场的泄漏所造成的影响或充电所造成的影响。本发明之复合光束设备（100）具有：电子束镜筒（10），其用于对试样（200）照射电子束（10A）；集束离子束镜筒（20），其用于对试样照射集束离子束（20A）而形成截面；以及中性粒子束镜筒（30），其加速电压被设置得比集束离子束镜筒低，用于对试样照射中性粒子束（30A）而对截面进行精加工，电子束镜筒、集束离子束镜筒以及中性粒子束镜筒被配置成各自的各照射光束在照射点P上交叉。

5. 发明专利

TWI691997B 用於以初級帶電粒子小束陣列檢查樣本的帶電粒子束裝置及以帶電粒子小束陣列成像或照射樣本的方法有权
简体标题：用于以初级带电粒子小束数组检查样本的带电粒子束设备及以带电粒子小束数组成像或照射样本的方法
公开(公告)号：TWI691997B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW107122870
申请日：2018-07-03
申请人：德商ICT積體電路測試股份有限公司 , ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUR HALBLEITERPRUFTECHNIK MBH
发明人：布雷爾約翰 , BREUER, JOHN
IPC分类号： H01J37/10 , H01L21/66

6. 发明专利

TWI534849B 投影透鏡配置有权
简体标题：投影透镜配置
公开(公告)号：TWI534849B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW104101464
申请日：2009-04-15
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：馬可羅章賈克維藍 , WIELAND, MARCO JAN-JACO , 凡賓艾利克山德亨卓克文森 , VAN VEEN, ALEXANDER HENDRIK VINCENT
IPC分类号： H01J3/18 , H01J37/10
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3007 , H01J2237/0492 , H01J2237/10 , H01J2237/15

7. 发明专利

TW201611075A 利用雙威恩過濾器單色器之電子束成像审中-公开
简体标题：利用双威恩过滤器单色器之电子束成像
公开(公告)号：TW201611075A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104116703
申请日：2015-05-25
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：姜辛容 , JIANG, XINRONG , 韓立群 , HAN, LIQUN
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/10 , H01J37/06
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/05 , H01J37/06 , H01J37/10 , H01J37/28 , H01J2237/057
摘要：一項實施例係關於一種雙威恩過濾器單色器。一第一威恩過濾器使一電子束聚焦於一第一平面中，同時使該電子束在一第二平面中平行。一狹縫開口允許該電子束之具有在一能量範圍內之一能量的電子通過，同時阻擋該電子束之具有在該能量範圍之外之一能量的電子。一第二威恩過濾器使該電子束在該第二平面中平行的同時，使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行。亦揭示其他實施例、態樣及特徵。
简体摘要：一项实施例系关于一种双威恩过滤器单色器。一第一威恩过滤器使一电子束聚焦于一第一平面中，同时使该电子束在一第二平面中平行。一狭缝开口允许该电子束之具有在一能量范围内之一能量的电子通过，同时阻挡该电子束之具有在该能量范围之外之一能量的电子。一第二威恩过滤器使该电子束在该第二平面中平行的同时，使该电子束聚焦以变得在该第一平面中平行。亦揭示其他实施例、态样及特征。

8. 发明专利

TW201606843A 用於多束帶電粒子微影系統之裝置审中-公开
简体标题：用于多束带电粒子微影系统之设备
公开(公告)号：TW201606843A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104125995
申请日：2015-08-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王世奇 , WANG, SHIHCHI , 林本堅 , LIN, BURN JENG , 黃暉閔 , HUANG, HUI MIN , 許照榮 , SHIN, JAW JUNG , 林世杰 , LIN, SHY JAY , 簡聰智 , CHIEN, TSUNG CHIH
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/10 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/20 , H01J2237/0435 , H01J2237/1205
摘要：一種使用於多束帶電粒子微影系統之裝置包含平台、粒子投射源以及複數個帶電粒子雙合透鏡。粒子投射源用以製造子束。平台用以固定基板且使基板與粒子投射源的輸出產生相對運動。帶電粒子雙合透鏡分別具有第一開口，且分別用以縮小入射第一開口的子束，因而產生朝向平台的縮小子束。
简体摘要：一种使用于多束带电粒子微影系统之设备包含平台、粒子投射源以及复数个带电粒子双合透镜。粒子投射源用以制造子束。平台用以固定基板且使基板与粒子投射源的输出产生相对运动。带电粒子双合透镜分别具有第一开口，且分别用以缩小入射第一开口的子束，因而产生朝向平台的缩小子束。

9. 发明专利

TW202022503A 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法审中-公开
简体标题：多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TW202022503A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108136223
申请日：2019-10-07
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/147 , H01J37/10 , H01J37/28
摘要：本發明有關多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。本發明的一個態樣之多帶電粒子束描繪裝置，具備：區域設定部，設定建置的運用帶電粒子線之多射束照射機構中可照射的多射束全體的照射區域當中的中央部的區域，作為所使用的射束陣列的照射區域；及描繪機構，使用建置的前述多射束當中被設定的中央部的區域內的射束陣列，對試料描繪圖樣。
简体摘要：本发明有关多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束描绘方法。本发明的一个态样之多带电粒子束描绘设备，具备：区域设置部，设置建置的运用带电粒子线之多射束照射机构中可照射的多射束全体的照射区域当中的中央部的区域，作为所使用的射束数组的照射区域；及描绘机构，使用建置的前述多射束当中被设置的中央部的区域内的射束数组，对试料描绘图样。

10. 发明专利

TWI684072B 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法有权
简体标题：多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TWI684072B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107124005
申请日：2018-07-12
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/147 , H01J37/10 , H01J37/28

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