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1. 发明专利

TWI509653B 多帶電粒子束裝置與建構具有觀測試片之表面所需複數個功能之裝置的方法有权
简体标题：多带电粒子束设备与建构具有观测试片之表面所需复数个功能之设备的方法
公开(公告)号：TWI509653B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW103129772
申请日：2014-08-29
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION INC.
发明人：陳仲瑋 , CHEN, ZHONG-WEI , 任偉明 , REN, WEI-MING , 胡學讓 , HU, XUE-RANG , 劉學東 , LIU, XUE-DONG
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/141
CPC分类号： H01J37/141 , H01J37/145 , H01J37/28 , H01J2237/141 , H01J2237/1415 , H01J2237/15 , H01J2237/281 , H01J2237/2817

2. 发明专利

TW201541504A 離子植入裝置及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TW201541504A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104109747
申请日：2015-03-26
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 石川雅基 , ISHIKAWA, MASAKI , 上野勇介 , UENO, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J37/1471 , H01J37/1474 , H01J37/244 , H01J37/3045 , H01J2237/14 , H01J2237/15 , H01J2237/31701
摘要：本發明提供一種可減小向被處理物進行植入時的植入角度誤差之離子植入裝置及離子植入方法。離子植入裝置(100)的射束線部具備轉向電磁鐵(30)、射束掃描器(34)及射束平行化器(36)。射束線部包含離子束的基準軌道，z方向表示沿基準軌道之方向，x方向表示與z方向正交之一個方向。轉向電磁鐵(30)使離子束向x方向偏向。射束掃描器(34)藉由使離子束向x方向往複偏向，來掃描離子束。射束平行化器(36)具備平行化透鏡，該平行化透鏡構成為使經掃描之離子束與z方向平行，平行化透鏡在射束掃描器(34)的掃描原點處具有焦點。控制部(104)對轉向電磁鐵(30)中x方向的偏向角度進行補正，以使偏向之離子束的實際軌道在xz面上於掃描原點處與基準軌道交叉。
简体摘要：本发明提供一种可减小向被处理物进行植入时的植入角度误差之离子植入设备及离子植入方法。离子植入设备(100)的射束线部具备转向电磁铁(30)、射束扫描仪(34)及射束平行化器(36)。射束线部包含离子束的基准轨道，z方向表示沿基准轨道之方向，x方向表示与z方向正交之一个方向。转向电磁铁(30)使离子束向x方向偏向。射束扫描仪(34)借由使离子束向x方向往复偏向，来扫描离子束。射束平行化器(36)具备平行化透镜，该平行化透镜构成为使经扫描之离子束与z方向平行，平行化透镜在射束扫描仪(34)的扫描原点处具有焦点。控制部(104)对转向电磁铁(30)中x方向的偏向角度进行补正，以使偏向之离子束的实际轨道在xz面上于扫描原点处与基准轨道交叉。

3. 发明专利

TW201539517A 帶電粒子束裝置、帶電粒子束裝置之控制方法及剖面加工觀察裝置审中-公开
简体标题：带电粒子束设备、带电粒子束设备之控制方法及剖面加工观察设备
公开(公告)号：TW201539517A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104101176
申请日：2015-01-14
申请人：日立高新技術科學股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION
发明人：上本敦 , UEMOTO, ATSUSHI , MAN, XIN , 麻畑達也 , ASAHATA, TATSUYA
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/265 , H01J2237/15 , H01J2237/30483
摘要：提供可使用少的位元數之DAC(數位/類比轉換器)而提高加工精度的剖面加工觀察裝置。本發明的剖面加工觀察裝置(100)，係具備：就帶電粒子束產生聚焦部及偏向器作控制，具有將所輸入之數位信號轉換成輸入於偏向器的類比信號的DAC之離子束控制部(11)；及基於切片量之設定值而設定取決於偏向器的掃描之帶電粒子束的視野之值的FOV(視野)設定部(14-1)。
简体摘要：提供可使用少的比特数之DAC(数码/模拟转换器)而提高加工精度的剖面加工观察设备。本发明的剖面加工观察设备(100)，系具备：就带电粒子束产生聚焦部及偏向器作控制，具有将所输入之数码信号转换成输入于偏向器的模拟信号的DAC之离子束控制部(11)；及基于切片量之设置值而设置取决于偏向器的扫描之带电粒子束的视野之值的FOV(视野)设置部(14-1)。

4. 发明专利

TW201506390A 電子射線裝置失效
简体标题：电子射线设备
公开(公告)号：TW201506390A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103134994
申请日：2006-02-17
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：中筋護 , NAKASUJI, MAMORU , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU , 佐竹徹 , SATAKE, TOHRU , 曾布川拓司 , SOBUKAWA, HIROSI
IPC分类号： G01N23/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/244 , G01N23/225 , G02F2001/136254 , H01J37/226 , H01J2237/15 , H01J2237/2482 , H01J2237/2817 , H01L27/146 , H01L27/14601
摘要：本發明的目的係提供一種電子射線裝置，其係將評估區域分割成複數個副視野，並將1次電子射線依序照射於副視野，且依各個副視野，利用檢測手段將包含試料面之資訊的2次電子進行檢測，從而得到評估區域的資訊之電子射線裝置，其係即使使用圖框數/sec小的區域感測器亦可得到高速的畫像者。為此，電子射線裝置之檢測手段26係具備有複數個單元檢測器24-1，其係由下述構件所構成：區域感測器CCD1至CCD14；其一端結合於區域感測器之檢測面之光纖束25；以及形成有塗布在光纖束之另一端、且用以成像副視野的2次電子射線之閃爍體的FOP。藉由電磁偏向器，每當照射電子射線之副視野移動時，使來自該副視野之2次電子射線偏向，並使之移動於單元檢測器之FOP面上。由於自各單元檢測器，可於其他之單元檢測器的曝光中可取出畫像資訊，故可取得高速畫像。
简体摘要：本发明的目的系提供一种电子射线设备，其系将评估区域分割成复数个副视野，并将1次电子射线依序照射于副视野，且依各个副视野，利用检测手段将包含试料面之信息的2次电子进行检测，从而得到评估区域的信息之电子射线设备，其系即使使用图框数/sec小的区域传感器亦可得到高速的画像者。为此，电子射线设备之检测手段26系具备有复数个单元检测器24-1，其系由下述构件所构成：区域传感器CCD1至CCD14；其一端结合于区域传感器之检测面之光纤束25；以及形成有涂布在光纤束之另一端、且用以成像副视野的2次电子射线之闪烁体的FOP。借由电磁偏向器，每当照射电子射线之副视野移动时，使来自该副视野之2次电子射线偏向，并使之移动於单元检测器之FOP面上。由于自各单元检测器，可于其他之单元检测器的曝光中可取出画像信息，故可取得高速画像。

5. 发明专利

TW201307833A 電子射線裝置审中-公开
简体标题：电子射线设备
公开(公告)号：TW201307833A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101142358
申请日：2006-02-17
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：中筋護 , NAKASUJI, MAMORU , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU , 佐竹徹 , SATAKE, TOHRU , 曾布川拓司 , SOBUKAWA, HIROSI
IPC分类号： G01N23/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/244 , G01N23/225 , G02F2001/136254 , H01J37/226 , H01J2237/15 , H01J2237/2482 , H01J2237/2817 , H01L27/146 , H01L27/14601
摘要：本發明的目的係提供一種電子射線裝置，其係將評估區域分割成複數個副視野，並將1次電子射線依序照射於副視野，且依各個副視野，利用檢測手段將包含試料面之資訊的2次電子進行檢測，從而得到評估區域的資訊之電子射線裝置，其係即使使用圖框數/sec小的區域感測器亦可得到高速的畫像者。為此，電子射線裝置之檢測手段26係具備有複數個單元檢測器24-1，其係由下述構件所構成：區域感測器CCD1至CCD14；其一端結合於區域感測器之檢測面之光纖束25；以及形成有塗布在光纖束之另一端、且用以成像副視野的2次電子射線之閃爍體的FOP。藉由電磁偏向器，每當照射電子射線之副視野移動時，使來自該副視野之2次電子射線偏向，並使之移動於單元檢測器之FOP面上。由於自各單元檢測器，可於其他之單元檢測器的曝光中可取出畫像資訊，故可取得高速畫像。
简体摘要：本发明的目的系提供一种电子射线设备，其系将评估区域分割成复数个副视野，并将1次电子射线依序照射于副视野，且依各个副视野，利用检测手段将包含试料面之信息的2次电子进行检测，从而得到评估区域的信息之电子射线设备，其系即使使用图框数/sec小的区域传感器亦可得到高速的画像者。为此，电子射线设备之检测手段26系具备有复数个单元检测器24-1，其系由下述构件所构成：区域传感器CCD1至CCD14；其一端结合于区域传感器之检测面之光纤束25；以及形成有涂布在光纤束之另一端、且用以成像副视野的2次电子射线之闪烁体的FOP。借由电磁偏向器，每当照射电子射线之副视野移动时，使来自该副视野之2次电子射线偏向，并使之移动於单元检测器之FOP面上。由于自各单元检测器，可于其他之单元检测器的曝光中可取出画像信息，故可取得高速画像。

6. 发明专利

TW201003713A 小束遮沒器配置 BEAMLET BLANKER ARRANGEMENT 审中-公开
简体标题：小束遮没器配置 BEAMLET BLANKER ARRANGEMENT
公开(公告)号：TW201003713A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098112445
申请日：2009-04-15
申请人：瑪波微影IP公司
发明人：維藍馬可羅章賈克 , 凡賓艾利克山德亨卓克文森
IPC分类号： H01J , G03F , H01L
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3007 , H01J2237/0492 , H01J2237/10 , H01J2237/15
摘要：本發明關於一種運用複數個小束以曝光目標之帶電粒子多小束平版印刷系統。該種系統具有一束產生器、一小束遮沒器及一小束投射器。該束產生器構成以產生複數個帶電粒子小束。構成該小束遮沒器以圖案化該等小束。構成該小束投射器以投射該等圖案化的小束至該目標表面。該種系統係更包含一偏轉裝置。該偏轉裝置具有複數個記憶體單元。各個記憶體單元設有一儲存元件且為連接至一偏轉器之一切換電極。
简体摘要：本发明关于一种运用复数个小束以曝光目标之带电粒子多小束平版印刷系统。该种系统具有一束产生器、一小束遮没器及一小束投射器。该束产生器构成以产生复数个带电粒子小束。构成该小束遮没器以图案化该等小束。构成该小束投射器以投射该等图案化的小束至该目标表面。该种系统系更包含一偏转设备。该偏转设备具有复数个内存单元。各个内存单元设有一存储组件且为连接至一偏转器之一切换电极。

7. 发明专利

TW556245B 粒子光學透鏡配置及應用此透鏡配置的方法失效
简体标题：粒子光学透镜配置及应用此透镜配置的方法
公开(公告)号：TW556245B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW091103208
申请日：2002-02-22
申请人：卡爾塞斯半導體製造科技公司
发明人：安德烈斯威肯梅耶
IPC分类号： H01J
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2037 , H01J37/147 , H01J37/3174 , H01J2237/15 , H01J2237/1534
摘要：一種透鏡配置能將一要被顯像並可定位於一物面(27)中之一物(23)，以粒子光學投影於像區(31)中，乃包含：
一第一聚焦透鏡裝置(55)可提供一對顯像粒子具有聚焦功能的作用場，來將該物由該物區(27)投影於一中間像區(59)；
一第二聚焦透鏡裝置(57)可提供一對顯像粒子具有聚焦功能的另一作用場，來將已被投影於該中間像區之該物(23)顯像於該像區(31)中；及
一偏轉透鏡裝置(63)可提供一作用場，其對在該中間像區(59)之一區域中的顯像粒子具有偏轉的功能。該偏轉透鏡裝置係被設在該中間像區處，而可初步地補償例如像場彎曲之像差者。
简体摘要：一种透镜配置能将一要被显像并可定位于一物面(27)中之一物(23)，以粒子光学投影于像区(31)中，乃包含：一第一聚焦透镜设备(55)可提供一对显像粒子具有聚焦功能的作用场，来将该物由该物区(27)投影于一中间像区(59)；一第二聚焦透镜设备(57)可提供一对显像粒子具有聚焦功能的另一作用场，来将已被投影于该中间像区之该物(23)显像于该像区(31)中；及一偏转透镜设备(63)可提供一作用场，其对在该中间像区(59)之一区域中的显像粒子具有偏转的功能。该偏转透镜设备系被设在该中间像区处，而可初步地补偿例如像场弯曲之像差者。

8. 发明专利

TWI598955B 等離子蝕刻裝置有权
简体标题：等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TWI598955B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102134536
申请日：2013-09-25
申请人： SPP科技股份有限公司 , SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：山本孝 , YAMAMOTO, TAKASHI , 太田和也 , OTA, KAZUYA , 笹倉昌浩 , SASAKURA, MASAHIRO , 林靖之 , HAYASHI, YASUYUKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32458 , H01J37/32568 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/0656 , H01J2237/15 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H05H1/46 , H05H2001/4667

9. 发明专利

TW201543527A 標靶裝置，微影設備，及物件製造方法审中-公开
简体标题：标靶设备，微影设备，及对象制造方法
公开(公告)号：TW201543527A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104114054
申请日：2015-05-01
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：雨宮光陽 , AMEMIYA, MITSUAKI
IPC分类号： H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J37/045 , H01J37/1474 , H01J37/20 , H01J37/3045 , H01J2237/043 , H01J2237/063 , H01J2237/15 , H01J2237/303 , H01J2237/30444
摘要：一種用來將入射於其上的帶電粒子散射的標靶裝置被提出，該裝置包含一基座；一參考記號，其被設置在該基座上且在其內的帶電粒子的範圍小於在該基座內的帶電粒子的範圍；及一屏蔽，其被設置在該基座上除了該參考記號所在處以外的地方且在其內的帶電粒子的範圍小於在該基座內的帶電粒子的範圍。
简体摘要：一种用来将入射于其上的带电粒子散射的标靶设备被提出，该设备包含一基座；一参考记号，其被设置在该基座上且在其内的带电粒子的范围小于在该基座内的带电粒子的范围；及一屏蔽，其被设置在该基座上除了该参考记号所在处以外的地方且在其内的带电粒子的范围小于在该基座内的带电粒子的范围。

10. 发明专利

TW201334017A 具有改善的生產率和均勻性的離子佈植的系統和方法审中-公开
简体标题：具有改善的生产率和均匀性的离子布植的系统和方法
公开(公告)号：TW201334017A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101147347
申请日：2012-12-13
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：艾斯能愛德華 , EISNER, EDWARD , 梵德伯格寶 , VANDERBERG, BO
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/15 , H01J2237/24405 , H01J2237/24514 , H01J2237/31703
摘要：披露了一種掃描系統，其包括掃描元件、射束探查器、分析系統以及ZFE限制元件。該掃描元件被配置成掃描離子束掃描路徑上的離子束。該射束探查器隨著離子束在離子束掃描路徑上掃描時來測量離子束的射束電流，並且該分析系統分析測得的射束電流以檢測ZFE條件。以是否ZFE條件被檢測為依據，位於該射束探查器的上游並經由反饋路徑被耦合到該分析系統的該ZFE限制元件被配置成選擇性地施加電場至經掃描的離子束。經選擇性地施加的電場誘導在經掃描射束中的變化以限制ZFE條件。
简体摘要：披露了一种扫描系统，其包括扫描组件、射束探查器、分析系统以及ZFE限制组件。该扫描组件被配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。该射束探查器随着离子束在离子束扫描路径上扫描时来测量离子束的射束电流，并且该分析系统分析测得的射束电流以检测ZFE条件。以是否ZFE条件被检测为依据，位于该射束探查器的上游并经由反馈路径被耦合到该分析系统的该ZFE限制组件被配置成选择性地施加电场至经扫描的离子束。经选择性地施加的电场诱导在经扫描射束中的变化以限制ZFE条件。

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