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1. 发明专利

TWI578348B 陶瓷電子零件之製造方法、位置測定裝置及方法、以及標記形成裝置及方法有权
简体标题：陶瓷电子零件之制造方法、位置测定设备及方法、以及标记形成设备及方法
公开(公告)号：TWI578348B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW100136253
申请日：2011-10-06
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：橫田市雄 , YOKOTA, ICHIO , 高島寬和 , TAKASHIMA, HIROKAZU
IPC分类号： H01G4/30 , G01N23/04 , G01B15/00

2. 发明专利

TWI576581B 測量系統及測量方法有权
简体标题：测量系统及测量方法
公开(公告)号：TWI576581B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104113318
申请日：2015-04-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：堀田尚二 , HOTTA, SHOJI , 川田洋揮 , KAWADA, HIROKI , 井上修 , INOUE, OSAMU
IPC分类号： G01N23/225 , G03F7/20 , G01B15/00
CPC分类号： H01J37/28 , G01B15/04 , G03F7/70633 , G03F9/7061 , H01J37/22 , H01J2237/2803

3. 发明专利

TW201629431A 度量衡方法、度量衡裝置及元件製造方法审中-公开
简体标题：度量衡方法、度量衡设备及组件制造方法
公开(公告)号：TW201629431A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105102097
申请日：2016-01-22
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD
IPC分类号： G01B15/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要：藉由為一微影製造系統之部分之一微影裝置(LA)將一圖案施覆至一基板(W)。產生具有大小小於10nm之特徵的結構。目標包含具有一週期性方向(D)之光柵。一偵測器406捕獲一或多個繞射光譜以實施一小角度X射線散射(T-SAXS)度量衡。自所捕獲之該光譜(例如)藉由重新建構計算諸如線寬(CD)之性質。當投影至該基板之一平面上時，該輻照方向相對於與該基板垂直之一方向(N)定義一非零極角(θ)且相對於該週期性方向(D)定義一非零方位角(φ)。藉由選擇一合適方位角，可藉由一重要因素提高該目標之該繞射效率。此允許量測時間相較於已知技術顯著減少。
简体摘要：借由为一微影制造系统之部分之一微影设备(LA)将一图案施覆至一基板(W)。产生具有大小小于10nm之特征的结构。目标包含具有一周期性方向(D)之光栅。一侦测器406捕获一或多个绕射光谱以实施一小角度X射线散射(T-SAXS)度量衡。自所捕获之该光谱(例如)借由重新建构计算诸如线宽(CD)之性质。当投影至该基板之一平面上时，该辐照方向相对于与该基板垂直之一方向(N)定义一非零极角(θ)且相对于该周期性方向(D)定义一非零方位角(φ)。借由选择一合适方位角，可借由一重要因素提高该目标之该绕射效率。此允许量测时间相较于已知技术显着减少。

4. 发明专利

TW201544790A 用於微影設備之基於鑽石的監測設備，及一包含基於鑽石的監測設備之微影設備审中-公开
简体标题：用于微影设备之基于钻石的监测设备，及一包含基于钻石的监测设备之微影设备
公开(公告)号：TW201544790A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104113972
申请日：2015-04-30
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：高德福萊德荷曼菲力普 , GODFRIED, HERMAN PHILIP
IPC分类号： G01B15/00 , G03F7/22
CPC分类号： G01J1/58 , G01J1/4257 , G01J1/429 , G03F7/70558 , G03F7/70616 , G03F7/7085
摘要：本發明揭示一種包含一監測設備之微影設備及一種相關聯的監測設備。該監測設備經組態以用於監測一第一波長之第一輻射。該監測設備包含：一第一感測器設備，其包含一鑽石螢光材料，該鑽石螢光材料經組態以吸收該第一輻射且發射表示該第一輻射之第二輻射，該第二輻射具有一第二波長；及一第二感測器設備，其經組態以感測該第二輻射。
简体摘要：本发明揭示一种包含一监测设备之微影设备及一种相关联的监测设备。该监测设备经组态以用于监测一第一波长之第一辐射。该监测设备包含：一第一传感器设备，其包含一钻石萤光材料，该钻石萤光材料经组态以吸收该第一辐射且发射表示该第一辐射之第二辐射，该第二辐射具有一第二波长；及一第二传感器设备，其经组态以传感该第二辐射。

5. 发明专利

TW201515128A 併合成像及散射測量靶审中-公开
简体标题：并合成像及散射测量靶
公开(公告)号：TW201515128A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103121263
申请日：2014-06-19
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：崔東燮 , CHOI, DONGSUB , 伊茲卡維奇托爾 , ITZKOVICH, TAL , 田大衛 , TIEN, DAVID
IPC分类号： H01L21/66 , G01B11/00 , G01B15/00 , G01N21/84 , G01N23/225
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/93 , G01N21/956 , G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要：本發明提供計量靶、設計檔案及其設計及產生方法。該等計量靶係併合的，此乃因其包括經組態以可藉由成像量測之至少一個成像靶結構及經組態以可藉由散射測量量測之至少一個散射測量靶結構。因此，可同時或交替地藉由成像及散射測量來量測該等併合靶及/或可關於晶圓區域及其他空間參數以及關於時間程序參數最佳化該等量測技術。該等併合靶可用於舉例而言經由比較疊對量測及/或高解析度量測監視程序參數。
简体摘要：本发明提供计量靶、设计文档及其设计及产生方法。该等计量靶系并合的，此乃因其包括经组态以可借由成像量测之至少一个成像靶结构及经组态以可借由散射测量量测之至少一个散射测量靶结构。因此，可同时或交替地借由成像及散射测量来量测该等并合靶及/或可关于晶圆区域及其他空间参数以及关于时间进程参数最优化该等量测技术。该等并合靶可用于举例而言经由比较叠对量测及/或高分辨率量测监视进程参数。

6. 发明专利

TW201432253A 帶電粒子束裝置及其缺陷分析方法审中-公开
简体标题：带电粒子束设备及其缺陷分析方法
公开(公告)号：TW201432253A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102140091
申请日：2013-11-05
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小原健二 , OBARA, KENJI , 梅原諭 , UMEHARA, SATOSHI , 鈴木直正 , SUZUKI, NAOMASA
IPC分类号： G01N23/22 , G01B15/00
CPC分类号： H01J37/28 , G01N23/225 , G01N2223/6116 , G01N2223/646 , H01J37/06 , H01J37/1472 , H01J37/20 , H01J37/3178 , H01J2237/15 , H01J2237/2007 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817
摘要： [課題]能夠對具有各種形狀的缺陷，自動地設定適當的分析位置。[解決手段]本發明之帶電粒子束裝置為了解決上述課題，其特徵為具有：射出電子束的電子源；和使從該電子源射出的上述電子束收斂的聚光透鏡；和變更以該聚光透鏡被收斂的上述電子束之位置的偏向手段；和使以該偏向手段被變更的上述電子束聚焦而照射至被檢查對象物的接物鏡；和搭載上述被檢查對象物的試料台；和根據藉由上述電子束之照射而從上述被檢查對象物之缺陷部分被釋放出之元素資訊來分析缺陷的缺陷分析手段，上述缺陷分析手段係從以該缺陷分析手段判定為一個缺陷之缺陷區域之中，根據缺陷之形狀來決定分析點。
简体摘要： [课题]能够对具有各种形状的缺陷，自动地设置适当的分析位置。[解决手段]本发明之带电粒子束设备为了解决上述课题，其特征为具有：射出电子束的电子源；和使从该电子源射出的上述电子束收敛的聚光透镜；和变更以该聚光透镜被收敛的上述电子束之位置的偏向手段；和使以该偏向手段被变更的上述电子束聚焦而照射至被检查对象物的接物镜；和搭载上述被检查对象物的试料台；和根据借由上述电子束之照射而从上述被检查对象物之缺陷部分被释放出之元素信息来分析缺陷的缺陷分析手段，上述缺陷分析手段系从以该缺陷分析手段判定为一个缺陷之缺陷区域之中，根据缺陷之形状来决定分析点。

7. 发明专利

TW201414986A 重疊誤差測定裝置及使圖案測定實行於電腦的電腦程式审中-公开
简体标题：重叠误差测定设备及使图案测定实行于电脑的电脑进程
公开(公告)号：TW201414986A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102119149
申请日：2013-05-30
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：山口聡 , YAMAGUCHI, SATORU , 酒井計 , SAKAI, KEI , 井上修 , INOUE, OSAMU , 平尾和之 , HIRAO, KAZUYUKI , 小室修 , KOMURO, OSAMU
IPC分类号： G01B15/00 , G01B15/04 , H01L21/66
CPC分类号： G01B15/00 , G03F7/70633 , H01J37/26 , H01J2237/221 , H01J2237/24578 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要：本發明是以提供一種即使下層圖案被配置於薄膜下，無法確保充分的訊號量時，還是可高精度地進行重疊誤差測定之重疊誤差測定裝置為目的。其解決手段，本發明提案一種重疊誤差測定裝置，係具備：根據藉由荷電粒子線裝置所取得的訊號波形來進行試料上所形成的圖案的測定的運算處理裝置，前述運算處理裝置係利用根據前述訊號波形的部分的抽出所取得的部分波形來求取與前述訊號波形的相關，形成顯示該相關的相關分布，利用該相關分布來實行重疊誤差測定。
简体摘要：本发明是以提供一种即使下层图案被配置于薄膜下，无法确保充分的信号量时，还是可高精度地进行重叠误差测定之重叠误差测定设备为目的。其解决手段，本发明提案一种重叠误差测定设备，系具备：根据借由荷电粒子线设备所取得的信号波形来进行试料上所形成的图案的测定的运算处理设备，前述运算处理设备系利用根据前述信号波形的部分的抽出所取得的部分波形来求取与前述信号波形的相关，形成显示该相关的相关分布，利用该相关分布来实行重叠误差测定。

8. 发明专利

TWI621190B 併合成像及散射測量靶有权
简体标题：并合成像及散射测量靶
公开(公告)号：TWI621190B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103121263
申请日：2014-06-19
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：崔東燮 , CHOI, DONGSUB , 伊茲卡維奇托爾 , ITZKOVICH, TAL , 田大衛 , TIEN, DAVID
IPC分类号： H01L21/66 , G01B11/00 , G01B15/00 , G01N21/84 , G01N23/225
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/93 , G01N21/956 , G03F7/70633 , G03F7/70683

9. 发明专利

TW201723424A 用於模擬輻射與結構互動之方法及設備、度量衡方法及設備、元件製造方法审中-公开
简体标题：用于仿真辐射与结构交互之方法及设备、度量衡方法及设备、组件制造方法
公开(公告)号：TW201723424A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132717
申请日：2016-10-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：帕薩瑞可馬克辛 , PISARENCO, MAXIM , 昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 凡可拉吉馬可斯傑拉度馬堤司瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
IPC分类号： G01B15/00 , G01N23/201 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70625 , G01B15/00 , G01N23/201 , G01N2223/501 , G03F7/705
摘要：運用例如在x射線或EUV波帶內之輻射來輻照一所關注結構，且藉由一偵測器(306)偵測散射輻射。一處理器(308)藉由模擬輻射與一結構互動且比較該經模擬互動與該經偵測輻射來計算諸如線寬(CD)之一屬性。在一數值方法中使用一分層結構模型(600、610)以表示該結構。該結構模型針對該結構之每一層定義一均質背景電容率且針對至少一個層定義一非均質對比度電容率。該方法將馬克士威方程式用於波恩近似中，藉此該對比度電容率與總場之一乘積係藉由該對比度電容率與背景場之一乘積近似。一計算複雜度相比於已知方法縮減若干數量級。
简体摘要：运用例如在x射线或EUV波带内之辐射来辐照一所关注结构，且借由一侦测器(306)侦测散射辐射。一处理器(308)借由仿真辐射与一结构交互且比较该经仿真交互与该经侦测辐射来计算诸如线宽(CD)之一属性。在一数值方法中使用一分层结构模型(600、610)以表示该结构。该结构模型针对该结构之每一层定义一均质背景电容率且针对至少一个层定义一非均质对比度电容率。该方法将马克士威方进程用于波恩近似中，借此该对比度电容率与总场之一乘积系借由该对比度电容率与背景场之一乘积近似。一计算复杂度相比于已知方法缩减若干数量级。

10. 发明专利

TWI572844B 用於微影設備之基於鑽石的監測設備，及一包含基於鑽石的監測設備之微影設備有权
简体标题：用于微影设备之基于钻石的监测设备，及一包含基于钻石的监测设备之微影设备
公开(公告)号：TWI572844B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104113972
申请日：2015-04-30
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：高德福萊德荷曼菲力普 , GODFRIED, HERMAN PHILIP
IPC分类号： G01B15/00 , G03F7/22
CPC分类号： G01J1/58 , G01J1/4257 , G01J1/429 , G03F7/70558 , G03F7/70616 , G03F7/7085

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