专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI668335B 電鍍裝置及電鍍方法有权
简体标题：电镀设备及电镀方法
公开(公告)号：TWI668335B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107129302
申请日：2018-08-22
申请人：華紹國際有限公司 , HUASHO INTERNATIONAL CORP.
发明人：李勤東 , LEE, CHIN TUNG , 呂政修 , LU, CHENG HSIU , 王彥智 , WANG, YEN CHIH
IPC分类号： C25D17/12 , C25D17/06

2. 发明专利

TWI666345B 磷銅球添加裝置有权
简体标题：磷铜球添加设备
公开(公告)号：TWI666345B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107123983
申请日：2018-07-11
申请人：陳中和 , CHEN, CHUNG HO
发明人：陳煥宗 , CHEN, HUAN TSUNG
IPC分类号： C25D21/14 , C25D17/12 , H05K3/18

3. 发明专利

TWI649457B 具有幾何電解液流動路徑的電鍍處理器有权
简体标题：具有几何电解液流动路径的电镀处理器
公开(公告)号：TWI649457B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105141355
申请日：2013-04-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：哈理斯蘭迪A , HARRIS,RANDY A. , 伍德拉夫丹尼爾J , WOODRUFF,DANIEL J. , 透納傑佛瑞I , TURNER,JEFFREY I. , 威爾森葛瑞格里J , WILSON,GREGORY J. , 麥克修保羅R , MCHUGH,PAUL R.
IPC分类号： C25D17/12 , C25D19/00

4. 发明专利

TW201627229A 電化學反應方法及電化學槽审中-公开
简体标题：电化学反应方法及电化学槽
公开(公告)号：TW201627229A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104102071
申请日：2015-01-22
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：孫尚培 , 許宏瑋 , 許吉昌 , HSU, CHI CHANG , 鄭文鋒 , CHENG, WEN FENG
IPC分类号： C02F1/46 , C25B11/02 , C25B9/06 , C25C7/02 , C25D17/12
摘要：本發明首先提供一電化學槽，其電化學槽係由複數電極管構築成數個由內而外逐層串聯配置的流道，分別於相鄰的流道之間設有一引流孔，另設有一供水液自最內圈之流道進入電化學槽的進水孔，另設有一供水液自最外圈之流道離開電化學槽的排水孔，以及於最內圈之流道中穿設一中心電極桿；將水液自進入孔注入電化學槽最內圈之流道，同時將電流導入全數電極管及中心電極桿，即可令依序流經各流道之水液產生電解或電化學合成等電化學反應。俾可有效提升水液之電化學反應效能及產能，以及有效掌控各電極管之耗損狀態。
简体摘要：本发明首先提供一电化学槽，其电化学槽系由复数电极管构筑成数个由内而外逐层串联配置的流道，分别于相邻的流道之间设有一引流孔，另设有一供水液自最内圈之流道进入电化学槽的进水孔，另设有一供水液自最外圈之流道离开电化学槽的排水孔，以及于最内圈之流道中穿设一中心电极杆；将水液自进入孔注入电化学槽最内圈之流道，同时将电流导入全数电极管及中心电极杆，即可令依序流经各流道之水液产生电解或电化学合成等电化学反应。俾可有效提升水液之电化学反应性能及产能，以及有效掌控各电极管之耗损状态。

5. 发明专利

TW201402873A 具有幾何電解液流動路徑的電鍍處理器审中-公开
简体标题：具有几何电解液流动路径的电镀处理器
公开(公告)号：TW201402873A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102113788
申请日：2013-04-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：哈理斯蘭迪A , HARRIS, RANDY A. , 伍德拉夫丹尼爾J , WOODRUFF, DANIEL J. , 透納傑佛瑞I , TURNER, JEFFREY I. , 威爾森葛瑞格里J , WILSON, GREGORY J. , 麥克修保羅R , MCHUGH, PAUL R.
IPC分类号： C25D17/12 , C25D19/00
CPC分类号： C25D17/12 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002
摘要：一種電鍍處理器包括電極板，該電極板具有在通道內形成的連續流動路徑。流動路徑可視情況為盤形流動路徑。一或更多個電極定位於通道內。薄膜板附接於電極板，兩者之間具有薄膜。電解液高速穿過流動路徑，防止氣泡黏住薄膜之底表面。流動路徑內的任何氣泡均挾帶在快速移動的電解液中，且從薄膜處帶走。或者，電鍍處理器可具有延伸穿過管狀薄膜的電極線，該管狀薄膜形成盤形或其他形狀，視情況包括具有直線段的形狀。
简体摘要：一种电镀处理器包括电极板，该电极板具有在信道内形成的连续流动路径。流动路径可视情况为盘形流动路径。一或更多个电极定位于信道内。薄膜板附接于电极板，两者之间具有薄膜。电解液高速穿过流动路径，防止气泡黏住薄膜之底表面。流动路径内的任何气泡均挟带在快速移动的电解液中，且从薄膜处带走。或者，电镀处理器可具有延伸穿过管状薄膜的电极线，该管状薄膜形成盘形或其他形状，视情况包括具有直线段的形状。

6. 发明专利

TW201346073A 陽極支持具及電鍍裝置审中-公开
简体标题：阳极支持具及电镀设备
公开(公告)号：TW201346073A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102128603
申请日：2008-02-26
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：矢作光敏 , YAHAGI, MITSUTOSHI , 阿部賢一 , ABE, KENICHI , 荒木裕二 , ARAKI, YUJI , 南吉夫 , MINAMI, YOSHIO , 長弓知泰 , NAGAYUMI, TOMOYASU
IPC分类号： C25D17/12 , C25D17/08 , C25D7/12
CPC分类号： C25D17/12
摘要：本發明係有關於一種陽極支持具，包括：陽極支持具基座，用以容置陽極；以及陽極遮蔽物，放置於該陽極支持具基座之前部表面，覆蓋該陽極的一部份。
简体摘要：本发明系有关于一种阳极支持具，包括：阳极支持具基座，用以容置阳极；以及阳极屏蔽物，放置于该阳极支持具基座之前部表面，覆盖该阳极的一部份。

7. 发明专利

TWI673393B 用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置有权
简体标题：用于垂直电流沉积金属于基板上之设备
公开(公告)号：TWI673393B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106128553
申请日：2017-08-23
申请人：德商德國艾托特克公司 , ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人：維恩豪瑞 , WEINHOLD, RAY
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/08 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D17/06 , C25D17/12 , H01L21/768

8. 发明专利

TWI649458B 電鍍設備有权
简体标题：电镀设备
公开(公告)号：TWI649458B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106140621
申请日：2017-11-22
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：呂春福 , LU, CHUN-FU , 周雅靜 , CHOU, YA-CHING , 顏銘翬 , YEN, MING-HUEI , 謝宏元 , HSIEH, HUNG-YUAN
IPC分类号： C25D17/12

9. 发明专利

TWI646225B 陽極、具備其之高速電鍍裝置及陽極之製造方法有权
简体标题：阳极、具备其之高速电镀设备及阳极之制造方法
公开(公告)号：TWI646225B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103120484
申请日：2014-06-13
申请人：日商KYB股份有限公司 , KYB CORPORATION , 日商中央製作所股份有限公司 , CHUO SEISAKUSHO, LTD.
发明人：望月嘉隆 , MOCHIZUKI, YOSHITAKA , 宮崎稔久 , MIYAZAKI, TOSHIHISA , 高松輝 , TAKAMATSU, AKIRA
IPC分类号： C25D17/10 , C25D17/12 , C25D17/00 , C25D5/08

10. 发明专利

TW201816193A 用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置审中-公开
简体标题：用于垂直电流沉积金属于基板上之设备
公开(公告)号：TW201816193A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106128553
申请日：2017-08-23
申请人：德商德國艾托特克公司 , ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人：維恩豪瑞 , WEINHOLD, RAY
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/08 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D17/06 , C25D17/12 , H01L21/768
摘要：本發明係關於一種用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置，該裝置包括至少第一裝置元件及第二裝置元件，該等裝置元件依垂直方式平行於彼此配置；其中該第一裝置元件包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件；其中該至少第一陽極元件與該至少第一載體元件牢固地連接至彼此；其中該第二裝置元件包括至少第一基板固持器，其經調適以接納待處理之至少第一基板，其中該至少第一基板固持器在接納待處理之該至少第一基板後沿著其外框架至少部分環繞該至少第一基板，其中該至少第一裝置元件進一步包括複數個插塞，其中各插塞包括至少直通通道，且其中各插塞依此方式配置使得各插塞自該至少第一載體元件之背側延伸穿過該至少第一載體元件之直通導管且進一步穿過該至少第一陽極元件之各自前置直通導管；且其中全部該等插塞可拆卸地連接至該至少第一裝置元件。此外，本發明大體上係關於一種用於使用此裝置垂直電流沉積金屬於基板上之方法。
简体摘要：本发明系关于一种用于垂直电流沉积金属(较佳地，铜)于基板上之设备，该设备包括至少第一设备组件及第二设备组件，该等设备组件依垂直方式平行于彼此配置；其中该第一设备组件包括具有复数个直通导管之至少第一阳极组件及具有复数个直通导管之至少第一载体组件；其中该至少第一阳极组件与该至少第一载体组件牢固地连接至彼此；其中该第二设备组件包括至少第一基板固持器，其经调适以接纳待处理之至少第一基板，其中该至少第一基板固持器在接纳待处理之该至少第一基板后沿着其外框架至少部分环绕该至少第一基板，其中该至少第一设备组件进一步包括复数个插塞，其中各插塞包括至少直通信道，且其中各插塞依此方式配置使得各插塞自该至少第一载体组件之背侧延伸穿过该至少第一载体组件之直通导管且进一步穿过该至少第一阳极组件之各自前置直通导管；且其中全部该等插塞可拆卸地连接至该至少第一设备组件。此外，本发明大体上系关于一种用于使用此设备垂直电流沉积金属于基板上之方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式