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1. 发明专利

TWI691612B 矽化鎳奈米線的直接沉積有权
简体标题：硅化镍奈米线的直接沉积
公开(公告)号：TWI691612B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW104143179
申请日：2015-12-22
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷克須瑪南安娜瑪萊 , LAKSHMANAN, ANNAMALAI , 梅保奇班雀奇 , MEBARKI, BENCHERKI , 辛格卡沙爾K , SINGH, KAUSHAL K. , 馬伯方 , MA, PAUL F. , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 科伯恩安德魯 , COCKBURN, ANDREW , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/56 , B82Y40/00 , C01B33/06

2. 发明专利

TWI689620B 使用雷射化學氣相沈積形成精細圖案之方法有权
简体标题：使用激光化学气相沉积形成精细图案之方法
公开(公告)号：TWI689620B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107135121
申请日：2018-10-04
申请人：韓商COWINDST股份有限公司 , COWINDST CO., LTD.
发明人：金宇珍 , KIM, WOO JIN , 具亨俊 , KOO, HYUNG JUN , 車正泰 , CHA, JUNG TAE
IPC分类号： C23C16/48 , C23C16/56 , C22C27/04 , C22F1/18

3. 发明专利

TW202011481A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW202011481A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108125906
申请日：2019-07-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田端雅弘 , TABATA, MASAHIRO , 熊倉翔 , KUMAKURA, SHO
IPC分类号： H01L21/311 , C23C16/455 , C23C16/56
摘要：本發明之課題係減低在電漿處理對圖形造成之損壞。依本發明，電漿處理裝置執行之電漿處理方法包含開口部形成程序、第1膜形成程序、第2膜形成程序、及蝕刻程序。電漿處理裝置在開口部形成程序，藉由對於具有基底層及形成於基底層上之第1層的處理對象基板施行蝕刻，而於第1層形成開口部。電漿處理裝置於判定開口部滿足預定條件時，在第1膜形成程序，藉由化學氣相沉積於開口部之底面形成抑制因子，而形成不吸附預定氣體物種之第1膜。電漿處理裝置於形成第1膜後，在第2膜形成程序，以將預定氣體物種作為前驅氣體之原子層沉積於開口部之側壁形成第2膜。電漿處理裝置進一步在蝕刻程序對開口部施行蝕刻。
简体摘要：本发明之课题系减低在等离子处理对图形造成之损坏。依本发明，等离子处理设备运行之等离子处理方法包含开口部形成进程、第1膜形成进程、第2膜形成进程、及蚀刻进程。等离子处理设备在开口部形成进程，借由对于具有基底层及形成于基底层上之第1层的处理对象基板施行蚀刻，而于第1层形成开口部。等离子处理设备于判定开口部满足预定条件时，在第1膜形成进程，借由化学气相沉积于开口部之底面形成抑制因子，而形成不吸附预定气体物种之第1膜。等离子处理设备于形成第1膜后，在第2膜形成进程，以将预定气体物种作为前驱气体之原子层沉积于开口部之侧壁形成第2膜。等离子处理设备进一步在蚀刻进程对开口部施行蚀刻。

5. 发明专利

TWI676699B 有高縱橫比之經光學精加工的薄鑽石基材或窗及其製造方法有权
简体标题：有高纵横比之经光学精加工的薄钻石基材或窗及其制造方法
公开(公告)号：TWI676699B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105111825
申请日：2016-04-15
申请人：美商II VI股份有限公司 , II-VI INCORPORATED
发明人：徐文慶 , XU, WEN-QING , 劉超 , LIU, CHAO , 艾斯勒艾爾金E , EISSLER, ELGIN E. , 芭芭羅沙吉歐凡尼 , BARBAROSSA, GIOVANNI , 譚納查爾斯D , TANNER, CHARLES D. , 安德森湯瑪斯E , ANDERSON, THOMAS E.
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/453 , C23C16/455 , C23C16/56

6. 发明专利

TWI666336B 選擇性地在基板上沈積材料的方法有权
简体标题：选择性地在基板上沉积材料的方法
公开(公告)号：TWI666336B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW105103434
申请日：2016-02-03
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：賀加蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P. , 多益斯艾娃 , TOIS, EVA
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/18 , C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/40

7. 发明专利

TW201920763A 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201920763A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129055
申请日：2018-08-21
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：中山雅則 , NAKAYAMA, MASANORI , 舟木克典 , FUNAKI, KATSUNORI , 上田立志 , UEDA, TATSUSHI , 坪田康寿 , TSUBOTA, YASUTOSHI , 竹島雄一郎 , TAKESHIMA, YUICHIRO , 井川博登 , IGAWA, HIROTO , 山角宥貴 , YAMAKADO, YUKI
IPC分类号： C23C16/56 , H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/285 , H01L21/316 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L27/11551
摘要：本發明的課題是在於提供一種改質成大幅度減低被形成於基板上的鎢膜的薄膜電阻值，形成被適用於電極等之具有良好的特性的鎢膜之技術。　　其解決手段，具有：　　將在表面形成有鎢膜的基板搬入至處理室內之工程；　　藉由電漿激發含有氫及氧的處理氣體來產生反應種之工程；及　　將反應種供給至基板而改質鎢膜之工程，　　在改質鎢膜的工程中，將鎢膜改質成為構成鎢膜的鎢的結晶粒徑比進行該工程之前更大。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种改质成大幅度减低被形成于基板上的钨膜的薄膜电阻值，形成被适用于电极等之具有良好的特性的钨膜之技术。　　其解决手段，具有：　　将在表面形成有钨膜的基板搬入至处理室内之工程；　　借由等离子激发含有氢及氧的处理气体来产生反应种之工程；及　　将反应种供给至基板而改质钨膜之工程，　　在改质钨膜的工程中，将钨膜改质成为构成钨膜的钨的结晶粒径比进行该工程之前更大。

8. 发明专利

TWI650248B 屏蔽薄膜及其製作方法有权
简体标题：屏蔽薄膜及其制作方法
公开(公告)号：TWI650248B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106138114
申请日：2017-11-03
申请人：鈺邦科技股份有限公司 , APAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：錢明谷 , CHIEN, MING GOO , 吳家鈺 , WU, CGIA UCH
IPC分类号： B32B9/04 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C16/06 , C23C16/30 , C23C16/26 , C23C16/56 , H05K9/00

9. 发明专利

TW201843332A 使用反應性退火的間隙填充审中-公开
简体标题：使用反应性退火的间隙填充
公开(公告)号：TW201843332A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107112042
申请日：2018-04-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬里克愛柏亥吉巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 江施施 , JIANG, SHISHI
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L21/3205
摘要：無縫間隙填充的方法包括藉由PECVD形成可流動膜，以反應性退火將可流動膜退火以形成經退火膜及將可流動膜或經退火膜硬化以固化此膜。可使用更高級矽烷與電漿而形成可流動膜。反應性退火可使用甲矽烷或更高級矽烷。UV硬化或其他硬化可用於固化可流動膜或經退火膜。
简体摘要：无缝间隙填充的方法包括借由PECVD形成可流动膜，以反应性退火将可流动膜退火以形成经退火膜及将可流动膜或经退火膜硬化以固化此膜。可使用更高级硅烷与等离子而形成可流动膜。反应性退火可使用甲硅烷或更高级硅烷。UV硬化或其他硬化可用于固化可流动膜或经退火膜。

10. 发明专利

TW201842219A 藉由摻雜釕以增強鈷團聚電阻與縫隙填充效能审中-公开
简体标题：借由掺杂钌以增强钴团聚电阻与缝隙填充性能
公开(公告)号：TW201842219A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107101636
申请日：2018-01-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳智遠 , WU, ZHIYUAN , 貝奇亞里斯尼可拉奧斯 , BEKIARIS, NIKOLAOS , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 朴真希 , PARK, JIN HEE , 李馬克炫 , LEE, MARK HYUN
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/02
摘要：在一個實施例中，提供一種在基板上形成鈷層的方法。方法包含在基板上形成阻障層及（或）襯墊層，基板具有形成在基板的第一表面中的特徵結構定義，其中阻障層及（或）襯墊層係形成在特徵結構定義的側壁與底表面上。方法進一步包含將基板暴露至釕前驅物，以在阻障層及（或）襯墊層上形成含釕層。方法進一步包含將基板暴露至鈷前驅物，以在含釕層頂上形成鈷種晶層。方法進一步包含在鈷種晶層上形成鈷體層，以填充特徵結構定義。
简体摘要：在一个实施例中，提供一种在基板上形成钴层的方法。方法包含在基板上形成阻障层及（或）衬垫层，基板具有形成在基板的第一表面中的特征结构定义，其中阻障层及（或）衬垫层系形成在特征结构定义的侧壁与底表面上。方法进一步包含将基板暴露至钌前驱物，以在阻障层及（或）衬垫层上形成含钌层。方法进一步包含将基板暴露至钴前驱物，以在含钌层顶上形成钴种晶层。方法进一步包含在钴种晶层上形成钴体层，以填充特征结构定义。

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