专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202030823A 晶圓交換技術审中-公开
简体标题：晶圆交换技术
公开(公告)号：TW202030823A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109108954
申请日：2016-02-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 威爾頓派瑞吉斯 , WILTON, PRAJEETH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , B25J11/00
摘要：本發明揭露一般係關於用於在處理腔室之間傳送半導體基板的半導體處理設備。更具體言之，本發明所述實施例係關於使用輸送裝置來傳送、或交換處理腔室間的半導體基板之系統與方法，該輸送裝置採用至少兩個葉片以用於在處理腔室間同時傳送基板。
简体摘要：本发明揭露一般系关于用于在处理腔室之间发送半导体基板的半导体处理设备。更具体言之，本发明所述实施例系关于使用输送设备来发送、或交换处理腔室间的半导体基板之系统与方法，该输送设备采用至少两个叶片以用于在处理腔室间同时发送基板。

2. 发明专利

TWI676227B 半導體工藝設備有权
简体标题：半导体工艺设备
公开(公告)号：TWI676227B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW104144510
申请日：2015-12-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
IPC分类号： H01L21/677

3. 发明专利

TW202015163A 半導體工藝設備审中-公开
简体标题：半导体工艺设备
公开(公告)号：TW202015163A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108131668
申请日：2015-12-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
IPC分类号： H01L21/677
摘要：提供了一種用於處理基材的系統，所述系統包括第一平面電動機、基材載件、第一處理腔室以及第一升降器。第一平面電動機包括沿第一水準方向設置的第一線圈佈置、平行於第一水準方向的頂表面、第一側和第二側。基材載件具有平行於第一水準方向的基材支撐表面。第一處理腔室具有用於接收設置在基材載件上的基材的開口。第一升降器包括第二平面電動機，所述第二平面電動機具有沿第一水準方向設置的第二線圈佈置。第二平面電動機的頂表面平行於第一水準方向。第一升降器配置成用於在第一豎直位置與第二豎直位置之間移動第二平面電動機的頂表面。
简体摘要：提供了一种用于处理基材的系统，所述系统包括第一平面电动机、基材载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水准方向设置的第一线圈布置、平行于第一水准方向的顶表面、第一侧和第二侧。基材载件具有平行于第一水准方向的基材支撑表面。第一处理腔室具有用于接收设置在基材载件上的基材的开口。第一升降器包括第二平面电动机，所述第二平面电动机具有沿第一水准方向设置的第二线圈布置。第二平面电动机的顶表面平行于第一水准方向。第一升降器配置成用于在第一竖直位置与第二竖直位置之间移动第二平面电动机的顶表面。

4. 发明专利

TWI692051B 晶圓交換技術有权
简体标题：晶圆交换技术
公开(公告)号：TWI692051B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105104784
申请日：2016-02-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 威爾頓派瑞吉斯 , WILTON, PRAJEETH
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677

6. 发明专利

TWI677042B 在化學氣相沉積製程期間的動態晶圓校平、傾斜、旋轉有权
简体标题：在化学气相沉积制程期间的动态晶圆校平、倾斜、旋转
公开(公告)号：TWI677042B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106113217
申请日：2017-04-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 阮段安 , NGUYEN, TUAN ANH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/205

7. 发明专利

TW201831818A 用於處理腔室的氣體分配設備审中-公开
简体标题：用于处理腔室的气体分配设备
公开(公告)号：TW201831818A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107102612
申请日：2018-01-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK
IPC分类号： F17D1/04 , C23C16/455
摘要：本文所說明的實施例一般而言相關於用於在基板上沈積材料的設備與方法。在一個實施例中，用於處理基板的處理腔室包含腔室主體與基板支座，基板支座設置在腔室主體中且經適配以支撐基板。處理腔室包含定位在基板支座上方的複數個氣體入口，以在基板支座上方引導處理氣體。可移動式擴散器被經由樞轉架座可樞轉地安裝為鄰接基板支座。可移動式擴散器包含沈積頭，沈積頭具有複數個入口開口與複數個排氣開口，複數個入口開口用於將處理氣體導向基板支座，複數個排氣開口用於對可移動式擴散器設置在基板支座上方的處理氣體提供排氣。
简体摘要：本文所说明的实施例一般而言相关于用于在基板上沉积材料的设备与方法。在一个实施例中，用于处理基板的处理腔室包含腔室主体与基板支座，基板支座设置在腔室主体中且经适配以支撑基板。处理腔室包含定位在基板支座上方的复数个气体入口，以在基板支座上方引导处理气体。可移动式扩散器被经由枢转架座可枢转地安装为邻接基板支座。可移动式扩散器包含沉积头，沉积头具有复数个入口开口与复数个排气开口，复数个入口开口用于将处理气体导向基板支座，复数个排气开口用于对可移动式扩散器设置在基板支座上方的处理气体提供排气。

8. 发明专利

TW201740489A 在化學氣相沉積製程期間的動態晶圓校平、傾斜、旋轉审中-公开
简体标题：在化学气相沉积制程期间的动态晶圆校平、倾斜、旋转
公开(公告)号：TW201740489A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106113217
申请日：2017-04-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 阮段安 , NGUYEN, TUAN ANH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/205
CPC分类号： H01L22/26 , C23C16/45565 , C23C16/45589 , C23C16/4583 , C23C16/52 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01L22/12
摘要：本說明書所述實施例概略有關在沉積製程期間對基板支撐件及氣體分配媒介之間之製程間距的動態、即時控制。於沉積製程期間的任何時間，運用多維自由度來改變基板平面相對於氣體分配媒介的角度及間距。如此，在沉積製程期間可校平、傾斜、旋轉、搖晃及/或移動基板及/或基板支撐件，以達到改善的薄膜均勻度。此外，由於在基板平面相對於噴灑頭之校平的持續變異，可得到對各層的獨立調校，以均衡基板上的有效沉積，因而改良整體的堆疊沉積效能。
简体摘要：本说明书所述实施例概略有关在沉积制程期间对基板支撑件及气体分配媒介之间之制程间距的动态、实时控制。于沉积制程期间的任何时间，运用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积制程期间可校平、倾斜、旋转、摇晃及/或移动基板及/或基板支撑件，以达到改善的薄膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷洒头之校平的持续变异，可得到对各层的独立调校，以均衡基板上的有效沉积，因而改良整体的堆栈沉积性能。

9. 发明专利

TW201639068A 半導體工藝設備审中-公开
简体标题：半导体工艺设备
公开(公告)号：TW201639068A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104144510
申请日：2015-12-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67709 , H01L21/67736 , H01L21/67742
摘要：提供了一種用於處理基材的系統，所述系統包括第一平面電動機、基材載件、第一處理腔室以及第一升降器。第一平面電動機包括沿第一水準方向設置的第一線圈佈置、平行於第一水準方向的頂表面、第一側和第二側。基材載件具有平行於第一水準方向的基材支撐表面。第一處理腔室具有用於接收設置在基材載件上的基材的開口。第一升降器包括第二平面電動機，所述第二平面電動機具有沿第一水準方向設置的第二線圈佈置。第二平面電動機的頂表面平行於第一水準方向。第一升降器配置成用於在第一豎直位置與第二豎直位置之間移動第二平面電動機的頂表面。
简体摘要：提供了一种用于处理基材的系统，所述系统包括第一平面电动机、基材载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水准方向设置的第一线圈布置、平行于第一水准方向的顶表面、第一侧和第二侧。基材载件具有平行于第一水准方向的基材支撑表面。第一处理腔室具有用于接收设置在基材载件上的基材的开口。第一升降器包括第二平面电动机，所述第二平面电动机具有沿第一水准方向设置的第二线圈布置。第二平面电动机的顶表面平行于第一水准方向。第一升降器配置成用于在第一竖直位置与第二竖直位置之间移动第二平面电动机的顶表面。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式