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1. 发明专利

TWI693123B 工件的兩面研磨裝置及兩面研磨方法有权
简体标题：工件的两面研磨设备及两面研磨方法
公开(公告)号：TWI693123B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108105976
申请日：2019-02-22
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：久保田真美 , KUBOTA, MAMI , 野中英輔 , NONAKA, EISUKE , 谷口鉄郎 , TANIGUCHI, TETSUROU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/013 , B24B49/14 , H01L21/304

2. 发明专利

TWI683723B 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TWI683723B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105141296
申请日：2016-12-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/304

3. 发明专利

TWI634966B 研磨裝置及研磨方法有权
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TWI634966B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104106603
申请日：2015-03-03
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/10 , B24B49/12 , H01L21/304

4. 发明专利

TW201822953A 基於溝槽深度的電磁感應監控進行的過拋光审中-公开
简体标题：基于沟槽深度的电磁感应监控进行的过抛光
公开(公告)号：TW201822953A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106130734
申请日：2017-09-08
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：沈世豪 , SHEN, SHIH-HAUR , 唐建設 , TANG, JIANSHE , 章及明 , ZHANG, JIMIN , 蓋奇大衛麥斯威爾 , GAGE, DAVID MAXWELL
IPC分类号： B24B37/013
摘要：在基板的拋光期間，從第一原位監控系統接收第一訊號，且從第二原位監控系統接收第二訊號。基於第一訊號判定導電層被清除且基板的下層介電層的頂面被暴露的清除時間。判定經判定的清除時間處的第二訊號的初始值。將偏移與初始值相加以產生臨界值，且在第二訊號交叉臨界值時觸發拋光終點。
简体摘要：在基板的抛光期间，从第一原位监控系统接收第一信号，且从第二原位监控系统接收第二信号。基于第一信号判定导电层被清除且基板的下层介电层的顶面被暴露的清除时间。判定经判定的清除时间处的第二信号的初始值。将偏移与初始值相加以产生临界值，且在第二信号交叉临界值时触发抛光终点。

5. 发明专利

TW201811498A 具有環形平臺或研磨墊的研磨系統审中-公开
简体标题：具有环形平台或研磨垫的研磨系统
公开(公告)号：TW201811498A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106129721
申请日：2017-08-31
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴特菲爾德保羅D , BUTTERFIELD, PAUL D. , 歐斯特海德湯瑪士H , OSTERHELD, THOMAS H. , 吳正勳 , OH, JEONGHOON , 張壽松 , CHANG, SHOU-SUNG , 努尼佳史帝文M , ZUNIGA, STEVEN M. , 瑞德可佛瑞德C , REDEKER, FRED C.
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/20 , B24B41/02 , B24B53/02
摘要：一種研磨系統包括：平臺，該平臺具有頂表面、環形研磨墊，該環形研磨墊支撐於該平臺上、承載頭，該承載頭用於保持基板與環形研磨墊的接觸、支撐結構，其中承載頭懸掛於該支撐結構，該支撐結構經配置以移動並持定該承載頭橫跨該研磨墊，及控制器。該平臺可繞著旋轉軸旋轉，該旋轉軸穿過平臺的中心附近，且該環形研磨墊的內邊緣定位於旋轉軸周圍。該控制器經配置以造成支撐結構定位承載頭，使得在基板接觸研磨墊的同時，基板的一部分伸出環形研磨墊的內邊緣。
简体摘要：一种研磨系统包括：平台，该平台具有顶表面、环形研磨垫，该环形研磨垫支撑于该平台上、承载头，该承载头用于保持基板与环形研磨垫的接触、支撑结构，其中承载头悬挂于该支撑结构，该支撑结构经配置以移动并持定该承载头横跨该研磨垫，及控制器。该平台可绕着旋转轴旋转，该旋转轴穿过平台的中心附近，且该环形研磨垫的内边缘定位于旋转轴周围。该控制器经配置以造成支撑结构定位承载头，使得在基板接触研磨垫的同时，基板的一部分伸出环形研磨垫的内边缘。

6. 发明专利

TWI611866B 插入式墊窗有权
简体标题：插入式垫窗
公开(公告)号：TWI611866B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW100114926
申请日：2011-04-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A. , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J.
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/16 , B24B37/26
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/16 , B24B37/205 , B24B37/26

7. 发明专利

TW201738034A 化學機械平坦化墊修整器、墊修整系統及方法审中-公开
简体标题：化学机械平坦化垫修整器、垫修整系统及方法
公开(公告)号：TW201738034A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106101263
申请日：2017-01-13
申请人： 3M新設資產公司 , 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人：洪思偉 , ANG, KELVIN SZE WEI , 林進和 , LIM, CHIN HUA , 羅國強 , LOH, KOK CHIAN , 鄭加炎 , TAY, KAR YAM , 賓德修索吉特 , BANDHU, SAUJIT , 艾爾卡沙巴瑪麗亞賽琳娜米蘭達 , ALCASABAS, MARIA CELINA MIRANDA , 喬雲龍 , QIAO, YUNLONG , 陸揚 , LU, YANG
IPC分类号： B24B37/013
CPC分类号： B24B53/017 , B24B49/10
摘要：提供一種化學機械平坦化(CMP)墊修整器、CMP墊修整系統及CMP修整方法。CMP墊修整器包括一配接器及一感測電路，該配接器經組態以接收一磨料構件，該感測電路包含一或多個感測元件。該一或多個感測元件之各者經組態以量測與該磨料構件相關聯之一各別參數。
简体摘要：提供一种化学机械平坦化(CMP)垫修整器、CMP垫修整系统及CMP修整方法。CMP垫修整器包括一配接器及一传感电路，该配接器经组态以接收一磨料构件，该传感电路包含一或多个传感组件。该一或多个传感组件之各者经组态以量测与该磨料构件相关联之一各别参数。

8. 发明专利

TW201730949A 晶圓研磨方法审中-公开
简体标题：晶圆研磨方法
公开(公告)号：TW201730949A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105134002
申请日：2016-10-21
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：西谷隆志 , NISHITANI, TAKASHI , 谷本竜一 , TANIMOTO, RYUICHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/013
CPC分类号： H01L21/304
摘要：即使在已形成奈米形貌的晶圓上，也能夠抑制其影響，對於各壓力區施以適當的研磨壓力，藉此提高晶圓的平坦度。晶圓研磨方法，其係為使用具有將晶圓的推壓面劃分為複數個壓力區並能夠獨立地對各壓力區進行加壓控制的多區加壓方式的研磨頭之晶圓研磨裝置以將晶圓表面進行鏡面研磨的晶圓研磨方法，該方法包括：測定步驟(步驟S1)，測定晶圓表面的奈米形貌地圖；研磨步驟(步驟S2,S3)，基於前記奈米形貌地圖的測定結果，針對各壓力區設定前記研磨頭對於前記晶圓的研磨壓力，以實施研磨加工。
简体摘要：即使在已形成奈米形貌的晶圆上，也能够抑制其影响，对于各压力区施以适当的研磨压力，借此提高晶圆的平坦度。晶圆研磨方法，其系为使用具有将晶圆的推压面划分为复数个压力区并能够独立地对各压力区进行加压控制的多区加压方式的研磨头之晶圆研磨设备以将晶圆表面进行镜面研磨的晶圆研磨方法，该方法包括：测定步骤(步骤S1)，测定晶圆表面的奈米形貌地图；研磨步骤(步骤S2,S3)，基于前记奈米形貌地图的测定结果，针对各压力区设置前记研磨头对于前记晶圆的研磨压力，以实施研磨加工。

9. 发明专利

TW201729943A 研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨设备
公开(公告)号：TW201729943A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106104600
申请日：2017-02-13
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：高橋太郎 , TAKAHASHI, TARO , 中村顕 , NAKAMURA, AKIRA , 澁江宏明 , SHIBUE, HIROAKI , 多田光男 , TADA, MITSUO
IPC分类号： B24B49/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/30 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L22/14 , H01L22/26
摘要：本發明提供一種具有可測定狹窄範圍之終點檢知感測器，使膜厚檢測精度提高的研磨裝置。研磨裝置10具有配置於安裝研磨墊101之研磨台100中，檢知研磨終點的終點檢知感測器50。終點檢知感測器50具有磁性體之筒核心。筒核心60具有：底面部61a、磁芯基部61b、及周壁基部61c。終點檢知感測器50具有：勵磁線圈62、及檢測渦電流之檢測線圈63。研磨墊101之背面101b在與研磨台100相對的部分具有用於收容磁芯延長部8及周壁延長部11之空間30。磁芯基部61b及周壁基部61c從底面部61a朝向空間30延伸，朝向空間30延伸之磁芯延長部8及周壁延長部11位於空間30中。
简体摘要：本发明提供一种具有可测定狭窄范围之终点检知传感器，使膜厚检测精度提高的研磨设备。研磨设备10具有配置于安装研磨垫101之研磨台100中，检知研磨终点的终点检知传感器50。终点检知传感器50具有磁性体之筒内核。筒内核60具有：底面部61a、磁芯基部61b、及周壁基部61c。终点检知传感器50具有：励磁线圈62、及检测涡电流之检测线圈63。研磨垫101之背面101b在与研磨台100相对的部分具有用于收容磁芯延长部8及周壁延长部11之空间30。磁芯基部61b及周壁基部61c从底面部61a朝向空间30延伸，朝向空间30延伸之磁芯延长部8及周壁延长部11位于空间30中。

10. 发明专利

TW201720582A 研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨设备
公开(公告)号：TW201720582A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105131245
申请日：2016-09-29
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：中村顕 , NAKAMURA, AKIRA
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/22 , B24B49/10
摘要：本發明提供一種具有可測定狹窄範圍之終點檢知感測器、且膜厚檢測精度提升的研磨裝置。研磨裝置10具備：研磨墊101，其具有研磨半導體晶圓WF的研磨表面101a；研磨載台100，可安裝研磨墊101中與研磨表面101a相反側的背面101b；頂環1，可保持半導體晶圓WF以使其與研磨表面101a對向；及渦電流感測器50，配置於研磨載台100內，用以檢測研磨終點。研磨載台100，在安裝面104上具有突出構件12，其從安裝有研磨墊101的安裝面104突出。研磨墊101的背面101b，在與突出構件12對向的部分具有凹部；渦電流感測器50的一部分，配置於突出構件12的內部。
简体摘要：本发明提供一种具有可测定狭窄范围之终点检知传感器、且膜厚检测精度提升的研磨设备。研磨设备10具备：研磨垫101，其具有研磨半导体晶圆WF的研磨表面101a；研磨载台100，可安装研磨垫101中与研磨表面101a相反侧的背面101b；顶环1，可保持半导体晶圆WF以使其与研磨表面101a对向；及涡电流传感器50，配置于研磨载台100内，用以检测研磨终点。研磨载台100，在安装面104上具有突出构件12，其从安装有研磨垫101的安装面104突出。研磨垫101的背面101b，在与突出构件12对向的部分具有凹部；涡电流传感器50的一部分，配置于突出构件12的内部。

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