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1. 发明专利

TW202003155A 工件的兩面研磨裝置及兩面研磨方法审中-公开
简体标题：工件的两面研磨设备及两面研磨方法
公开(公告)号：TW202003155A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108105976
申请日：2019-02-22
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：久保田真美 , KUBOTA, MAMI , 野中英輔 , NONAKA, EISUKE , 谷口鉄郎 , TANIGUCHI, TETSUROU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： B24B37/30 , B24B49/14 , B24B37/005 , H01L21/304
摘要：本發明提出一種兩面研磨裝置及兩面研磨方法，即使反覆進行工件的兩面研磨，也能夠以希望的形狀結束兩面研磨。本發明的兩面研磨裝置具備量測承載板的溫度的溫度量測手段9、控制工件的兩面研磨的控制手段20。控制手段20決定下一批次中從基於以溫度量測手段9所量測的承載板3的溫度變化的振幅來決定基準時間點開始算起要追加進行兩面研磨的補償時間，在基準時間點開始算起經過已決定的補償時間後的時間點結束工件的兩面研磨。該補償時間的決定是基於從先前的批次中兩面研磨的工件1的形狀指標的實績值、及批次間的補償時間的差所預測的下一批次中要兩面研磨的工件1的形狀指標的預測值來進行。
简体摘要：本发明提出一种两面研磨设备及两面研磨方法，即使反复进行工件的两面研磨，也能够以希望的形状结束两面研磨。本发明的两面研磨设备具备量测承载板的温度的温度量测手段9、控制工件的两面研磨的控制手段20。控制手段20决定下一批次中从基于以温度量测手段9所量测的承载板3的温度变化的振幅来决定基准时间点开始算起要追加进行两面研磨的补偿时间，在基准时间点开始算起经过已决定的补偿时间后的时间点结束工件的两面研磨。该补偿时间的决定是基于从先前的批次中两面研磨的工件1的形状指针的实绩值、及批次间的补偿时间的差所预测的下一批次中要两面研磨的工件1的形状指针的预测值来进行。

2. 发明专利

TW202008449A 工件的兩面研磨裝置及兩面研磨方法审中-公开
简体标题：工件的两面研磨设备及两面研磨方法
公开(公告)号：TW202008449A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108118203
申请日：2019-05-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：久保田真美 , KUBOTA, MAMI , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04 , B24B49/12
摘要：提供工件的兩面研磨裝置及兩面研磨方法，在兩面研磨中，可以以工件的形狀成為目標形狀的時機結束兩面研磨。演算部13，實行以下步驟：第1步驟，以每一工件分類工件厚度測量器11測量的工件厚度資料；第2步驟，每一工件從厚度資料抽出工件的形狀成分；第3步驟，關於各個抽出的形狀成分，特別指定測量的工件上的工件徑方向位置；第4步驟，根據特別指定的工件徑方向位置及工件的形狀成分，算出工件的形狀分布；第5步驟，根據算出的形狀分布求出工件的形狀指標；以及第6步驟，決定求出的每一工件的形狀指標成為根據上次批次(batch)中的工件形狀指標的目標值與實際值之差決定的工件形狀指標設定值的時機，作為結束工件兩面研磨的時機。
简体摘要：提供工件的两面研磨设备及两面研磨方法，在两面研磨中，可以以工件的形状成为目标形状的时机结束两面研磨。演算部13，实行以下步骤：第1步骤，以每一工件分类工件厚度测量器11测量的工件厚度数据；第2步骤，每一工件从厚度数据抽出工件的形状成分；第3步骤，关于各个抽出的形状成分，特别指定测量的工件上的工件径方向位置；第4步骤，根据特别指定的工件径方向位置及工件的形状成分，算出工件的形状分布；第5步骤，根据算出的形状分布求出工件的形状指针；以及第6步骤，决定求出的每一工件的形状指针成为根据上次批次(batch)中的工件形状指针的目标值与实际值之差决定的工件形状指针设置值的时机，作为结束工件两面研磨的时机。

3. 发明专利

TW201828346A 半導體晶圓之雙面研磨方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之双面研磨方法
公开(公告)号：TW201828346A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106134516
申请日：2017-10-06
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：久保田真美 , KUBOTA, MAMI , 福原史也 , FUKUHARA, FUMIYA , 三浦友紀 , MIURA, TOMONORI
IPC分类号： H01L21/304
摘要：提供半導體晶圓之雙面研磨方法，其藉由因應研磨中的研磨環境變化，能夠抑制研磨品質的偏差。本發明的半導體晶圓之雙面研磨方法包括：事先求出判定雙面研磨的研磨傾向的判定函數之程序；第1程序，依據初期研磨條件，開始該半導體晶圓的雙面研磨；第2程序，依據該初期研磨條件進行該半導體晶圓的雙面研磨，同時使用該第1程序的特定期間中的裝置記錄資料計算該判定函數的值，基於該判定函數的值，將已調整該初期研磨條件的調整研磨條件設定於該雙面研磨裝置；第3程序，依據該調整研磨條件進行該半導體晶圓的雙面研磨。
简体摘要：提供半导体晶圆之双面研磨方法，其借由因应研磨中的研磨环境变化，能够抑制研磨品质的偏差。本发明的半导体晶圆之双面研磨方法包括：事先求出判定双面研磨的研磨倾向的判定函数之进程；第1进程，依据初期研磨条件，开始该半导体晶圆的双面研磨；第2进程，依据该初期研磨条件进行该半导体晶圆的双面研磨，同时使用该第1进程的特定期间中的设备记录数据计算该判定函数的值，基于该判定函数的值，将已调整该初期研磨条件的调整研磨条件设置于该双面研磨设备；第3进程，依据该调整研磨条件进行该半导体晶圆的双面研磨。

4. 发明专利

TWI693123B 工件的兩面研磨裝置及兩面研磨方法有权
简体标题：工件的两面研磨设备及两面研磨方法
公开(公告)号：TWI693123B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108105976
申请日：2019-02-22
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：久保田真美 , KUBOTA, MAMI , 野中英輔 , NONAKA, EISUKE , 谷口鉄郎 , TANIGUCHI, TETSUROU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/013 , B24B49/14 , H01L21/304

5. 发明专利

TWI648778B 半導體晶圓之雙面研磨方法有权
简体标题：半导体晶圆之双面研磨方法
公开(公告)号：TWI648778B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106134516
申请日：2017-10-06
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：久保田真美 , KUBOTA, MAMI , 福原史也 , FUKUHARA, FUMIYA , 三浦友紀 , MIURA, TOMONORI
IPC分类号： H01L21/304

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