专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 实用新型

TWM573670U 玻璃雷射封裝設備有权
简体标题：玻璃激光封装设备
公开(公告)号：TWM573670U
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW107214738
申请日：2018-10-30
申请人：位元奈米科技股份有限公司
发明人：王水泉 , WANG, SHUEI CHUAN , 劉修銘 , LIU, SHIOU MING , 張裕洋 , CHANG, YU YANG
IPC分类号： B23K26/02 , H01L35/08

2. 发明专利

TW201316575A 熱阻器裝置审中-公开
简体标题：热阻器设备
公开(公告)号：TW201316575A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101127499
申请日：2012-07-30
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：藤井祐貴 , FUJII, YUKI
IPC分类号： H01L35/04 , H01L35/08
摘要：本發明之目的在於提供一種可抑制外部電極間產生電痕現象，且可抑制熱阻器輕易自本體脫落之熱阻器裝置。本發明之熱阻器裝置係包含：熱阻器22、支持部76、及端子電極T2、T4。熱阻器22係包含：熱阻器基體60、及外部電極62a、62b。熱阻器基體22係具有相互對向之端面。外部電極62a、62b係分別設置於熱阻器基體60之兩端面。端子電極T2、T4係分別壓接於外部電極62a、62b。支持部76係對連結端面間之側面進行接觸。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可抑制外部电极间产生电痕现象，且可抑制热阻器轻易自本体脱落之热阻器设备。本发明之热阻器设备系包含：热阻器22、支持部76、及端子电极T2、T4。热阻器22系包含：热阻器基体60、及外部电极62a、62b。热阻器基体22系具有相互对向之端面。外部电极62a、62b系分别设置于热阻器基体60之两端面。端子电极T2、T4系分别压接于外部电极62a、62b。支持部76系对链接端面间之侧面进行接触。

3. 发明专利

TWI559582B 熱電轉換裝置之製造方法、具備熱電轉換裝置之電子裝置之製造方法有权
简体标题：热电转换设备之制造方法、具备热电转换设备之电子设备之制造方法
公开(公告)号：TWI559582B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW102124180
申请日：2013-07-05
申请人：電裝股份有限公司 , DENSO CORPORATION
发明人：谷口敏尙 , TANIGUCHI, TOSHIHISA , 白石芳彥 , SHIRAISHI, YOSHIHIKO , 坂井田敦資 , SAKAIDA, ATUSI , 岡本圭司 , OKAMOTO, KEIJI , 宮川栄二郎 , MIYAGAWA, EIJIROU
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/08

4. 发明专利

TWI505522B 熱電轉換模組之製造方法失效
简体标题：热电转换模块之制造方法
公开(公告)号：TWI505522B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW098121406
申请日：2009-06-25
申请人：沖電氣防災股份有限公司 , OKI DENKI BOHSAI CO., LTD.
发明人：片倉辰男 , KATAKURA, TATSUO , 奧崎俊一 , OKUZAKI, SHUNICHI , 沼田正史 , NUMATA, MASASHI , 東之弘 , HIGASHI, YUKIHIRO , 安野拓也 , YASUNO, TAKUYA , 田中勝之 , TANAKA, KATSUYUKI
IPC分类号： H01L35/08 , H01L35/14 , H01L35/34

5. 发明专利

TW201521241A 半導體裝置及非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体设备及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201521241A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103123049
申请日：2014-07-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：谷本亮 , TANIMOTO, AKIRA , 渡部武志 , WATANABE, TAKESHI , 唐金祐次 , KARAKANE, YUJI , 片村幸雄 , KATAMURA, YUKIO , 村上克也 , MURAKAMI, KATSUYA , 小澤勳 , OZAWA, ISAO
IPC分类号： H01L33/52 , H01L35/08
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種使可靠性提昇之半導體裝置及非揮發性半導體記憶裝置。實施形態之半導體裝置(1)具備配線基板(2)、電子零件(3)及樹脂密封部(4)。配線基板(2)包括設置於絕緣基材上之第1及第2連接墊(22)、(23)、以及阻焊劑層(25)。電子零件(3)包括沿著零件主體(31)之對向之2條外形邊配置之第1連接部、及設置於零件主體之包含中央部之區域之第2連接部。於阻焊劑層(25)形成有第1開口部(26)及第2開口部(27)，該第1開口部(26)係使第1連接墊(22)露出，該第2開口部(27)係以使第2連接墊(23)露出並且伸出至零件主體(31)之外形邊之外側的方式開口。
简体摘要：本发明提供一种使可靠性提升之半导体设备及非挥发性半导体记忆设备。实施形态之半导体设备(1)具备配线基板(2)、电子零件(3)及树脂密封部(4)。配线基板(2)包括设置于绝缘基材上之第1及第2连接垫(22)、(23)、以及阻焊剂层(25)。电子零件(3)包括沿着零件主体(31)之对向之2条外形边配置之第1连接部、及设置于零件主体之包含中央部之区域之第2连接部。于阻焊剂层(25)形成有第1开口部(26)及第2开口部(27)，该第1开口部(26)系使第1连接垫(22)露出，该第2开口部(27)系以使第2连接垫(23)露出并且伸出至零件主体(31)之外形边之外侧的方式开口。

6. 发明专利

TW201837976A 用於製造半導體處理設備的方法和所製造的裝置审中-公开
简体标题：用于制造半导体处理设备的方法和所制造的设备
公开(公告)号：TW201837976A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107122658
申请日：2014-03-14
申请人：美商康波能再造工程公司 , COMPONENT RE-ENGINEERING COMPANY, INC.
发明人：艾略特布蘭特 , ELLIOT, BRENT D. A. , 巴馬法蘭克 , BALMA, FRANK , 艾略特艾弗瑞德 , ELLIOT, ALFRED GRANT , 威瑟亞歷山大 , VEYTSER, ALEXANDER , 雷克斯丹尼斯 , REX, DENNIS G. , 修斯特理察 , SCHUSTER, RICHARD E.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L35/08
摘要：一種具有複數熱電偶之多區塊加熱器，使得該等不同加熱器區塊能被用於獨立地監視溫度。該等獨立的熱電偶可使其導線由該加熱器之軸桿於一通道中循路出去，該通道被以一接合製程所封閉，該接合製程導致不透氣地密封，此密封被設計成適於耐受住該軸桿的內部大氣壓及該製程室中之製程化學品。該熱電偶及其導線可被以一接合製程封入，其中通道蓋件係以鋁硬焊至該加熱器板件。
简体摘要：一种具有复数热电偶之多区块加热器，使得该等不同加热器区块能被用于独立地监视温度。该等独立的热电偶可使其导线由该加热器之轴杆于一信道中循路出去，该信道被以一接合制程所封闭，该接合制程导致不透气地密封，此密封被设计成适于耐受住该轴杆的内部大气压及该制程室中之制程化学品。该热电偶及其导线可被以一接合制程封入，其中信道盖件系以铝硬焊至该加热器板件。

7. 发明专利

TW201547071A 微溝渠熱電材料膜形成方法审中-公开
简体标题：微沟渠热电材料膜形成方法
公开(公告)号：TW201547071A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103119878
申请日：2014-06-09
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：李勝偉 , LEE, SHENG WEI , 牛翊凡 , NIU, YI FAN , 李佩雯 , LI, PEI WEN , 辛正倫 , HSIN, CHENG LUN , 曾重仁 , TSENG, CHUNG JEN
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/08
CPC分类号： H01L35/34
摘要：一種微溝渠熱電材料膜形成方法，其包括下列步驟：A)利用靜電紡絲形成多數彼此平行的犧牲材線，犧牲材線的直徑介於100-500nm；B)於犧牲材線的局部表面形成膜厚介於80-200nm的熱電材料膜；以及C)將犧牲材線自熱電材料膜去除，得到具有微溝渠的熱電材料膜，該熱電材料膜在徑向上的一側呈開放狀。藉由上述方法所形成的微溝渠熱電材料膜具有較佳的尺寸均一性，且不會有催化劑殘留的問題，同時該微溝渠熱電材料膜在一維方向上具有小於聲子平均自由徑的尺寸，因此所形成的微溝渠熱電材料膜具有較佳的熱電性質。
简体摘要：一种微沟渠热电材料膜形成方法，其包括下列步骤：A)利用静电纺丝形成多数彼此平行的牺牲材线，牺牲材线的直径介于100-500nm；B)于牺牲材线的局部表面形成膜厚介于80-200nm的热电材料膜；以及C)将牺牲材线自热电材料膜去除，得到具有微沟渠的热电材料膜，该热电材料膜在径向上的一侧呈开放状。借由上述方法所形成的微沟渠热电材料膜具有较佳的尺寸均一性，且不会有催化剂残留的问题，同时该微沟渠热电材料膜在一维方向上具有小于声子平均自由径的尺寸，因此所形成的微沟渠热电材料膜具有较佳的热电性质。

8. 发明专利

TWI419385B 熱交換單元有权
简体标题：热交换单元
公开(公告)号：TWI419385B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099102471
申请日：2010-01-28
申请人：山葉股份有限公司 , YAMAHA CORPORATION
发明人：堀尾裕磨 , HORIO, YUMA
IPC分类号： H01L35/08 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/30 , H01L23/38 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201813027A 絕緣電路基板之製造方法、絕緣電路基板、熱電變換模組审中-公开
简体标题：绝缘电路基板之制造方法、绝缘电路基板、热电变换模块
公开(公告)号：TW201813027A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121338
申请日：2017-06-23
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：寺伸幸 , TERASAKI, NOBUYUKI , 大橋東洋 , OHASHI, TOYO
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/12 , H01L35/08
摘要：本發明之絕緣電路基板之製造方法係具備：將鋁材接合於前述陶瓷基板而形成鋁層之陶瓷/鋁接合工程，和於前述鋁層或前述鋁材的表面，將鈦材配設成前述電路圖案狀之鈦材配設工程，和在層積前述鈦材於前述鋁層或前述鋁材的表面之狀態，進行熱處理，形成前述鈦層之鈦層形成工程，和將形成有前述鈦層之前述鋁層，蝕刻成前述電路圖案狀之蝕刻處理工程。
简体摘要：本发明之绝缘电路基板之制造方法系具备：将铝材接合于前述陶瓷基板而形成铝层之陶瓷/铝接合工程，和于前述铝层或前述铝材的表面，将钛材配设成前述电路图案状之钛材配设工程，和在层积前述钛材于前述铝层或前述铝材的表面之状态，进行热处理，形成前述钛层之钛层形成工程，和将形成有前述钛层之前述铝层，蚀刻成前述电路图案状之蚀刻处理工程。

10. 发明专利

TW201729438A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201729438A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105132393
申请日：2016-10-06
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：奧村圭佑 , OKUMURA, KEISUKE , 本田哲士 , HONDA, SATOSHI
IPC分类号： H01L35/08 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/08 , H01L35/34
摘要：本發明係提供一種半導體裝置之製造方法，其係在以2張絕緣基板如包夾般固定半導體元件時，可抑制半導體元件之位置位移或傾斜發生。一種半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：步驟A，於形成有第1絕緣基板之第1電極上介由第1燒結前層，與半導體元件暫時黏著，得到積層體；步驟B，前述步驟A之後，使前述半導體元件介由與第1燒結前層為相反側之第2燒結前層，於形成有第2絕緣基板之第2電極上暫時黏著，得到半導體裝置前體；步驟C，前述步驟B之後，將第1燒結前層及第2燒結前層同時加熱，使半導體元件與第1電極及第2電極接合。
简体摘要：本发明系提供一种半导体设备之制造方法，其系在以2张绝缘基板如包夹般固定半导体组件时，可抑制半导体组件之位置位移或倾斜发生。一种半导体设备之制造方法，其特征系包含：步骤A，于形成有第1绝缘基板之第1电极上介由第1烧结前层，与半导体组件暂时黏着，得到积层体；步骤B，前述步骤A之后，使前述半导体组件介由与第1烧结前层为相反侧之第2烧结前层，于形成有第2绝缘基板之第2电极上暂时黏着，得到半导体设备前体；步骤C，前述步骤B之后，将第1烧结前层及第2烧结前层同时加热，使半导体组件与第1电极及第2电极接合。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式