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热词
    • 1. 发明专利
    • 半導體元件
    • 半导体组件
    • TW202023073A
    • 2020-06-16
    • TW108130643
    • 2019-08-27
    • 日商琳得科股份有限公司LINTEC CORPORATION
    • 森田亘MORITA, WATARU加藤邦久KATO, KUNIHISA武藤豪志MUTO, TSUYOSHI勝田祐馬KATSUTA, YUMA
    • H01L35/16H01L35/32C08K3/01C08L101/00
    • 一種半導體元件,其在將半導體元件使用作為熱電轉換元件時,提供具有優異熱電性能之具備剖面形狀經控制的熱電元件層之熱電轉換元件,且為在基板上包括由半導體組合物構成的半導體元件層的半導體元件,上述半導體組合物包括半導體材料,並且,在將包括上述半導體元件層的中央部的縱剖面的面積設為S(μm2)、縱剖面的厚度方向的厚度的最大值設為Dmax(μm)、縱剖面的寬度方向的長度的最大值設為Xmax(μm)時,上述半導體元件層的上述縱剖面滿足以下的條件(A)及(B): (A)0.75≦S/(Dmax×Xmax)≦1.00 (B)Dmax≧10μm或(Dmax/Xmax)≧0.03。
    • 一种半导体组件,其在将半导体组件使用作为热电转换组件时,提供具有优异热电性能之具备剖面形状经控制的热电组件层之热电转换组件,且为在基板上包括由半导体组合物构成的半导体组件层的半导体组件,上述半导体组合物包括半导体材料,并且,在将包括上述半导体组件层的中央部的纵剖面的面积设为S(μm2)、纵剖面的厚度方向的厚度的最大值设为Dmax(μm)、纵剖面的宽度方向的长度的最大值设为Xmax(μm)时,上述半导体组件层的上述纵剖面满足以下的条件(A)及(B): (A)0.75≦S/(Dmax×Xmax)≦1.00 (B)Dmax≧10μm或(Dmax/Xmax)≧0.03。
    • 3. 发明专利
    • 可撓性熱電變換元件及其製造方法
    • 可挠性热电变换组件及其制造方法
    • TW201836177A
    • 2018-10-01
    • TW107102890
    • 2018-01-26
    • 日商琳得科股份有限公司LINTEC CORPORATION
    • 森田亘MORITA, WATARU加藤邦久KATO, KUNIHISA武藤豪志MUTOU, TSUYOSHI近藤健KONDO, TAKESHI
    • H01L35/30H01L35/32H01B1/24
    • {0>熱電変換モジュールの内部の熱電素子に対し、面内方向に十分な温度差の付与が可能である高い熱電性能を有するフレキシブル熱電変換素子及びその製造方法を提供するものであり、フィルム基板の一方の面に、P型熱電素子とN型熱電素子とが交互に隣接して配置された熱電変換モジュールにおいて、該熱電変換モジュールの両面のうち、少なくとも前記フィルム基板の他方の面側の一部の位置に、高熱伝導性材料からなる高熱伝導層を含み、前記高熱伝導層の熱伝導率が、5~500(W/m・K)である、フレキシブル熱電変換素子、及びその製造方法である。<}0{>本發明係一種可撓性熱電變換元件及其製造方法,提供:對於熱電變換模組之內部的熱電元件而言,可賦予充份之溫度差於面內方向之具有高熱電性能之可撓性熱電變換元件及其製造方法者,其中,在於薄膜基板之一方的面,交互鄰接P型熱電元件與N型熱電元件而加以配置之熱電變換模組中,該熱電變換模組之兩面之中,至少於前述薄膜基板之另一方的面側之一部分的位置,含有高熱傳導性材料所成之高熱傳導層,而前述高熱傳導層之熱傳導率則為5~500(W/m・K)之可撓性熱電變換元件及其製造方法。
    • {0>热电変换モジュールの内部の热电素子に対し、面内方向に十分な温度差の付与が可能である高い热电性能を有するフレキシブル热电変换素子及びその制造方法を提供するものであり、フィルム基板の一方の面に、P型热电素子とN型热电素子とが交互に邻接して配置された热电変换モジュールにおいて、该热电変换モジュールの两面のうち、少なくとも前记フィルム基板の他方の面侧の一部の位置に、高热伝导性材料からなる高热伝导层を含み、前记高热伝导层の热伝导率が、5~500(W/m・K)である、フレキシブル热电変换素子、及びその制造方法である。<}0{>本发明系一种可挠性热电变换组件及其制造方法,提供:对于热电变换模块之内部的热电组件而言,可赋予充份之温度差于面内方向之具有高热电性能之可挠性热电变换组件及其制造方法者,其中,在于薄膜基板之一方的面,交互邻接P型热电组件与N型热电组件而加以配置之热电变换模块中,该热电变换模块之两面之中,至少于前述薄膜基板之另一方的面侧之一部分的位置,含有高热传导性材料所成之高热传导层,而前述高热传导层之热传导率则为5~500(W/m・K)之可挠性热电变换组件及其制造方法。