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1. 发明专利

TWI536433B 金氧半Ｐ－Ｎ接面二極體及其製作方法有权
简体标题：金氧半Ｐ－Ｎ接面二极管及其制作方法
公开(公告)号：TWI536433B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102140522
申请日：2013-11-07
申请人：佰群科技股份有限公司 , BRILLIANT ENGINEERING TECH. CO., LTD.
发明人：孫承梓 , SUN, CHENG TZU , 洪岳霜 , HUNG, YUE SHUANG , 鄭元龍 , CHENG, YUAN LUNG
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/66

2. 发明专利

TW201519290A 金氧半Ｐ－Ｎ接面二極體及其製作方法审中-公开
简体标题：金氧半Ｐ－Ｎ接面二极管及其制作方法
公开(公告)号：TW201519290A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102140522
申请日：2013-11-07
申请人：佰群科技股份有限公司 , BRILLIANT ENGINEERING TECH. CO., LTD.
发明人：孫承梓 , SUN, CHENG TZU , 洪岳霜 , HUNG, YUE SHUANG , 鄭元龍 , CHENG, YUAN LUNG
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/66
摘要：本發明係為一種金氧半P-N接面二極體及其製作方法，該方法包含下列步驟：於一半導體基板的部份表面上形成一第一介電層；於半導體基板中形成一第一離子佈植區域；於半導體基板的部份表面上形成連接於第一介電層的一第二介電層，第二介電層之厚度小於第一介電層；於第一介電層的部份表面和第二介電層上形成一多晶矽層；於半導體基板中形成相連接的一第二離子佈植區域和一第三離子佈植區域；於第一介電層所露出的表面、半導體基板所露出的表面和多晶矽層上形成一金屬濺鍍層；以及對部份金屬濺鍍層和部份第一介電層蝕刻，以露出部份第一介電層。
简体摘要：本发明系为一种金氧半P-N接面二极管及其制作方法，该方法包含下列步骤：于一半导体基板的部份表面上形成一第一介电层；于半导体基板中形成一第一离子布植区域；于半导体基板的部份表面上形成连接于第一介电层的一第二介电层，第二介电层之厚度小于第一介电层；于第一介电层的部份表面和第二介电层上形成一多晶硅层；于半导体基板中形成相连接的一第二离子布植区域和一第三离子布植区域；于第一介电层所露出的表面、半导体基板所露出的表面和多晶硅层上形成一金属溅镀层；以及对部份金属溅镀层和部份第一介电层蚀刻，以露出部份第一介电层。

3. 发明专利

TW201614733A 溝渠式蕭基二極體及其製作方法审中-公开
简体标题：沟渠式萧基二极管及其制作方法
公开(公告)号：TW201614733A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103134633
申请日：2014-10-03
申请人：佰群科技股份有限公司 , BRILLLIANT ENGINEERING TECH. CO., LTD.
发明人：孫承梓 , SUN, CHENG TZU , 洪岳霜 , HUNG, YUE SHUANG , 鄭元龍 , CHENG, YUAN LUNG
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/28
摘要：一種溝渠式蕭基二極體及其製作方法。該方法包含：於一基板中形成具多個側壁的一多溝渠結構和對應側壁邊緣的多個第一、第二邊緣層；氧化多溝渠結構以形成一閘極氧化層並覆蓋第一、第二邊緣層；於溝渠內之閘極氧化層上形成一多晶矽結構；於閘極氧化層與多晶矽結構上形成一化學氣相沉積氧化層；蝕刻部份化學氣相沉積氧化層與閘極氧化層以露出部份基板、部份多晶矽結構與第一邊緣層；於多晶矽結構、閘極氧化層、化學氣相沉積氧化層、第一邊緣層與基板上形成一第一金屬層；將多晶矽結構、第一邊緣層、基板與第一金屬層相互接觸的部份形成一蕭基金屬層；於蕭基金屬層與所餘的第一金屬層上形成一第二金屬層；蝕刻部份第一、第二金屬層以部份露出化學氣相沉積氧化層。
简体摘要：一种沟渠式萧基二极管及其制作方法。该方法包含：于一基板中形成具多个侧壁的一多沟渠结构和对应侧壁边缘的多个第一、第二边缘层；氧化多沟渠结构以形成一闸极氧化层并覆盖第一、第二边缘层；于沟渠内之闸极氧化层上形成一多晶硅结构；于闸极氧化层与多晶硅结构上形成一化学气相沉积氧化层；蚀刻部份化学气相沉积氧化层与闸极氧化层以露出部份基板、部份多晶硅结构与第一边缘层；于多晶硅结构、闸极氧化层、化学气相沉积氧化层、第一边缘层与基板上形成一第一金属层；将多晶硅结构、第一边缘层、基板与第一金属层相互接触的部份形成一萧基金属层；于萧基金属层与所余的第一金属层上形成一第二金属层；蚀刻部份第一、第二金属层以部份露出化学气相沉积氧化层。

4. 发明专利

TWI578403B 溝渠式蕭基二極體及其製作方法有权
简体标题：沟渠式萧基二极管及其制作方法
公开(公告)号：TWI578403B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103134633
申请日：2014-10-03
申请人：佰群科技股份有限公司 , BRILLLIANT ENGINEERING TECH. CO., LTD.
发明人：孫承梓 , SUN, CHENG TZU , 洪岳霜 , HUNG, YUE SHUANG , 鄭元龍 , CHENG, YUAN LUNG
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/28

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