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1. 发明专利

TWI688631B 黏著片及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：黏着片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI688631B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW104138521
申请日：2016-02-01
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐藤明徳 , SATO, AKINORI , 藤本泰史 , FUJIMOTO, HIRONOBU , 岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 山田忠知 , YAMADA, TADATOMO , 毛受利彰 , MENJO, TOSHIAKI , 河崎仁彦 , KAWASAKI, KIMIHIKO
IPC分类号： C09J7/00 , C09J201/00 , C09J7/20 , H01L21/301

2. 发明专利

TWI676210B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI676210B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW104143853
申请日：2015-12-25
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 佐藤明徳 , SATO, AKINORI , 藤本泰史 , FUJIMOTO, HIRONOBU , 毛受利彰 , MENJO, TOSHIAKI , 山田忠知 , YAMADA, TADATOMO , 河崎仁彦 , KAWASAKI, KIMIHIKO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/683 , H01L23/12 , H01L21/56

3. 发明专利

TWI695421B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI695421B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW104143856
申请日：2015-12-25
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 佐藤明徳 , SATO, AKINORI , 藤本泰史 , FUJIMOTO, HIRONOBU , 毛受利彰 , MENJO, TOSHIAKI , 山田忠知 , YAMADA, TADATOMO , 河崎仁彦 , KAWASAKI, KIMIHIKO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/683 , H01L23/12 , H01L21/56

4. 发明专利

TWI646616B 半導體用保護膜、半導體裝置以及複合片有权
简体标题：半导体用保护膜、半导体设备以及复合片
公开(公告)号：TWI646616B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW105117571
申请日：2016-06-03
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 池田亮平 , IKEDA, RYOHEI , 堀米克彦 , HORIGOME, KATSUHIKO
IPC分类号： H01L21/67 , B32B7/12

5. 发明专利

TW201842596A 半導體裝置之製造方法及黏著薄片审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及黏着薄片
公开(公告)号：TW201842596A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111208
申请日：2018-03-30
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：阿久津高志 , AKUTSU, TAKASHI , 岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 中山武人 , NAKAYAMA, TAKEHITO
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31 , C09J7/25 , C09J7/40 , B32B7/06
摘要：本發明提供半導體裝置之製造方法及該製造方法所用之黏著薄片，該半導體裝置之製造方法係使用黏著薄片來製造半導體裝置之方法，該黏著薄片具有：黏著劑層、與包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材，具有下述步驟(1)～(4)，　　步驟(1)：將形成有開口部的框構件貼合於黏著劑層的黏著表面之步驟；　　步驟(2)：將半導體晶片載置於在前述框構件的前述開口部露出的前述黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟；　　步驟(3)：以密封材來被覆前述半導體晶片、前述框構件、與前述黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟；　　步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。　　該製造方法可抑制扇出型封裝之製造步驟中之半導體晶片發生位置偏移，且生產性優異，所得之半導體裝置之再配線層形成面之平坦性優異。
简体摘要：本发明提供半导体设备之制造方法及该制造方法所用之黏着薄片，该半导体设备之制造方法系使用黏着薄片来制造半导体设备之方法，该黏着薄片具有：黏着剂层、与包含膨胀性粒子且为非黏着性的基材，具有下述步骤(1)～(4)，　　步骤(1)：将形成有开口部的框构件贴合于黏着剂层的黏着表面之步骤；　　步骤(2)：将半导体芯片载置于在前述框构件的前述开口部露出的前述黏着剂层的黏着表面的一部分之步骤；　　步骤(3)：以密封材来被覆前述半导体芯片、前述框构件、与前述黏着剂层的黏着表面中的前述半导体芯片的周边部，使该密封材硬化，得到前述半导体芯片被硬化密封材所密封而成的硬化密封体之步骤；　　步骤(4)：使前述膨胀性粒子膨胀，将前述黏着薄片从前述硬化密封体上剥离之步骤。　　该制造方法可抑制扇出型封装之制造步骤中之半导体芯片发生位置偏移，且生产性优异，所得之半导体设备之再配线层形成面之平坦性优异。

6. 发明专利

TW201839868A 半導體裝置之製造方法及雙面黏著薄片审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及双面黏着薄片
公开(公告)号：TW201839868A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107111202
申请日：2018-03-30
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：阿久津高志 , AKUTSU, TAKASHI , 岡本也 , OKAMOTO, NAOYA , 中山武人 , NAKAYAMA, TAKEHITO
IPC分类号： H01L21/56
摘要：本發明提供半導體裝置之製造方法及該製造方法所用之雙面黏著薄片，該半導體裝置之製造方法係使用雙面黏著薄片來製造半導體裝置之方法，該雙面黏著薄片依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層，　　具有下述步驟(1)~(4)，　　步驟(1)：將硬質支撐體貼合於第2黏著劑層的黏著表面之步驟；　　步驟(2)：將半導體晶片載置於第1黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟；　　步驟(3)：以密封材來被覆前述半導體晶片、與第1黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟；　　步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。　　該製造方法可抑制扇出型封裝之製造步驟中之半導體晶片發生位置偏移，且生產性優異，所得之半導體裝置之再配線層形成面之平坦性優異。
简体摘要：本发明提供半导体设备之制造方法及该制造方法所用之双面黏着薄片，该半导体设备之制造方法系使用双面黏着薄片来制造半导体设备之方法，该双面黏着薄片依序具有：第1黏着剂层、包含膨胀性粒子且为非黏着性的基材、与第2黏着剂层，　　具有下述步骤(1)~(4)，　　步骤(1)：将硬质支撑体贴合于第2黏着剂层的黏着表面之步骤；　　步骤(2)：将半导体芯片载置于第1黏着剂层的黏着表面的一部分之步骤；　　步骤(3)：以密封材来被覆前述半导体芯片、与第1黏着剂层的黏着表面中的前述半导体芯片的周边部，使该密封材硬化，得到前述半导体芯片被硬化密封材所密封而成的硬化密封体之步骤；　　步骤(4)：使前述膨胀性粒子膨胀，将前述双面黏着薄片从前述硬化密封体上剥离之步骤。　　该制造方法可抑制扇出型封装之制造步骤中之半导体芯片发生位置偏移，且生产性优异，所得之半导体设备之再配线层形成面之平坦性优异。

7. 发明专利

TW202014302A 層合體及硬化密封體之製造方法审中-公开
简体标题：层合体及硬化密封体之制造方法
公开(公告)号：TW202014302A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW107134885
申请日：2018-10-03
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐藤明德 , SATO, AKINORI , 高麗洋佑 , KOMA, YOSUKE , 阿久津高志 , AKUTSU, TAKASHI , 垣內康彦 , KAKIUCHI, YASUHIKO , 岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 山田忠知 , YAMADA, TADATOMO , 中山武人 , NAKAYAMA, TAKEHITO
IPC分类号： B32B27/06 , H01L23/29
摘要：本發明為有關一種層合體，其為具有：能量線硬化性樹脂層(I)，與支撐該能量線硬化性樹脂層(I)的支撐層(II)；其中，前述能量線硬化性樹脂層(I)，為具有具黏著性的表面，前述支撐層(II)為具有基材(Y)及黏著劑層，該基材(Y)及黏著劑層之至少一者為含有熱膨脹性粒子，前述由能量線硬化性樹脂層(I)硬化形成的硬化樹脂層(I’)與前述支撐層(II)，經使前述熱膨脹性粒子進行膨脹之處理，而於其界面形成分離。
简体摘要：本发明为有关一种层合体，其为具有：能量线硬化性树脂层(I)，与支撑该能量线硬化性树脂层(I)的支撑层(II)；其中，前述能量线硬化性树脂层(I)，为具有具黏着性的表面，前述支撑层(II)为具有基材(Y)及黏着剂层，该基材(Y)及黏着剂层之至少一者为含有热膨胀性粒子，前述由能量线硬化性树脂层(I)硬化形成的硬化树脂层(I’)与前述支撑层(II)，经使前述热膨胀性粒子进行膨胀之处理，而于其界面形成分离。

8. 发明专利

TWI681481B 整列裝置及整列方法有权
简体标题：整列设备及整列方法
公开(公告)号：TWI681481B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW104133033
申请日：2015-10-07
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：毛受利彰 , MENJO, TOSHIAKI , 岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/301

9. 发明专利

TWI666726B 帶狀薄片的支承裝置及帶狀薄片的管理方法有权
简体标题：带状薄片的支承设备及带状薄片的管理方法
公开(公告)号：TWI666726B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104110989
申请日：2015-04-02
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：松下香織 , MATSUSHITA, KAORI , 片倉克己 , KATAKURA, KATSUMI , 鳴河正之 , NARUKAWA, MASAYUKI , 渡邉健一 , WATANABE, KENICHI , 岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA
IPC分类号： H01L21/683 , H01Q7/00 , H01Q1/22

10. 发明专利

TW201921606A 半導體裝置之製造方法、及接著層合體审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、及接着层合体
公开(公告)号：TW201921606A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126790
申请日：2018-08-02
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 山田忠知 , YAMADA, TADATOMO , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L23/12 , C09J5/00 , C09J201/00
摘要：一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具有：隔著接著劑層而貼附基材(11)與半導體元件的步驟、使前述接著劑層硬化而形成硬化接著劑層(12A)的步驟、密封複數之前述半導體元件而形成具有密封樹脂層的密封體(3)的步驟、不由密封體(3)剝離前述硬化接著劑層(12A)而由密封體(3)剝離基材(11)的步驟、形成與前述半導體元件電性連接的再配線層的步驟、使外部端子電極電性連接於前述再配線層的步驟。
简体摘要：一种半导体设备之制造方法，其特征为具有：隔着接着剂层而贴附基材(11)与半导体组件的步骤、使前述接着剂层硬化而形成硬化接着剂层(12A)的步骤、密封复数之前述半导体组件而形成具有密封树脂层的密封体(3)的步骤、不由密封体(3)剥离前述硬化接着剂层(12A)而由密封体(3)剥离基材(11)的步骤、形成与前述半导体组件电性连接的再配线层的步骤、使外部端子电极电性连接于前述再配线层的步骤。

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