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1. 发明专利

TW201706988A 記憶元件及其製造方法审中-公开
简体标题：记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201706988A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104125738
申请日：2015-08-07
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：張維哲 , CHANG, WEI-CHE , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI , 田中勳 , TANAKA, ISAO
IPC分类号： G11C7/18 , H01L27/108 , H01L21/764
摘要：本發明提供一種記憶元件及其製造方法，所述記憶元件包括：基底、多個堆疊結構、多個接觸結構、多個間隙壁結構以及多個介電層。堆疊結構位於基底上。接觸結構分別位於堆疊結構之間的基底上。間隙壁結構分別位於堆疊結構的兩側壁。各間隙壁結構具有空氣間隙。介電層分別位於堆疊結構上。各介電層覆蓋各間隙壁結構的空氣間隙的頂面。
简体摘要：本发明提供一种记忆组件及其制造方法，所述记忆组件包括：基底、多个堆栈结构、多个接触结构、多个间隙壁结构以及多个介电层。堆栈结构位于基底上。接触结构分别位于堆栈结构之间的基底上。间隙壁结构分别位于堆栈结构的两侧壁。各间隙壁结构具有空气间隙。介电层分别位于堆栈结构上。各介电层覆盖各间隙壁结构的空气间隙的顶面。

2. 发明专利

TWI566334B 動態隨機存取記憶裝置之製造方法有权
简体标题：动态随机存取记忆设备之制造方法
公开(公告)号：TWI566334B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW104109694
申请日：2015-03-26
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：田中義典 , TANAKA, YOSHINORI , 江明崇 , CHIANG, MING CHUNG , 顏懋祥 , YEN, MAO HSIANG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108

3. 发明专利

TW201635443A 動態隨機存取記憶裝置之製造方法审中-公开
简体标题：动态随机存取记忆设备之制造方法
公开(公告)号：TW201635443A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104109694
申请日：2015-03-26
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：田中義典 , TANAKA, YOSHINORI , 江明崇 , CHIANG, MING CHUNG , 顏懋祥 , YEN, MAO HSIANG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要：一種動態隨機存取記憶裝置之製造方法，包括在一基底上形成彼此隔開的二個罩幕層。在具有罩幕層的基底上順應性形成一材料層，使材料層於罩幕層之間形成一凹陷區。在凹陷區的相對的側壁上形成二個間隙壁，以在間隙壁之間定義出一第一區且在間隙壁與罩幕層之間定義出二個第二區。以罩幕層及間隙壁作為蝕刻罩幕進行多重蝕刻製程，以在第一區及第二區的基底內對應形成一第一溝槽及二個第二溝槽，其中第一溝槽的深度深於第二溝槽的深度。在第一溝槽內填入一虛設閘極層及在第二溝槽內分別填入一閘極層。
简体摘要：一种动态随机存取记忆设备之制造方法，包括在一基底上形成彼此隔开的二个罩幕层。在具有罩幕层的基底上顺应性形成一材料层，使材料层于罩幕层之间形成一凹陷区。在凹陷区的相对的侧壁上形成二个间隙壁，以在间隙壁之间定义出一第一区且在间隙壁与罩幕层之间定义出二个第二区。以罩幕层及间隙壁作为蚀刻罩幕进行多重蚀刻制程，以在第一区及第二区的基底内对应形成一第一沟槽及二个第二沟槽，其中第一沟槽的深度深于第二沟槽的深度。在第一沟槽内填入一虚设闸极层及在第二沟槽内分别填入一闸极层。

4. 发明专利

TWI633648B 記憶體裝置及其製造方法有权
简体标题：内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI633648B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106122357
申请日：2017-07-04
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：任楷 , JEN, KAI , 張維哲 , CHANG, WEI CHE , 真鍋和孝 , MANABE, KAZUTAKA , 竹迫壽晃 , TAKESAKO, KAZUAKI , 池田典昭 , IKEDA, NORIAKI , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242

5. 发明专利

TWI626716B 記憶元件及其製造方法有权
简体标题：记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI626716B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW106123600
申请日：2017-07-14
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：張維哲 , CHANG, WEI-CHE , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/68

6. 发明专利

TWI617007B 記憶體裝置有权
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TWI617007B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106119221
申请日：2017-06-09
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：顏英竹 , YEN, YING CHU , 張維哲 , CHANG, WEI CHE , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/06

7. 发明专利

TWI576993B 記憶元件的製造方法有权
简体标题：记忆组件的制造方法
公开(公告)号：TWI576993B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104141456
申请日：2015-12-10
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：簡毅豪 , CHIEN, YI-HAO , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI , 張維哲 , CHANG, WEI-CHE
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242

8. 发明专利

TW201904024A 記憶體裝置审中-公开
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TW201904024A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106119221
申请日：2017-06-09
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：顏英竹 , YEN, YING CHU , 張維哲 , CHANG, WEI CHE , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/06
摘要：一種記憶體裝置包括一半導體基底，具有由一裝置隔離結構所定義出的至少一主動區。記憶體裝置更包括二個相鄰的埋入式字元線，設置於主動區的半導體基底內。記憶體裝置更包括一溝槽隔離結構，設置於該等埋入式字元線之間的該半導體基底內。
简体摘要：一种内存设备包括一半导体基底，具有由一设备隔离结构所定义出的至少一主动区。内存设备更包括二个相邻的埋入式字符线，设置于主动区的半导体基底内。内存设备更包括一沟槽隔离结构，设置于该等埋入式字符线之间的该半导体基底内。

9. 发明专利

TWI623084B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI623084B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106122170
申请日：2017-07-03
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：張維哲 , CHANG, WEI-CHE , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242

10. 发明专利

TWI565004B 動態隨機存取記憶體及其製造方法有权
简体标题：动态随机存取内存及其制造方法
公开(公告)号：TWI565004B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW103128434
申请日：2014-08-19
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：田中義典 , TANAKA, YOSHINORI , 江明崇 , CHIANG, MING CHUNG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108

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