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1. 发明专利

TWI687372B 芯線保持器和矽的製造方法有权
简体标题：芯线保持器和硅的制造方法
公开(公告)号：TWI687372B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW104136361
申请日：2015-11-04
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06

2. 发明专利

TW202003383A 矽微粒子及其製造方法审中-公开
简体标题：硅微粒子及其制造方法
公开(公告)号：TW202003383A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116934
申请日：2019-05-16
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：望月直人 , MOCHIZUKI, NAOTO , 石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI , 有行正男 , ARIYUKI, MASAO , 福原浩二 , FUKUHARA, KOJI
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/03
摘要：本發明係提供一種可有效地防止氧化且具有接近於非晶質之微晶徑之矽微粒子。本發明之矽微粒子之特徵為：一次粒子的平均直徑為30至900nm，微晶徑未達10nm，氯濃度為1至10質量%，以及氧濃度(Co：質量%)與比表面積(S：m2/g)之比(Co/S)未達0.05。此外，本發明之矽微粒子的製造方法係於反應器內將含有三氯矽烷之氣體加熱至600至950℃的溫度，使三氯矽烷熱分解而生成含氯矽微粒子前驅物後，捕集前述矽微粒子前驅物，接著在非活性氣體的供給下或減壓下以750至900℃的溫度加熱所捕集之矽微粒子前驅物並進行脫氯。
简体摘要：本发明系提供一种可有效地防止氧化且具有接近于非晶质之微晶径之硅微粒子。本发明之硅微粒子之特征为：一次粒子的平均直径为30至900nm，微晶径未达10nm，氯浓度为1至10质量%，以及氧浓度(Co：质量%)与比表面积(S：m2/g)之比(Co/S)未达0.05。此外，本发明之硅微粒子的制造方法系于反应器内将含有三氯硅烷之气体加热至600至950℃的温度，使三氯硅烷热分解而生成含氯硅微粒子前驱物后，捕集前述硅微粒子前驱物，接着在非活性气体的供给下或减压下以750至900℃的温度加热所捕集之硅微粒子前驱物并进行脱氯。

3. 发明专利

TW201628973A 芯線保持器和矽的製造方法审中-公开
简体标题：芯线保持器和硅的制造方法
公开(公告)号：TW201628973A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104136361
申请日：2015-11-04
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/24
摘要：本發明的芯材保持器3安裝在電極2上，該電極2布置在利用西門子法製造矽的矽製造裝置20之底座上，芯材保持器3具有近似圓錐台形的矽芯線保持部9，該矽芯線保持部9用來保持矽芯線4並對矽芯線4通電。在近似圓錐台形的矽芯線保持部9之上表面上形成有用來保持矽芯線4的矽芯線插入孔7，矽芯線保持部9具有倒角部8，該倒角部8是由該矽芯線保持部9之上表面和側面所構成的稜部形成為曲面狀而成的。
简体摘要：本发明的芯材保持器3安装在电极2上，该电极2布置在利用西门子法制造硅的硅制造设备20之底座上，芯材保持器3具有近似圆锥台形的硅芯线保持部9，该硅芯线保持部9用来保持硅芯线4并对硅芯线4通电。在近似圆锥台形的硅芯线保持部9之上表面上形成有用来保持硅芯线4的硅芯线插入孔7，硅芯线保持部9具有倒角部8，该倒角部8是由该硅芯线保持部9之上表面和侧面所构成的棱部形成为曲面状而成的。

4. 发明专利

TW201431783A 多結晶矽晶棒及其製造方法审中-公开
简体标题：多结晶硅晶棒及其制造方法
公开(公告)号：TW201431783A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102147900
申请日：2013-12-24
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：井村哲也 , IMURA, TETSUYA , 相本恭正 , AIMOTO, YASUMASA , 石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035
摘要： [主題]本發明之目的係提供一種在矽芯線上以氣相成長方式製得，且於矽芯線界面所含有之氧濃度低的多結晶矽晶棒。[解決手段]本發明之技術手段為：一種多結晶矽晶棒，其係為在矽芯線上以氣相成長方式製得之多結晶矽晶棒，前述矽芯線界面之氧元素濃度為5至200ppba。
简体摘要： [主题]本发明之目的系提供一种在硅芯在线以气相成长方式制得，且于硅芯线界面所含有之氧浓度低的多结晶硅晶棒。[解决手段]本发明之技术手段为：一种多结晶硅晶棒，其系为在硅芯在线以气相成长方式制得之多结晶硅晶棒，前述硅芯线界面之氧元素浓度为5至200ppba。

5. 发明专利

TW201446648A 矽晶製造用芯線固持器审中-公开
简体标题：硅晶制造用芯线固持器
公开(公告)号：TW201446648A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103112966
申请日：2014-04-09
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：相本恭正 , AIMOTO, YASUMASA , 井村哲也 , IMURA, TETSUYA , 石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035
摘要： [主題]本發明之目的係提供一種芯線固持器，使矽晶在矽芯線上氣相成長，促進在回收已成長的矽晶棒之前的期間產生的矽晶棒的下部的徑成長，並能夠有效減少成長時的棒體的倒壞。[解決手段]安裝於依據西門子法的矽晶製造裝置的底板並用以固持矽芯線及對矽芯線通電的芯線固持器3，其具有用以固持該矽芯線的矽芯線插入孔7，在包含從該矽芯線插入孔7的邊緣向外周方向延伸的外緣部的範圍內，形成熱傳導層8，構成該熱傳導層的材質之熱傳導率大於構成芯線固持器的基材9的材質。
简体摘要： [主题]本发明之目的系提供一种芯线固持器，使硅晶在硅芯在线气相成长，促进在回收已成长的硅晶棒之前的期间产生的硅晶棒的下部的径成长，并能够有效减少成长时的棒体的倒坏。[解决手段]安装于依据西门子法的硅晶制造设备的底板并用以固持硅芯线及对硅芯线通电的芯线固持器3，其具有用以固持该硅芯线的硅芯线插入孔7，在包含从该硅芯线插入孔7的边缘向外周方向延伸的外缘部的范围内，形成热传导层8，构成该热传导层的材质之热传导率大于构成芯线固持器的基材9的材质。

6. 发明专利

TWI593627B 多結晶矽晶棒及其製造方法有权
简体标题：多结晶硅晶棒及其制造方法
公开(公告)号：TWI593627B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102147900
申请日：2013-12-24
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：井村哲也 , IMURA, TETSUYA , 相本恭正 , AIMOTO, YASUMASA , 石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035

7. 发明专利

TWI558863B 多晶矽棒有权
简体标题：多晶硅棒
公开(公告)号：TWI558863B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW102107434
申请日：2013-03-04
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI , 井村哲也 , IMURA, TETSUYA , 相本恭正 , AIMOTO, KYOUSEI
IPC分类号： C30B28/10
CPC分类号： C30B29/66 , C01B33/035 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/607 , Y10T428/12674

8. 发明专利

TW201339379A 多晶矽棒审中-公开
简体标题：多晶硅棒
公开(公告)号：TW201339379A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102107434
申请日：2013-03-04
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI , 井村哲也 , IMURA, TETSUYA , 相本恭正 , AIMOTO, KYOUSEI
IPC分类号： C30B28/10
CPC分类号： C30B29/66 , C01B33/035 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/607 , Y10T428/12674
摘要：本發明是提供一種多晶矽棒，熔解所需的能量少，而在用作單晶矽製造原料或鑄造法矽鑄錠製造之時，可對削減能源成本具有貢獻。本發明之多晶矽棒，是以矽芯線為中心放射狀地析出多晶矽，其特徵在於：將圓柱狀的棒材相對於軸向垂直裁切的裁切面中，在芯線部分以外的面觀察的結晶中，長徑為50μm以上的粗大晶粒的面積比例為20%以上。
简体摘要：本发明是提供一种多晶硅棒，熔解所需的能量少，而在用作单晶硅制造原料或铸造法硅铸锭制造之时，可对削减能源成本具有贡献。本发明之多晶硅棒，是以硅芯线为中心放射状地析出多晶硅，其特征在于：将圆柱状的棒材相对于轴向垂直裁切的裁切面中，在芯线部分以外的面观察的结晶中，长径为50μm以上的粗大晶粒的面积比例为20%以上。

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