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1. 发明专利

TWI601690B 多孔質矽粒子及多孔質矽複合體粒子有权
简体标题：多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子
公开(公告)号：TWI601690B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW102110069
申请日：2013-03-21
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 , TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. , 古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：吉田浩一 , YOSHIDA, HIROKAZU , 瀨川春彥 , SEGAWA, HARUHIKO , 谷俊夫 , TANI, TOSHIO , 西村健 , NISHIMURA, TAKESHI , 加藤秀實 , KATO, HIDEMI , 和田武 , WADA, TAKESHI
IPC分类号： C01B33/021 , H01M4/38
CPC分类号： C01B33/02 , C01P2006/40 , C09C1/30 , C30B21/00 , C30B29/06 , H01G11/50 , H01M4/362 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y02E60/13

2. 发明专利

TW201545980A 用於在流化床反應器中生產多晶矽顆粒的矽晶種粒子审中-公开
简体标题：用于在流化床反应器中生产多晶硅颗粒的硅晶种粒子
公开(公告)号：TW201545980A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104118463
申请日：2015-06-08
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：福斯特波音特納葛哈德 , FORSTPOINTNER, GERHARD , 霍斯威爾斯雷納 , HAUSWIRTH, RAINER
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/021 , C23C16/24 , C23C16/442 , B01J8/24 , B02C19/06 , B02C23/18
CPC分类号： B02C19/068 , C01B33/021 , C04B35/5626 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3847 , C04B2235/405
摘要：本發明關於一種生產矽晶種粒子的方法，該矽晶種粒子可用於在流化床反應器中生產多晶矽顆粒，該方法包含向一具有多晶矽顆粒的室中引入研磨氣體流，由此多晶矽顆粒的單個顆粒被加速使得它們與多晶矽顆粒的其它顆粒彼此碰撞，在這種情況下多晶矽顆粒被粉碎，其中該研磨氣體流藉由至少一個由硬質金屬製成的噴嘴引入到該室中。
简体摘要：本发明关于一种生产硅晶种粒子的方法，该硅晶种粒子可用于在流化床反应器中生产多晶硅颗粒，该方法包含向一具有多晶硅颗粒的室中引入研磨气体流，由此多晶硅颗粒的单个颗粒被加速使得它们与多晶硅颗粒的其它颗粒彼此碰撞，在这种情况下多晶硅颗粒被粉碎，其中该研磨气体流借由至少一个由硬质金属制成的喷嘴引入到该室中。

3. 发明专利

TWI464108B 多孔矽奈米線的製法及所製得之多孔矽奈米線有权
简体标题：多孔硅奈米线的制法及所制得之多孔硅奈米线
公开(公告)号：TWI464108B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW101101722
申请日：2012-01-17
申请人：國立高雄大學 , NATIONAL UNIVERSITY OF KAOHSIUNG
发明人：王瑞琪 , 趙健仰 , 蘇韋菘
IPC分类号： B82Y40/00 , C25B1/00 , C01B33/021

4. 发明专利

TW201422527A 從矽泥回收矽及碳化矽之方法审中-公开
简体标题：从硅泥回收硅及碳化硅之方法
公开(公告)号：TW201422527A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101147064
申请日：2012-12-13
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C01B33/021 , C01B31/36
摘要：一種從矽泥回收矽及碳化矽與矽純化之方法。本發明之方法，首先，係快速熔融多個矽粉末成多個熔融矽液滴，碳化矽粉末係在熔融矽液滴的表面上或內部。接著，本發明之方法係控制冷卻速率將多個熔融矽液滴凝固成多個矽微粒，且將碳化矽與殘留雜質排向矽微粒的表面。再藉由酸洗及過篩程序，矽微粒及與碳化矽與少量殘留雜質分離。
简体摘要：一种从硅泥回收硅及碳化硅与硅纯化之方法。本发明之方法，首先，系快速熔融多个硅粉末成多个熔融硅液滴，碳化硅粉末系在熔融硅液滴的表面上或内部。接着，本发明之方法系控制冷却速率将多个熔融硅液滴凝固成多个硅微粒，且将碳化硅与残留杂质排向硅微粒的表面。再借由酸洗及过筛进程，硅微粒及与碳化硅与少量残留杂质分离。

5. 发明专利

TW201600655A 流化床反應器和用於製備粒狀多晶矽的方法审中-公开
简体标题：流化床反应器和用于制备粒状多晶硅的方法
公开(公告)号：TW201600655A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104119737
申请日：2015-06-18
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：佩卓賽門 , PEDRON, SIMON , 包曼柏哈德 , BAUMANN, BERNHARD , 福斯特波音特納葛哈德 , FORSTPOINTNER, GERHARD
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/06 , C30B29/60 , C01B33/021 , B01J8/24
CPC分类号： C01B33/03 , B01J8/1827 , B01J8/1836 , B01J8/1872 , B01J2208/00761 , B01J2208/00902 , C01B33/027 , C01B33/029
摘要：本發明涉及一種用於製備粒狀多晶矽的流化床反應器，所述流化床反應器包括反應器容器(1)、位於所述反應器容器(1)內的反應器管(2)和反應器底部(15)，其中，有中間夾套(3)位於所述反應器管(2)的外壁與所述反應器容器(1)的內壁之間；並且還包括加熱裝置(5)、至少一用於引入流化氣體的底部氣體噴嘴(9)以及至少一用於引入反應氣體的二次氣體噴嘴(10)、用於供應矽晶種顆粒的供料裝置(11)、用於粒狀多晶矽的排出管線(14)以及用於排放反應器廢氣(16)的設備，其中所述反應器管(2)的主要元件包含至少60重量%的碳化矽，且包含CVD塗層，所述CVD塗層的層厚度為至少5 µm，且由達至少99.995重量%之程度的SiC組成，或所述反應器管(2)的主要元件由包含至少99.99重量%的α-Al2 O3 的藍寶石玻璃組成。本發明還涉及一種用於在所述流化床反應器中製備粒狀多晶矽的方法。
简体摘要：本发明涉及一种用于制备粒状多晶硅的流化床反应器，所述流化床反应器包括反应器容器(1)、位于所述反应器容器(1)内的反应器管(2)和反应器底部(15)，其中，有中间夹套(3)位于所述反应器管(2)的外壁与所述反应器容器(1)的内壁之间；并且还包括加热设备(5)、至少一用于引入流化气体的底部气体喷嘴(9)以及至少一用于引入反应气体的二次气体喷嘴(10)、用于供应硅晶种颗粒的供料设备(11)、用于粒状多晶硅的排出管线(14)以及用于排放反应器废气(16)的设备，其中所述反应器管(2)的主要组件包含至少60重量%的碳化硅，且包含CVD涂层，所述CVD涂层的层厚度为至少5 µm，且由达至少99.995重量%之程度的SiC组成，或所述反应器管(2)的主要组件由包含至少99.99重量%的α-Al2 O3 的蓝宝石玻璃组成。本发明还涉及一种用于在所述流化床反应器中制备粒状多晶硅的方法。

6. 发明专利

TW201524906A 矽桿柱之冷絲點火系統及方法审中-公开
简体标题：硅杆柱之冷丝点火系统及方法
公开(公告)号：TW201524906A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103126971
申请日：2014-08-06
申请人： GTAT股份有限公司 , GTAT CORPORATION
发明人：利斯麥可哈洛 , LIESE, MICHAEL HARRO , 弗爾曼威爾弗瑞 , VOLLMAR, WILFRIED , 沃恩納斯凱西麥可 , WORNATH, CASEY MICHAEL
IPC分类号： C01B33/021 , B01J19/08
CPC分类号： C01B33/021 , B01J19/087 , B01J2219/0803 , B01J2219/0879 , C01B33/035 , H05B1/0233
摘要：本發明揭示一種為了矽生產點火一或多個絲之方法及系統，其包含使用與該一或多個絲連接之一變壓器將一輸出電壓施加至該一或多個絲。另外，該方法包含與該輸出電壓之該施加組合，經由一扼流圈而將一電流供應至該變壓器之一初級繞組以限制該電流至一第一預定電流臨限值範圍。該經供應電流與該經施加輸出電壓之該組合容許自起始要求點火該一或多個絲之一電力供應裝置產生之一預定輸出範圍。
简体摘要：本发明揭示一种为了硅生产点火一或多个丝之方法及系统，其包含使用与该一或多个丝连接之一变压器将一输出电压施加至该一或多个丝。另外，该方法包含与该输出电压之该施加组合，经由一扼流圈而将一电流供应至该变压器之一初级绕组以限制该电流至一第一预定电流临限值范围。该经供应电流与该经施加输出电压之该组合容许自起始要求点火该一或多个丝之一电力供应设备产生之一预定输出范围。

7. 发明专利

TW201425220A 從矽泥回收矽之方法审中-公开
简体标题：从硅泥回收硅之方法
公开(公告)号：TW201425220A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101150307
申请日：2012-12-27
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN , 蔡子萱 , TSAI, TZU HSUAN , 楊家福 , YANG, CHIA FU
IPC分类号： C01B33/021
摘要：一種從矽泥回收矽之方法。本發明之方法能低成本、有效地去除矽泥中之碳化矽、金屬物質及磷，進而回收高存度的矽粉末。
简体摘要：一种从硅泥回收硅之方法。本发明之方法能低成本、有效地去除硅泥中之碳化硅、金属物质及磷，进而回收高存度的硅粉末。

8. 发明专利

TW201343549A 多孔質矽粒子及多孔質矽複合體粒子审中-公开
简体标题：多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子
公开(公告)号：TW201343549A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102110069
申请日：2013-03-21
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 , TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. , 古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：吉田浩一 , YOSHIDA, HIROKAZU , 瀨川春彥 , SEGAWA, HARUHIKO , 谷俊夫 , TANI, TOSHIO , 西村健 , NISHIMURA, TAKESHI , 加藤秀實 , KATO, HIDEMI , 和田武 , WADA, TAKESHI
IPC分类号： C01B33/021 , H01M4/38
CPC分类号： C01B33/02 , C01P2006/40 , C09C1/30 , C30B21/00 , C30B29/06 , H01G11/50 , H01M4/362 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y02E60/13
摘要：本發明之課題在於得到適用於可實現高容量及良好循環特性之鋰離子電池用之負極材料等之多孔質矽粒子及多孔質矽複合體粒子。作為其解決手段，本發明使用一種多孔質矽粒子，其係多數矽微粒子接合而具有連續空隙者，其特徵在於前述矽微粒子之粒徑或支柱徑之平均x係2nm至2μm，且前述矽微粒子之粒徑或支柱徑之標準偏差σ係1至500nm，並且前述平均x與前述標準偏差σ之比(σ/x)係0.01至0.5。又，亦可使用一種多孔質矽複合體粒子，其係多數矽微粒子與多數矽化合物粒子接合，而具有連續之空隙者，其特徵為具有同樣之特徵。
简体摘要：本发明之课题在于得到适用于可实现高容量及良好循环特性之锂离子电池用之负极材料等之多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子。作为其解决手段，本发明使用一种多孔质硅粒子，其系多数硅微粒子接合而具有连续空隙者，其特征在于前述硅微粒子之粒径或支柱径之平均x系2nm至2μm，且前述硅微粒子之粒径或支柱径之标准偏差σ系1至500nm，并且前述平均x与前述标准偏差σ之比(σ/x)系0.01至0.5。又，亦可使用一种多孔质硅复合体粒子，其系多数硅微粒子与多数硅化合物粒子接合，而具有连续之空隙者，其特征为具有同样之特征。

9. 发明专利

TW201331121A 多孔矽奈米線的製法及所製得之多孔矽奈米線审中-公开
简体标题：多孔硅奈米线的制法及所制得之多孔硅奈米线
公开(公告)号：TW201331121A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101101722
申请日：2012-01-17
申请人：國立高雄大學 , NATIONAL UNIVERSITY OF KAOHSIUNG
发明人：王瑞琪 , 趙健仰 , 蘇韋菘
IPC分类号： B82Y40/00 , C25B1/00 , C01B33/021
摘要：本發明提供一種多孔矽奈米線的製法，包含：(a)將一矽基材與一蝕刻液反應，蝕刻生成複數矽奈米線，其中，該蝕刻液含有金屬離子；及(b)將該等矽奈米線浸入一電解液並施加電流，藉此，得到複數多孔矽奈米線。該製法能有效克服低電阻率基材的限制，且可輕易控制矽奈米線的孔徑大小及表面疏水性。本發明亦提供一種多孔矽奈米線，是藉由如上所述之多孔矽奈米線的製法所製得，其中，該多孔矽奈米線之電阻率範圍為11~1200 Ω-cm。
简体摘要：本发明提供一种多孔硅奈米线的制法，包含：(a)将一硅基材与一蚀刻液反应，蚀刻生成复数硅奈米线，其中，该蚀刻液含有金属离子；及(b)将该等硅奈米线浸入一电解液并施加电流，借此，得到复数多孔硅奈米线。该制法能有效克服低电阻率基材的限制，且可轻易控制硅奈米线的孔径大小及表面疏水性。本发明亦提供一种多孔硅奈米线，是借由如上所述之多孔硅奈米线的制法所制得，其中，该多孔硅奈米线之电阻率范围为11~1200 Ω-cm。

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