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1. 发明专利

TW201805493A 晶種的鋪設方法及類單晶晶錠之製作方法审中-公开
简体标题：晶种的铺设方法及类单晶晶锭之制作方法
公开(公告)号：TW201805493A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105124746
申请日：2016-08-04
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN , 翁敬閎 , WENG, CHINGHUNG , 楊承叡 , YANG, CHENG JUI , 張元嘯 , CHANG, YUAN HSIAO , 楊瑜民 , YANG, YU MIN , 余文懷 , YU, WEN HUAI , 施英汝 , SHIH, YING RU , 許松林 , HSU, SUNG LIN
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
摘要：本揭露提供一種晶種的鋪設方法，包括鋪設拼接晶種層於長晶容器之底部。上述拼接晶種層包括單晶塊及單晶擋片，單晶塊經配置位於長晶容器之底部且彼此不接觸，單晶擋片分別夾設於相鄰單晶塊之間的間隙並分別與相鄰單晶塊接觸，且單晶擋片之寬度小於單晶塊之寬度。單晶塊的晶向相同且朝向同一方向，單晶擋片的主要晶向與單晶塊的主要晶向相同，且各單晶擋片的次要晶向與單晶塊的次要晶向分別具有不為0度的夾角。本揭露提供一種類單晶晶錠之製作方法，包括形成熔湯於拼接晶種層上，以及冷卻熔湯以使晶粒由拼接晶種層上成長以形成類單晶晶錠。
简体摘要：本揭露提供一种晶种的铺设方法，包括铺设拼接晶种层于长晶容器之底部。上述拼接晶种层包括单晶块及单晶挡片，单晶块经配置位于长晶容器之底部且彼此不接触，单晶挡片分别夹设于相邻单晶块之间的间隙并分别与相邻单晶块接触，且单晶挡片之宽度小於单晶块之宽度。单晶块的晶向相同且朝向同一方向，单晶挡片的主要晶向与单晶块的主要晶向相同，且各单晶挡片的次要晶向与单晶块的次要晶向分别具有不为0度的夹角。本揭露提供一种类单晶晶锭之制作方法，包括形成熔汤于拼接晶种层上，以及冷却熔汤以使晶粒由拼接晶种层上成长以形成类单晶晶锭。

2. 发明专利

TW201516008A 使用矽粉末進料來製造矽製品之生產系統审中-公开
简体标题：使用硅粉末进料来制造硅制品之生产系统
公开(公告)号：TW201516008A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102138350
申请日：2013-10-24
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C03B20/00 , C30B11/00 , C30B29/06
摘要：一種製造矽製品之生產系統，其包含爐體、進料裝置、感受器基座、線圈裝置以及承接槽。感受器基座與線圈裝置執行感應加熱。盛裝在進料裝置處的矽粉末藉由鈍態氣體傳輸至感受器基座，由感受器基座產生的熱融熔。融熔的矽粉末匯集至感受器基座在底部開口依序成多個矽熔滴，進而因本身的重量往下掉落。矽熔滴在掉落過程中凝固，再由承接槽收集，進而獲得矽製品。
简体摘要：一种制造硅制品之生产系统，其包含炉体、进料设备、感受器基座、线圈设备以及承接槽。感受器基座与线圈设备运行感应加热。盛装在进料设备处的硅粉末借由钝态气体传输至感受器基座，由感受器基座产生的热融熔。融熔的硅粉末汇集至感受器基座在底部开口依序成多个硅熔滴，进而因本身的重量往下掉落。硅熔滴在掉落过程中凝固，再由承接槽收集，进而获得硅制品。

3. 发明专利

TW201422857A 製造半導體薄片之方法审中-公开
简体标题：制造半导体薄片之方法
公开(公告)号：TW201422857A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101147065
申请日：2012-12-13
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00
摘要：一種製造半導體薄片之方法。本發明之方法首先於第一模與第二模之間，形成熔融的半導體原料。第一模提供成型表面。接著，本發明之方法控制關於第一模及第二模之至少一熱場參數，致使熔融的半導體原料從與成型表面或第一模之中心開始成核且成長成多個半導體晶粒。最後，本發明之方法讓多個半導體晶粒朝向第二模之方向成長或由內向外繼續成長至熔融的半導體原料完全凝固為止。
简体摘要：一种制造半导体薄片之方法。本发明之方法首先于第一模与第二模之间，形成熔融的半导体原料。第一模提供成型表面。接着，本发明之方法控制关于第一模及第二模之至少一热场参数，致使熔融的半导体原料从与成型表面或第一模之中心开始成核且成长成多个半导体晶粒。最后，本发明之方法让多个半导体晶粒朝向第二模之方向成长或由内向外继续成长至熔融的半导体原料完全凝固为止。

4. 发明专利

TWI614212B 從矽泥回收矽及碳化矽之方法有权
简体标题：从硅泥回收硅及碳化硅之方法
公开(公告)号：TWI614212B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW101147064
申请日：2012-12-13
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C01B33/021 , C01B32/956

5. 发明专利

TW201322463A 矽基太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：硅基太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201322463A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100141938
申请日：2011-11-17
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明揭露一種矽基太陽能電池及其製造方法。本發明之矽基太陽能電池包含一半導體結構組合、一正電極、至少一背面匯流排電極以及一背電極。該半導體結構組合包含至少一p-n接面。該正電極係形成在該半導體結構組合之正表面上。該至少一背面匯流排電極係形成在該半導體結構組合之背表面上。該背電極係形成在該半導體結構組合之背表面上，且覆蓋該背表面上形成該至少一背面匯流排電極以外的區域，並且具有至少一大致與該至少一背面匯流排電極平行的溝槽。每一溝槽內該背電極可以具有一殘留厚度。
简体摘要：本发明揭露一种硅基太阳能电池及其制造方法。本发明之硅基太阳能电池包含一半导体结构组合、一正电极、至少一背面总线电极以及一背电极。该半导体结构组合包含至少一p-n接面。该正电极系形成在该半导体结构组合之正表面上。该至少一背面总线电极系形成在该半导体结构组合之背表面上。该背电极系形成在该半导体结构组合之背表面上，且覆盖该背表面上形成该至少一背面总线电极以外的区域，并且具有至少一大致与该至少一背面总线电极平行的沟槽。每一沟槽内该背电极可以具有一残留厚度。

6. 发明专利

TWI666353B 針對矽晶圓之製絨方法及執行該方法之製絨設備有权
简体标题：针对硅晶圆之制绒方法及运行该方法之制绒设备
公开(公告)号：TWI666353B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107100223
申请日：2018-01-03
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN , 蔡弼丞 , TSAI, PI CHEN , 楊家福 , YANG, CHIA FU , 許曉萍 , HSU, HSIAO PING
IPC分类号： C30B33/10 , C30B35/00

7. 发明专利

TWI597391B 製造半導體薄片之方法有权
简体标题：制造半导体薄片之方法
公开(公告)号：TWI597391B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW101147065
申请日：2012-12-13
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00

8. 发明专利

TW201700800A 坩堝組合审中-公开
简体标题：坩埚组合
公开(公告)号：TW201700800A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104120389
申请日：2015-06-24
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C30B13/14
摘要：一種坩堝組合，包含坩堝以及多張石墨紙。多張石墨紙係貼附在坩堝的多個內壁與底部中至少其一上。特別地，每一張石墨紙之厚度的範圍為10μm至200μm。
简体摘要：一种坩埚组合，包含坩埚以及多张石墨纸。多张石墨纸系贴附在坩埚的多个内壁与底部中至少其一上。特别地，每一张石墨纸之厚度的范围为10μm至200μm。

9. 发明专利

TWI642819B 製造半導體薄片之方法及執行該方法之製造設備有权
简体标题：制造半导体薄片之方法及运行该方法之制造设备
公开(公告)号：TWI642819B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106143164
申请日：2017-12-08
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C30B28/04 , C30B29/06 , C30B35/00

10. 发明专利

TWI516645B 矽晶鑄錠、其製造方法及從其製成的矽晶圓有权
简体标题：硅晶铸锭、其制造方法及从其制成的硅晶圆
公开(公告)号：TWI516645B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103130788
申请日：2014-09-05
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06

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