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    • 1. 发明专利
    • 交換結合元件及其製造方法,電磁阻抗功效元件及磁頭
    • 交换结合组件及其制造方法,电磁阻抗功效组件及磁头
    • TW436773B
    • 2001-05-28
    • TW088110312
    • 1999-06-21
    • 高橋 研
    • 高橋 研屋上公二郎采山和弘角田匡清
    • G11B
    • B82Y25/00B82Y10/00G11B2005/3996H01F10/3268
    • 本發明之目的在於提供一種交換結合元件及其製造方法,具有優異之耐蝕性、高的單向異向性常數Jk以及閉塞溫度TB,而且將反強磁性體層之膜厚設為10nm以下也可保持各特性,可進行自轉閥型之薄型化。
      本發明之交換結合元件係關於至少具備強磁性體層及和該強磁性體層之一者之表面接鄰並與該強磁性體層交換結合之反強磁性體層之交換結合元件,
      其特徵在於:
      該反強磁性體層係由30at%以上且54at%以下之銥(Ir)和剩下之錳(Mn)構成之Mn-Ir合金;
      在由該強磁性體層和該反強磁性體層構成之交換結合元件之界面感應之單向異向性常數JK在室溫且成膜係0.06erg/cm2以上。
    • 本发明之目的在于提供一种交换结合组件及其制造方法,具有优异之耐蚀性、高的单向异向性常数Jk以及闭塞温度TB,而且将反强磁性体层之膜厚设为10nm以下也可保持各特性,可进行自转阀型之薄型化。 本发明之交换结合组件系关于至少具备强磁性体层及和该强磁性体层之一者之表面接邻并与该强磁性体层交换结合之反强磁性体层之交换结合组件, 其特征在于: 该反强磁性体层系由30at%以上且54at%以下之铱(Ir)和剩下之锰(Mn)构成之Mn-Ir合金; 在由该强磁性体层和该反强磁性体层构成之交换结合组件之界面感应之单向异向性常数JK在室温且成膜系0.06erg/cm2以上。
    • 4. 发明专利
    • 磁阻功效膜之製造方法
    • 磁阻功效膜之制造方法
    • TW448430B
    • 2001-08-01
    • TW088111363
    • 1999-07-05
    • 高橋研
    • 高橋 研釆山和弘屋上公二郎角田匡清
    • G11B
    • B82Y25/00B82Y40/00H01F10/3268H01F41/302H01L43/12
    • 本發明之目的在於提供一種磁阻功效膜之製造方法,藉著在不令積層膜之結晶性劣化下改善積層界面之平坦性,可形成具有高MR比之磁阻功效元件。
      本發明之第一種磁阻元件之製造方法係關於在既定之基體上順向或逆向堆積自由磁化層、非磁性體層、固定磁化層以及反強磁性體層而成之磁阻功效膜之製造方法,其特徵在於:至少具有藉著在成膜室內配置該基體,並將該成膜室內之到達真空度設為約10^-10Torr以下後,在該成膜室引入至少含有氧氣之氣體a,將該成膜室內之真空度變更成3×10^-9Torr以上且l×10^-8Torr以下之固定壓力後,接著引入由氬氣構成之氣體b,使用該氣體a和氣體b之混合氣體濺鍍既定之對象,形成位於該非磁性體層之下之該自由磁化層或該固定磁化層和該非磁性體層之製程。
    • 本发明之目的在于提供一种磁阻功效膜之制造方法,借着在不令积层膜之结晶性劣化下改善积层界面之平坦性,可形成具有高MR比之磁阻功效组件。 本发明之第一种磁阻组件之制造方法系关于在既定之基体上顺向或逆向堆积自由磁化层、非磁性体层、固定磁化层以及反强磁性体层而成之磁阻功效膜之制造方法,其特征在于:至少具有借着在成膜室内配置该基体,并将该成膜室内之到达真空度设为约10^-10Torr以下后,在该成膜室引入至少含有氧气之气体a,将该成膜室内之真空度变更成3×10^-9Torr以上且l×10^-8Torr以下之固定压力后,接着引入由氩气构成之气体b,使用该气体a和气体b之混合气体溅镀既定之对象,形成位于该非磁性体层之下之该自由磁化层或该固定磁化层和该非磁性体层之制程。