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1. 发明专利

TW343329B 附有磁阻感應器之磁頭,及具有該磁頭之掃描裝置失效
简体标题：附有磁阻感应器之磁头,及具有该磁头之扫描设备
公开(公告)号：TW343329B
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：TW086101549
申请日：1997-02-12
申请人：飛利浦電子股份有限公司
发明人：彼得真范得拉格 , 約伯斯約瑟夫斯馬利亞儒格若克
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3916 , G11B5/3925 , G11B5/3932
摘要：一種具有磁頭面(1)之磁頭及包括磁通導件(7a，7b)、磁阻感測器(9)、及設置在磁通導件及該感測器間絕緣氧化物之中間層(13)。該中間層包括一抗強磁性氧化物以將該感測器與該磁通導件阻隔及磁性地偏壓該感測器。圖1
简体摘要：一种具有磁头面(1)之磁头及包括磁通导件(7a，7b)、磁阻传感器(9)、及设置在磁通导件及该传感器间绝缘氧化物之中间层(13)。该中间层包括一抗强磁性氧化物以将该传感器与该磁通导件阻隔及磁性地偏压该传感器。图1

2. 发明专利

TWI222630B 磁阻效應元件及使用磁阻效應元件之磁阻效應記憶體元件失效
简体标题：磁阻效应组件及使用磁阻效应组件之磁阻效应内存组件
公开(公告)号：TWI222630B
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：TW091108072
申请日：2002-04-19
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：杉田康成 , 平本雅祥 MASAYOSHI HIRAMOTO , 松川望 NOZOMU MATSUKAWA , 里見三男 , 川島良男 , 小田川明弘 AKIIRO ODAGAWA
IPC分类号： G11B , H01F
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
摘要：本發明之目的在於，提供一種磁阻效應(MR)元件，其係於磁性層中的至少1層含有以通式M100-aXa所表示之鐵磁性材料M-X，且MR比及耐熱性優異者。其中，M係選自 Fe、Co、Ni中之至少1種；X為以通式X1bX2cX3d所表示者(X1為選自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au中之至少1種；X2為選自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn、鑭系元素中之至少1種；X3為選自Si、B、C、N、O、P、S中之至少1種)；a、b、c及d，分別為可滿足0.05
简体摘要：本发明之目的在于，提供一种磁阻效应(MR)组件，其系于磁性层中的至少1层含有以通式M100-aXa所表示之铁磁性材料M-X，且MR比及耐热性优异者。其中，M系选自 Fe、Co、Ni中之至少1种；X为以通式X1bX2cX3d所表示者(X1为选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au中之至少1种；X2为选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn、镧系元素中之至少1种；X3为选自Si、B、C、N、O、P、S中之至少1种)；a、b、c及d，分别为可满足0.05

3. 发明专利

TW325560B 磁性電阻效果元件失效
简体标题：磁性电阻效果组件
公开(公告)号：TW325560B
公开(公告)日：1998-01-21
申请号：TW086103932
申请日：1997-03-27
申请人：東芝股份有限公司
发明人：佐橋政司
IPC分类号： G11B
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
摘要：本發明有關於磁性電阻效果元件。其構成為，具備有第１之彈磁性導電層與積層於該第１強磁性導電層上之非磁性導電層，以及積層於該非磁性導電層之第２強磁性導電層，又具備磁性電阻效果之積層體及形成於該積層體上之一對電極，而該第１及第２之強磁性導電層之至少一方乃含有磁化容易軸方向不同之第１及第２強磁性膜，例如Ｃｏ合金膜。又Ｃｏ系磁性合金等之強磁性體層與軟磁性體層等之積層膜所成之第１磁性層與第２磁性層之間，配置了非磁性中間層之具備有自旋管（spin bulb）膜之磁性電阻效果元件。而該軟磁性層係由一種之軟磁性材料膜或二種以上之軟磁性膜所成之磁性材料積層膜所成。而這些之磁化
為應滿足，
Ｍs〔Ｔ〕，膜厚：ｄ〔ｎｍ〕，異方性磁場為Ｈk〔Ｏｅ〕時，
Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞３０﹙ＴｎｍＯｅ〕。
简体摘要：本发明有关于磁性电阻效果组件。其构成为，具备有第１之弹磁性导电层与积层于该第１强磁性导电层上之非磁性导电层，以及积层于该非磁性导电层之第２强磁性导电层，又具备磁性电阻效果之积层体及形成于该积层体上之一对电极，而该第１及第２之强磁性导电层之至少一方乃含有磁化容易轴方向不同之第１及第２强磁性膜，例如Ｃｏ合金膜。又Ｃｏ系磁性合金等之强磁性体层与软磁性体层等之积层膜所成之第１磁性层与第２磁性层之间，配置了非磁性中间层之具备有自旋管（spin bulb）膜之磁性电阻效果组件。而该软磁性层系由一种之软磁性材料膜或二种以上之软磁性膜所成之磁性材料积层膜所成。而这些之磁化为应满足，Ｍs〔Ｔ〕，膜厚：ｄ〔ｎｍ〕，异方性磁场为Ｈk〔Ｏｅ〕时， Σ（Ｍs ×ｄ×Ｈk ）＞３０﹙ＴｎｍＯｅ〕。

4. 发明专利

TW255964B 製造一薄膜式磁頭之方法以及經由此方法製得的磁頭失效
简体标题：制造一薄膜式磁头之方法以及经由此方法制得的磁头
公开(公告)号：TW255964B
公开(公告)日：1995-09-01
申请号：TW083102778
申请日：1994-03-30
申请人：飛利浦電子股份有限公司
发明人：吉拉德斯.亨瑞克斯.强納諾斯.索姆斯 , 亨瑞克斯.高德佛瑞德斯.拉法耶.馬斯 , 拉伯特斯.波斯馬 , 傑.海斯馬 , 傑卡伯斯.約瑟夫斯.瑪利.魯奎克
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3916 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , Y10T29/49048
摘要：製造一個薄膜磁頭的方法，其中在支撐物上形成一層非磁性材料主層(5) ，在此層上藉於遠離支撐物側移去材料製成凹處，隨後於該凹處填入軟磁材料，用以形成磁導(17a、17b)，然後將具有填入凹處之主層經機械化學研磨，以形成一個主表面(19)，其後塗佈一層磁阻材料以形成一個磁阻元件(23)。
简体摘要：制造一个薄膜磁头的方法，其中在支撑物上形成一层非磁性材料主层(5) ，在此层上藉于远离支撑物侧移去材料制成凹处，随后于该凹处填入软磁材料，用以形成磁导(17a、17b)，然后将具有填入凹处之主层经机械化学研磨，以形成一个主表面(19)，其后涂布一层磁阻材料以形成一个磁阻组件(23)。

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