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1. 发明专利

TW529084B 外延塗被半導體晶圓及其製造方法失效
简体标题：外延涂被半导体晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW529084B
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：TW089116264
申请日：2000-08-11
申请人：瓦克矽電子公司
发明人：吉斗文斯基 , 沃夫幹西伯特 , 克勞斯麥斯邁 , 蓋爾哈德海爾 , 湯瑪斯阿特曼 , 馬爾亭符爾范格爾
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/042 , H01L21/02024 , H01L21/30625 , Y10T428/24355
摘要：本發明與一種具有正面及背面且正面沉積以半導體材料外延層之半導體晶圓有關。該半導體晶圓之特徵是：其外延層之最大局部平整度值SFQRmax低於或等於0.13微米及最大密度為每平方公分0.14散射光中心，且在沉積外延層之前，半導體晶圓正面之表面粗度之均方根值為0.05至0.29毫微米(藉原子力顯微鏡於1微米x1微米之參考面積上測得)。
再者，本發明與一種製造該半導體晶圓之方法有關。該方法包括下列諸加工步驟：(a)如同單面拋光步驟，半導體晶圓之正表面及背表面於轉動拋光碟之間同時實施拋光並供以鹼性拋光溶膠，該半導體晶圓係位於一載具之切割框內，該切割框之厚度較經拋光後半導體晶圓之厚度小2至20微米；(b)於轉動拋光碟之間同時處理半導體晶圓之正表面及背表面並供以含有至少一種具有2至6個碳原子之多元醇之液體；(c)清洗及烘乾半導體晶圓；及(d)於依照步驟(a)至(c)製得之半導體正表面上沉積一外延層。
简体摘要：本发明与一种具有正面及背面且正面沉积以半导体材料外延层之半导体晶圆有关。该半导体晶圆之特征是：其外延层之最大局部平整度值SFQRmax低于或等于0.13微米及最大密度为每平方公分0.14散射光中心，且在沉积外延层之前，半导体晶圆正面之表面粗度之均方根值为0.05至0.29毫微米(藉原子力显微镜于1微米x1微米之参考面积上测得)。再者，本发明与一种制造该半导体晶圆之方法有关。该方法包括下列诸加工步骤：(a)如同单面抛光步骤，半导体晶圆之正表面及背表面于转动抛光盘之间同时实施抛光并供以碱性抛光溶胶，该半导体晶圆系位于一载具之切割框内，该切割框之厚度较经抛光后半导体晶圆之厚度小2至20微米；(b)于转动抛光盘之间同时处理半导体晶圆之正表面及背表面并供以含有至少一种具有2至6个碳原子之多元醇之液体；(c)清洗及烘干半导体晶圆；及(d)于依照步骤(a)至(c)制得之半导体正表面上沉积一外延层。

2. 发明专利

TW559630B 一種用於CVD反應器內以外延方式塗覆半導體晶圓正面反應中避免晶圓摻質擴散的方法及裝置失效
简体标题：一种用于CVD反应器内以外延方式涂覆半导体晶圆正面反应中避免晶圆掺质扩散的方法及设备
公开(公告)号：TW559630B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092105524
申请日：2003-03-13
申请人：瓦克矽電子公司
发明人：維爾弗里德安孟 , 呂帝格西謀奇 , 彼特施陶爾克 , 沃夫幹西伯特
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/40 , H01L21/2205 , Y10S438/913 , Y10S438/928 , Y10S438/98 , Y10T117/10
摘要：本發明之內容係一種於CVD反應器內以外延方式塗覆半導體晶圓正面之方法，該半導體晶圓正面係暴露於一含有本源氣體及載體氣體之加工氣體，該半導體晶圓背面係暴露於一置換氣體，其特徵為該置換氣體所含氫氣不超過5%體積比(氫氣可強化該摻質之擴散作用)，結果，可實質上避免摻質擴散至半導體晶圓背面之外。
依照本發明之方法，可製得一半導體晶圓，其基片比電阻≦100毫歐姆公分、外延薄層比電阻>1歐姆公分、無背面塗層、該半導體晶圓外延層之電阻不均勻性
简体摘要：本发明之内容系一种于CVD反应器内以外延方式涂覆半导体晶圆正面之方法，该半导体晶圆正面系暴露于一含有本源气体及载体气体之加工气体，该半导体晶圆背面系暴露于一置换气体，其特征为该置换气体所含氢气不超过5%体积比(氢气可强化该掺质之扩散作用)，结果，可实质上避免掺质扩散至半导体晶圆背面之外。依照本发明之方法，可制得一半导体晶圆，其基片比电阻≦100毫欧姆公分、外延薄层比电阻>1欧姆公分、无背面涂层、该半导体晶圆外延层之电阻不均匀性<10%。伍、(一)、本案代表图为：第一图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 1 晶圆； 2 承受器； 3 提升销；4 承受器支撑体； 5 晶圆提升器； 6 置换气体； 7 信道； 8 孔穴； 9 中央轴

3. 发明专利

TW540100B 磊晶生長半導體晶圓之製造方法失效
简体标题：磊晶生长半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW540100B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090112557
申请日：2001-05-24
申请人：瓦克矽電子公司
发明人：呂帝格西謀奇 , 萊因哈德蕭益爾 , 君特奧伯邁艾爾 , 狄特葛拉夫 , 彼特施陶爾克 , 克勞斯麥斯邁 , 沃夫幹西伯特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/06 , C30B25/02
摘要：本發明之技術內容係一種用以製造具有一正面及一背面及正面沉積有半導體材料磊晶層之半導體晶圓之方法，該方法包括下列諸加工步驟：(a)製備一具有拋光正面及特定厚度之基材晶圓；(b)於一磊晶反應器內，在有HCl氣體及矽烷源存在、溫度950至1250℃之情況下預處理該基材晶圓之正面，基材晶圓之厚度實質上保持不變；及(c)於經預處理之基材晶圓正面上沉積磊晶層。
简体摘要：本发明之技术内容系一种用以制造具有一正面及一背面及正面沉积有半导体材料磊晶层之半导体晶圆之方法，该方法包括下列诸加工步骤：(a)制备一具有抛光正面及特定厚度之基材晶圆；(b)于一磊晶反应器内，在有HCl气体及硅烷源存在、温度950至1250℃之情况下预处理该基材晶圆之正面，基材晶圆之厚度实质上保持不变；及(c)于经预处理之基材晶圆正面上沉积磊晶层。

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