专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201813055A 三維半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：三维半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201813055A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106124085
申请日：2017-07-19
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：史密斯傑佛瑞 , SMITH, JEFFREY , 德維利耶安東 , DEVILLIERS, ANTON
IPC分类号： H01L27/11 , H01L27/10 , H01L27/088 , H01L27/105 , G11C17/14 , G11C11/34
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/823807 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L27/1108
摘要：三維(3-D)積體電路(IC)包含具有基板表面的基板。第一半導體元件具有第一電接觸部且係在第一平面上形成於表面的第一區域中，該第一平面係實質上平行於基板表面半導體元件。包含第二電接觸部的第二半導體元件係在第二平面上形成於表面的第二區域，該第二平面係實質上平行於表面且在實質上垂直於基板表面的方向上與第一平面垂直隔開。第一電極結構包含：實質上平行於基板表面之相對的頂部及底部表面、連接頂部及底部表面使得該電極結構形成三維電極空間的側壁。導電填充材料係設置於電極空間中，且介電層將該導電填充材料電性分隔成：電性連接至第一半導體元件之第一接觸部的第一電極、及電性連接至第二半導體元件且與第一電極電性絕緣的第二電極。第一電路終端從電極結構的頂部或底部表面垂直延伸，且係電性連接至第一電極。
简体摘要：三维(3-D)集成电路(IC)包含具有基板表面的基板。第一半导体组件具有第一电接触部且系在第一平面上形成于表面的第一区域中，该第一平面系实质上平行于基板表面半导体组件。包含第二电接触部的第二半导体组件系在第二平面上形成于表面的第二区域，该第二平面系实质上平行于表面且在实质上垂直于基板表面的方向上与第一平面垂直隔开。第一电极结构包含：实质上平行于基板表面之相对的顶部及底部表面、连接顶部及底部表面使得该电极结构形成三维电极空间的侧壁。导电填充材料系设置于电极空间中，且介电层将该导电填充材料电性分隔成：电性连接至第一半导体组件之第一接触部的第一电极、及电性连接至第二半导体组件且与第一电极电性绝缘的第二电极。第一电路终端从电极结构的顶部或底部表面垂直延伸，且系电性连接至第一电极。

2. 发明专利

TWI546939B 包括限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體配置的積體電路、及用以產生其布局的方法、及包括用以產生其布局之指令的資料儲存裝置有权
简体标题：包括限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管配置的集成电路、及用以产生其布局的方法、及包括用以产生其布局之指令的数据存储设备
公开(公告)号：TWI546939B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW104128178
申请日：2009-03-13
申请人：泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人：貝克史考特T , BECKER, SCOTT T.
IPC分类号： H01L27/11 , H01L27/04 , G06F17/50
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201619961A 半導體積體電路裝置审中-公开
简体标题：半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW201619961A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW105102684
申请日：2005-05-16
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：前田德章 , 篠崎義弘 , 山岡雅直 , 島崎靖久 , 礒田正典 , 新居浩二
IPC分类号： G11C11/407 , G11C11/413 , H01L27/11
CPC分类号： G11C11/412 , G11C5/063 , G11C5/14 , G11C11/419 , H01L27/11 , H01L27/1104
摘要：發明課題為提供一種具備有即使低電源電壓亦可以使靜態雜訊界限(Static Noise Margin：SNM)和寫入界限兩者並存的靜態型RAM之半導體積體電路裝置。其解決手段為具備複數字元線和對應於複數互補位元線而所設置之複數靜態型記憶體單元，設置有對連接於上述複數互補位元線之各個的複數記憶體單元之每個供給動作電壓之複數記憶體單元電源線，並設置有由對應於如此之記憶體單元而個別地供給電源電壓之電阻手段所構成之複數電源供給電路，並設置有對上述互補位元線供給對應於上述電源電壓之預充電電壓的預充電電路，使上述記憶體單元電源線成為持有傳送相應互補位元線之寫入訊號的耦合電容。
简体摘要：发明课题为提供一种具备有即使低电源电压亦可以使静态噪声界限(Static Noise Margin：SNM)和写入界限两者并存的静态型RAM之半导体集成电路设备。其解决手段为具备复数字元线和对应于复数互补比特线而所设置之复数静态型内存单元，设置有对连接于上述复数互补比特线之各个的复数内存单元之每个供给动作电压之复数内存单元电源线，并设置有由对应于如此之内存单元而个别地供给电源电压之电阻手段所构成之复数电源供给电路，并设置有对上述互补比特线供给对应于上述电源电压之预充电电压的预充电电路，使上述内存单元电源线成为持有发送相应互补比特线之写入信号的耦合电容。

4. 发明专利

TWI529917B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI529917B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW099144998
申请日：2010-12-21
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L27/11 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78696

5. 发明专利

TWI527159B 靜態隨機存取記憶胞及結構有权
简体标题：静态随机存取记忆胞及结构
公开(公告)号：TWI527159B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW102142003
申请日：2013-11-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： G11C11/419 , G11C8/16 , G11C11/412 , G11C11/4125 , H01L27/11

6. 发明专利

TWI520263B 在場效電晶體中根據在淺溝隔離邊緣所局部導入之植入物種所進行的漏電控制之方法有权
简体标题：在场效应管中根据在浅沟隔离边缘所局部导入之植入物种所进行的漏电控制之方法
公开(公告)号：TWI520263B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW099125276
申请日：2010-07-30
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：坎姆勒索斯頓 , KAMMLER, THORSTEN , 維特馬西 , WIATR, MACIEJ , 布其克羅曼 , BOSCHKE, ROMAN , 傑瓦卡彼特 , JAVORKA, PETER
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/11
CPC分类号： H01L21/823871 , H01L21/76229 , H01L21/76237 , H01L21/76895 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104

7. 发明专利

TWI511274B 包括限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體配置的積體電路、及用以產生其布局的方法、及包括用以產生其布局之指令的資料儲存裝置有权
简体标题：包括限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管配置的集成电路、及用以产生其布局的方法、及包括用以产生其布局之指令的数据存储设备
公开(公告)号：TWI511274B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102132447
申请日：2009-03-13
申请人：泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人：貝克史考特T , BECKER, SCOTT T.
IPC分类号： H01L27/11 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI505407B 半導體裝置之製造方法及半導體裝置有权
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI505407B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100101122
申请日：2011-01-12
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：新居浩二 , NII, KOJI , 五十嵐元繁 , IGARASHI, MOTOSHIGE
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/823412 , H01L27/11 , H01L27/1104

9. 发明专利

TWI493659B 匹配裝置中之奈米線電路有权
简体标题：匹配设备中之奈米线电路
公开(公告)号：TWI493659B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW100111963
申请日：2011-04-07
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：班薩朗提薩瑞亞 , BANGSARUNTIP, SARUNYA , 柯漢蓋依 , COHEN, GUY , 瑪俊達艾姆蘭 , MAJUMDAR, AMLAN , 思雷特傑佛瑞W , SLEIGHT, JEFFREY W.
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/092 , H01L29/772
CPC分类号： H03K19/20 , B82Y10/00 , G11C11/412 , G11C11/54 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L27/12 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L29/78696

10. 发明专利

TWI474471B 積體電路結構有权
简体标题：集成电路结构
公开(公告)号：TWI474471B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW099142544
申请日：2010-12-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L27/11
CPC分类号： H01L27/11 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , H01L29/41791 , H01L29/785

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式