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1. 发明专利

TW399299B 自行對準接觸窗的結構與製造方法失效
简体标题：自行对准接触窗的结构与制造方法
公开(公告)号：TW399299B
公开(公告)日：2000-07-21
申请号：TW087120708
申请日：1998-12-14
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳中怡
IPC分类号： H01L
摘要：一種自行對準接觸窗的結構與製造方法，包括提供已形成至少一閘極與一源極/汲極區的一基底，且閘極之側壁已形成有間隙壁。接著，於基底上依序形成第一介電層和第二介電層。再來，定義第二介電層，直到暴露出第一介電層以形成自行對準接觸窗開口，且殘留部分的第二介電層在自行對準接觸窗開口底部。接著，形成第三介電層，其在第二介電層上較厚，且在自行對準接觸窗開口底部與側壁較薄。再來，作回蝕以去除在自行對準接觸窗開口底部的第三介電層。接著，用等向性蝕刻去除在自行對準接觸窗開口底部之殘留的第二介電層。再來，用電漿乾蝕刻去除在自行對準接觸窗開口底部的第一介電層。最後，於自行對準接觸窗開口內填入導電層。
简体摘要：一种自行对准接触窗的结构与制造方法，包括提供已形成至少一闸极与一源极/汲极区的一基底，且闸极之侧壁已形成有间隙壁。接着，于基底上依序形成第一介电层和第二介电层。再来，定义第二介电层，直到暴露出第一介电层以形成自行对准接触窗开口，且残留部分的第二介电层在自行对准接触窗开口底部。接着，形成第三介电层，其在第二介电层上较厚，且在自行对准接触窗开口底部与侧壁较薄。再来，作回蚀以去除在自行对准接触窗开口底部的第三介电层。接着，用等向性蚀刻去除在自行对准接触窗开口底部之残留的第二介电层。再来，用等离子干蚀刻去除在自行对准接触窗开口底部的第一介电层。最后，于自行对准接触窗开口内填入导电层。

2. 发明专利

TW522252B 測量次微米電路之接點與金屬通道電阻變化之方法與電路失效
简体标题：测量次微米电路之接点与金属信道电阻变化之方法与电路
公开(公告)号：TW522252B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090127630
申请日：2001-11-07
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳中怡 , 李東興
IPC分类号： G01R
摘要：一種測量次微米電路之接點與金屬通道電阻變化之方法與電路，應用於測量複數個待測接點與金屬通道電阻，係具有一個輸入端，以及一個輸出端，係與金屬氧化半導體連接。其中金屬氧化半導體的閘極與汲極相接到待測接點與金屬通道電阻的輸出端，金屬氧化半導體的源極接地。其測量方法之步驟為測量金屬氧化半導體的源極所輸出的電流值，以及根據這個輸出的電流值來推算待測接點與金屬通道電阻的值。
简体摘要：一种测量次微米电路之接点与金属信道电阻变化之方法与电路，应用于测量复数个待测接点与金属信道电阻，系具有一个输入端，以及一个输出端，系与金属氧化半导体连接。其中金属氧化半导体的闸极与汲极相接到待测接点与金属信道电阻的输出端，金属氧化半导体的源极接地。其测量方法之步骤为测量金属氧化半导体的源极所输出的电流值，以及根据这个输出的电流值来推算待测接点与金属信道电阻的值。

3. 发明专利

TW521329B 一種提高起始電壓穩定性之MOS的製作方法失效
简体标题：一种提高起始电压稳定性之MOS的制作方法
公开(公告)号：TW521329B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW091100341
申请日：2002-01-11
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李東興 , 陳中怡
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種於一半導體基底上製作金屬氧化物半導體電晶體的方法。該方法是先於該半導體基底表面形成至少一電晶體之閘極，並利用該閘極作為遮罩以形成該電晶體之輕摻雜汲極，接著進行一低熱預算沉積製程，於該半導體基底表面形成一氮化矽層，隨後再進行一離子植入製程，以將氟原子植入該氮化矽層，然後進行一蝕刻製程，以於該閘極的周圍形成一側壁子。最後形成該電晶體之源極/汲極。
简体摘要：本发明系提供一种于一半导体基底上制作金属氧化物半导体晶体管的方法。该方法是先于该半导体基底表面形成至少一晶体管之闸极，并利用该闸极作为遮罩以形成该晶体管之轻掺杂汲极，接着进行一低热预算沉积制程，于该半导体基底表面形成一氮化硅层，随后再进行一离子植入制程，以将氟原子植入该氮化硅层，然后进行一蚀刻制程，以于该闸极的周围形成一侧壁子。最后形成该晶体管之源极/汲极。

4. 发明专利

TW428317B 柱狀電容器的製造方法有权
简体标题：柱状电容器的制造方法
公开(公告)号：TW428317B
公开(公告)日：2001-04-01
申请号：TW087113700
申请日：1998-08-20
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳中怡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10852
摘要：一種柱狀電容器的製造方法，在具有多晶矽插塞與字元線的基材上，形成絕緣層與第一介電層，並定義第一介電層，以在其中形成一開口。覆蓋一層第一導電層與第二介電層，進行回蝕以在開口之側壁形成間隙壁;透過間隙壁進行蝕刻，至暴露出多晶矽插塞為止。全面覆蓋上一層第二導電層，進行回蝕刻，殘留之第二導電層與第一導電層組合形成下電極;形成一層介電膜層與第三導電層於下電極之上，藉以組合形成柱狀電容器之結構。
简体摘要：一种柱状电容器的制造方法，在具有多晶硅插塞与字符线的基材上，形成绝缘层与第一介电层，并定义第一介电层，以在其中形成一开口。覆盖一层第一导电层与第二介电层，进行回蚀以在开口之侧壁形成间隙壁;透过间隙壁进行蚀刻，至暴露出多晶硅插塞为止。全面覆盖上一层第二导电层，进行回蚀刻，残留之第二导电层与第一导电层组合形成下电极;形成一层介电膜层与第三导电层于下电极之上，借以组合形成柱状电容器之结构。

5. 发明专利

TW523877B 增加導線與著路墊接觸面的方法失效
简体标题：增加导线与着路垫接触面的方法
公开(公告)号：TW523877B
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：TW091105499
申请日：2002-03-22
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李東興 , 蔡成宗 , 陳中怡 , 林淑萍 , 溫家琳
IPC分类号： H01L
摘要：本發明是有關於一種增加導線與著路墊接觸面的方法，並且可以藉著增加位元線接觸面(bitline contact)的面積，以改善位元線電容接觸阻抗(bitline capacitor contact resistance)的問題。本發明方法主要是將閘極與閘極間的著陸墊，利用熱的H3PO4溶劑去除氮化矽的帽層(cap layer)並暴露出下面的著陸墊多晶矽(landing pad polysilicon)接觸面的更大面積，在接下來的位元線多晶矽(bitline polysilicon)沈積過程中，由於接觸面積的加大可以增加位元線對準(align accuracy)的準確度，且能減少接觸面的電容阻抗。
简体摘要：本发明是有关于一种增加导线与着路垫接触面的方法，并且可以借着增加比特线接触面(bitline contact)的面积，以改善比特线电容接触阻抗(bitline capacitor contact resistance)的问题。本发明方法主要是将闸极与闸极间的着陆垫，利用热的H3PO4溶剂去除氮化硅的帽层(cap layer)并暴露出下面的着陆垫多晶硅(landing pad polysilicon)接触面的更大面积，在接下来的比特线多晶硅(bitline polysilicon)沉积过程中，由于接触面积的加大可以增加比特线对准(align accuracy)的准确度，且能减少接触面的电容阻抗。

6. 发明专利

TW521328B 金氧半電晶體的製造方法有权
简体标题：金氧半晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW521328B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW090128570
申请日：2001-11-19
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李東興 , 陳中怡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/665 , H01L21/265 , H01L27/11 , Y10S438/919
摘要：一種金氧半電晶體的製造方法，其步驟如下：首先在已形成閘極及閘極間隙壁的基底上進行一源/汲極離子植入製程，以於間隙壁外側之基底內形成源/汲極區。接著，利用自行對準技術於閘極與源/汲極區上形成一自行對準金屬矽化層，再於基底上形成一層作為後續蝕刻製程的氮化矽蝕刻阻擋層。然後，對氮化矽蝕刻阻擋層進行一氟全面植入製程，其植入劑量在5×1013cm-2~5×1014cm-2之間；植入能量在2KeV~5KeV之間，可以降低氮化矽層的氫濃度，進而增進金氧半電晶體的啟始電壓穩定度。
简体摘要：一种金氧半晶体管的制造方法，其步骤如下：首先在已形成闸极及闸极间隙壁的基底上进行一源/汲极离子植入制程，以于间隙壁外侧之基底内形成源/汲极区。接着，利用自行对准技术于闸极与源/汲极区上形成一自行对准金属硅化层，再于基底上形成一层作为后续蚀刻制程的氮化硅蚀刻阻挡层。然后，对氮化硅蚀刻阻挡层进行一氟全面植入制程，其植入剂量在5×1013cm-2~5×1014cm-2之间；植入能量在2KeV~5KeV之间，可以降低氮化硅层的氢浓度，进而增进金氧半晶体管的启始电压稳定度。

7. 发明专利

TW429578B 金屬鑲嵌製程有权
简体标题：金属镶嵌制程
公开(公告)号：TW429578B
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：TW088113217
申请日：1999-08-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蕭錫懋 , 陳中怡 , 陳俊隆 , 簡文勝
IPC分类号： H01L
摘要：一種金屬鑲嵌製程，係先提供一基底結構。接著，在基底結構中形成一開口。之後，在開口中形成一金屬插塞。然後，回蝕刻金屬插塞，以減少金屬插塞的厚度。接著，在基底結構上形成一共形的氮化鈦層，其中氮化鈦層在開口上具有一凹陷。之後，在氮化鈦層上形成一固化的旋塗式玻璃層填滿凹陷。然後，以旋塗式玻璃層為罩幕，蝕刻旋塗式玻璃層，以實質上去除開口外的氮化鈦層。
简体摘要：一种金属镶嵌制程，系先提供一基底结构。接着，在基底结构中形成一开口。之后，在开口中形成一金属插塞。然后，回蚀刻金属插塞，以减少金属插塞的厚度。接着，在基底结构上形成一共形的氮化钛层，其中氮化钛层在开口上具有一凹陷。之后，在氮化钛层上形成一固化的旋涂式玻璃层填满凹陷。然后，以旋涂式玻璃层为罩幕，蚀刻旋涂式玻璃层，以实质上去除开口外的氮化钛层。

8. 发明专利

TW426961B 節點接觸窗開口的製造方法失效
简体标题：节点接触窗开口的制造方法
公开(公告)号：TW426961B
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：TW088113222
申请日：1999-08-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李東興 , 陳中怡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L27/10814
摘要：一種節點接觸窗開口的製造方法，係於位元線形成後，覆蓋一層共形的第二絕緣層做為蝕刻終止層之用，再於其上覆蓋一層第三絕緣層，以做為後續將成之電容器與位元線的電性隔離之用，之後將第三絕緣層上所形成之罩幕圖案層的圖案轉移至第三絕緣層，用以於第三絕緣層中形成開口，接著於剝除開口中之第二絕緣層後，在開口的側壁形成間隙壁，再以罩幕圖案層和間隙壁為蝕刻罩幕，對位元線下方的第一絕緣層進行蝕刻製程，使開口繼續延伸至基底，以形成接觸窗開口。
简体摘要：一种节点接触窗开口的制造方法，系于比特线形成后，覆盖一层共形的第二绝缘层做为蚀刻终止层之用，再于其上覆盖一层第三绝缘层，以做为后续将成之电容器与比特线的电性隔离之用，之后将第三绝缘层上所形成之罩幕图案层的图案转移至第三绝缘层，用以于第三绝缘层中形成开口，接着于剥除开口中之第二绝缘层后，在开口的侧壁形成间隙壁，再以罩幕图案层和间隙壁为蚀刻罩幕，对比特线下方的第一绝缘层进行蚀刻制程，使开口继续延伸至基底，以形成接触窗开口。

9. 发明专利

TW434798B 防止渠溝隔離氧化層過蝕之方法失效
简体标题：防止渠沟隔离氧化层过蚀之方法
公开(公告)号：TW434798B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW089104048
申请日：2000-03-07
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳中怡
IPC分类号： H01L
摘要：一種製作渠溝隔離(trench isolation)的方法在此揭露，藉以改善渠溝隔離氧化層於清潔程序中所形成之表面缺陷。本發明所提出之方法，主要是在形成渠溝隔離氧化層前,先在定義出的渠溝區內，均勻覆蓋至少一介電墊(dielectric liner)。然後，又沈積另一氮化矽墊，均勻覆蓋此氧化層。之後，更於其上形成一保護層(氧化物或光阻層)。此保護層經平坦及回蝕程序而僅存於渠溝區內。之後，清除未被保護層覆蓋住之氮化矽。最後,再移除保護層。由於在清潔程序中，氧化層被形同保護膜的氮化矽墊保護著，因此清潔程序對氧化層的破壞，可大為降低。因此當後續之字線成形時，將不致因有嚴重之氧化層邊緣缺陷，而產生元件偏移的現象。而氧化層表面缺陷的改善亦使多晶殘留的情形大為降低。
简体摘要：一种制作渠沟隔离(trench isolation)的方法在此揭露，借以改善渠沟隔离氧化层于清洁进程中所形成之表面缺陷。本发明所提出之方法，主要是在形成渠沟隔离氧化层前,先在定义出的渠沟区内，均匀覆盖至少一介电垫(dielectric liner)。然后，又沉积另一氮化硅垫，均匀覆盖此氧化层。之后，更于其上形成一保护层(氧化物或光阻层)。此保护层经平坦及回蚀进程而仅存于渠沟区内。之后，清除未被保护层覆盖住之氮化硅。最后,再移除保护层。由于在清洁进程中，氧化层被形同保护膜的氮化硅垫保护着，因此清洁进程对氧化层的破坏，可大为降低。因此当后续之字线成形时，将不致因有严重之氧化层边缘缺陷，而产生组件偏移的现象。而氧化层表面缺陷的改善亦使多晶残留的情形大为降低。

10. 发明专利

TW432687B 柱狀電容器的製造方法有权
简体标题：柱状电容器的制造方法
公开(公告)号：TW432687B
公开(公告)日：2001-05-01
申请号：TW088111259
申请日：1999-07-02
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李東興 , 陳中怡
IPC分类号： H01L
摘要：一種柱狀電容器的製造方法。本發明利用氮化物間隙壁與氧化層之間具有不同的蝕刻選擇率，而降低氧化層的厚度及儲存節點開口的高寬比，且利用濕式蝕刻法去除氮化物間隙壁，以縮減製程循環時間(cycle time)。
简体摘要：一种柱状电容器的制造方法。本发明利用氮化物间隙壁与氧化层之间具有不同的蚀刻选择率，而降低氧化层的厚度及存储节点开口的高宽比，且利用湿式蚀刻法去除氮化物间隙壁，以缩减制程循环时间(cycle time)。

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