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1. 发明专利

TW201815064A 用於柵欄架構之整合式位準轉換器及鎖存器审中-公开
简体标题：用于栅栏架构之集成式位准转换器及锁存器
公开(公告)号：TW201815064A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105144158
申请日：2016-12-30
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：賓維傑亞拉梵凡卡崔漢文 , BRINGIVIJAYARAGHAVAN, VENKATRAGHAVAN
IPC分类号： H03K5/003 , G11C11/419
CPC分类号： H03K19/018507 , G11C7/1057 , G11C7/1072 , G11C7/1084 , G11C11/417 , G11C11/418 , H03K3/356 , H03K3/356121 , H03K3/356173 , H03K3/356191
摘要：本揭示內容係有關於整合式位準轉換器及鎖存器電路，且更特別的是，有關用於SRAM單元之柵欄架構的整合式位準轉換器及鎖存器電路。用於輸入訊號之該整合式位準轉換器及鎖存器包括第一時脈(CLKS)與第二時脈(CLKH)。該第一時脈(CLKS)用作其時序為正向邊緣之關鍵的預充電及評估時脈，以及該第二時脈(CLKH)為鎖存器時脈。
简体摘要：本揭示内容系有关于集成式位准转换器及锁存器电路，且更特别的是，有关用于SRAM单元之栅栏架构的集成式位准转换器及锁存器电路。用于输入信号之该集成式位准转换器及锁存器包括第一时脉(CLKS)与第二时脉(CLKH)。该第一时脉(CLKS)用作其时序为正向边缘之关键的预充电及评估时脉，以及该第二时脉(CLKH)为锁存器时脉。

2. 发明专利

TWI508450B 半動態正反器有权
简体标题：半动态正反器
公开(公告)号：TWI508450B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102112707
申请日：2013-04-10
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：謝文斌 , HSIEH, WEN PIN
IPC分类号： H03K3/037 , H03K3/356
CPC分类号： H03K3/356 , H03K3/356191

3. 发明专利

TW201218627A 改良位準移位器的電路及方法审中-公开
简体标题：改良位准移位器的电路及方法
公开(公告)号：TW201218627A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099135696
申请日：2010-10-20
申请人：天鈺科技股份有限公司
发明人：黃弘安 , 劉永元
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K3/356191 , H03K3/012
摘要：在位準移位器的鎖存器與電壓源之間串接限流電路限制該鎖存器的驅動電流不超過某設定値,因而減少該位準移位器在轉換時的消耗電流,而且可以使用較短通道長度的電晶體實現該鎖存器,縮小該位準移位器的電路面積。較佳者,該設定値是可調的,藉以調整該位準移位器的輸出驅動能力,加快該位準移位器的轉換速度。
简体摘要：在位准移位器的锁存器与电压源之间串接限流电路限制该锁存器的驱动电流不超过某设置値,因而减少该位准移位器在转换时的消耗电流,而且可以使用较短信道长度的晶体管实现该锁存器,缩小该位准移位器的电路面积。较佳者,该设置値是可调的,借以调整该位准移位器的输出驱动能力,加快该位准移位器的转换速度。

4. 发明专利

TW582139B 積體電路及將單軌訊號轉換成雙軌訊號的電路配置有权
简体标题：集成电路及将单轨信号转换成双轨信号的电路配置
公开(公告)号：TW582139B
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092100605
申请日：2003-01-13
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：湯姆斯庫恩慕德 THOMAS KUENEMUND
IPC分类号： H03K , G06K
CPC分类号： H03K3/356139 , H03K3/356191
摘要：本發明提供一種積體電路，可用以將一單軌訊號轉換成一雙軌訊號，其中有一轉換裝置(500)，係連接在一資料輸入端(501)和一資料輸出連接點(502，503)之間。該轉換裝置(500)包括一記憶體單元，其輸入端(SZE)係連接至位於該積體電路上之資料輸入端(501)，其各輸出連接端(SZA1，SZA2)在該記憶體單元為透明狀態時，可提供邏輯上有效之雙軌訊號。裝設在該記憶體單元(SZ)兩個輸出連接端(SZA1，SZA2)和該積體電路輸出連接端(502，503)之間的部件乃是一電路裝置(520)，係用以對連接至輸出連接端之各輸出連接端上之各相關輸出線路，執行預先充電處理，並確保自預先充電階段至該兩條輸出線路上各相關邏輯狀態之期間內建立一直接通道路徑。
简体摘要：本发明提供一种集成电路，可用以将一单轨信号转换成一双轨信号，其中有一转换设备(500)，系连接在一数据输入端(501)和一数据输出连接点(502，503)之间。该转换设备(500)包括一内存单元，其输入端(SZE)系连接至位于该集成电路上之数据输入端(501)，其各输出连接端(SZA1，SZA2)在该内存单元为透明状态时，可提供逻辑上有效之双轨信号。装设在该内存单元(SZ)两个输出连接端(SZA1，SZA2)和该集成电路输出连接端(502，503)之间的部件乃是一电路设备(520)，系用以对连接至输出连接端之各输出连接端上之各相关输出线路，运行预先充电处理，并确保自预先充电阶段至该两条输出线路上各相关逻辑状态之期间内置立一直接信道路径。

5. 发明专利

TW201742381A 具有內建位準移位器之鎖存器审中-公开
简体标题：具有内置位准移位器之锁存器
公开(公告)号：TW201742381A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106117380
申请日：2017-05-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：楊皓義 , YANG, HAO-I , 李政宏 , LEE, CHENG HUNG , 謝繼開 , HSIEH, CHI-KAI , 吳福安 , WU, FU-AN , 黃宗賢 , HUANG, TSUNG-HSIEN
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： G11C11/419 , G11C7/10 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , H03K3/356113 , H03K3/356139 , H03K3/356156 , H03K3/356191 , H03K19/0175
摘要：本發明實施例揭露一種半導體裝置，其包括一第一供應電壓、不同於該第一供應電壓之一第二供應電壓及一切換電路。該切換電路包括：一輸入端，其經組態以接收對應於該第一供應電壓之一輸入信號；及一輸出端，其經組態以輸出對應於該第二供應電壓之一輸出信號。該切換電路係與一內建位準移位器組合之一鎖存器，其提供鎖存功能及位準移位功能，且當該切換電路提供鎖存功能時，切斷一洩漏路徑。
简体摘要：本发明实施例揭露一种半导体设备，其包括一第一供应电压、不同于该第一供应电压之一第二供应电压及一切换电路。该切换电路包括：一输入端，其经组态以接收对应于该第一供应电压之一输入信号；及一输出端，其经组态以输出对应于该第二供应电压之一输出信号。该切换电路系与一内置位准移位器组合之一锁存器，其提供锁存功能及位准移位功能，且当该切换电路提供锁存功能时，切断一泄漏路径。

6. 发明专利

TW201440435A 半動態正反器审中-公开
简体标题：半动态正反器
公开(公告)号：TW201440435A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102112707
申请日：2013-04-10
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：謝文斌 , HSIEH, WEN PIN
IPC分类号： H03K3/037 , H03K3/356
CPC分类号： H03K3/356 , H03K3/356191
摘要：本案提供之一種半動態正反器。選擇電路自資料信號與測試信號中選擇輸入信號。充放電電路根據輸入信號、時脈信號及調整信號為中間節點充電/放電。第一儲存電路儲存中間節點之電位。調整電路根據時脈信號及中間節點之電位產生調整信號。輸出電路根據時脈信號及中間節點之電位調整輸出節點之電位。第二儲存電路儲存輸出節點之電位。重置電路係用以重置或設定輸出節點之電位。開關連接於調整電路與充放電電路間，並且在正常運作模式中為導通。
简体摘要：本案提供之一种半动态正反器。选择电路自数据信号与测试信号中选择输入信号。充放电电路根据输入信号、时脉信号及调整信号为中间节点充电/放电。第一存储电路存储中间节点之电位。调整电路根据时脉信号及中间节点之电位产生调整信号。输出电路根据时脉信号及中间节点之电位调整输出节点之电位。第二存储电路存储输出节点之电位。重置电路系用以重置或设置输出节点之电位。开关连接于调整电路与充放电电路间，并且在正常运作模式中为导通。

7. 发明专利

TW200534585A 高速正反器以及使用此正反器的複合閘 HIGH SPEED FLIP-FLOPS AND COMPLEX GATES USING THE SAME 审中-公开
简体标题：高速正反器以及使用此正反器的复合闸 HIGH SPEED FLIP-FLOPS AND COMPLEX GATES USING THE SAME
公开(公告)号：TW200534585A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094110682
申请日：2005-04-04
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金修 KIM, MIN-SU
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K3/012 , H03K3/356121 , H03K3/356191 , H03K19/20
摘要：本發明提供一種高速正反器與使用此高速正反器的複合閘。該正反器包括在電源供應電壓與接地電壓之間串聯的第一PMOS電晶體與第二及第三NMOS電晶體。其中，第一PMOS電晶體及第二NMOS電晶體的閘極，係連接至輸入資料。第三NMOS電晶體的閘極，係連接至時脈脈衝訊號。位於第一PMOS電晶體及第二NMOS電晶體之間的第一中間節點的邏輯位準，會由第一閂鎖器所閂鎖。該正反器更加包括在電源供應電壓與接地電壓之間串聯的第四PMOS電晶體與第五及第六NMOS電晶體。第四PMOS電晶體及第五NMOS電晶體的閘極，係連接至第一中間節點。第六NMOS電晶體的閘極，係連接至時脈脈衝訊號。位於第四PMOS電晶體及第五NMOS電晶體之間的第二中間節點的邏輯位準，會由第二閂鎖器所閂鎖。因此，正反器的中間節點，係經由兩個邏輯位準會上下切換的NMOS電晶體，連接至接地電壓，而非使用三個或更多個電晶體，因此可縮短裝置的切換時間。
简体摘要：本发明提供一种高速正反器与使用此高速正反器的复合闸。该正反器包括在电源供应电压与接地电压之间串联的第一PMOS晶体管与第二及第三NMOS晶体管。其中，第一PMOS晶体管及第二NMOS晶体管的闸极，系连接至输入数据。第三NMOS晶体管的闸极，系连接至时脉脉冲信号。位于第一PMOS晶体管及第二NMOS晶体管之间的第一中间节点的逻辑位准，会由第一闩锁器所闩锁。该正反器更加包括在电源供应电压与接地电压之间串联的第四PMOS晶体管与第五及第六NMOS晶体管。第四PMOS晶体管及第五NMOS晶体管的闸极，系连接至第一中间节点。第六NMOS晶体管的闸极，系连接至时脉脉冲信号。位于第四PMOS晶体管及第五NMOS晶体管之间的第二中间节点的逻辑位准，会由第二闩锁器所闩锁。因此，正反器的中间节点，系经由两个逻辑位准会上下切换的NMOS晶体管，连接至接地电压，而非使用三个或更多个晶体管，因此可缩短设备的切换时间。

8. 发明专利

TW499794B 傳輸信號用之接收器和傳送器有权
简体标题：传输信号用之接收器和发送器
公开(公告)号：TW499794B
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：TW089108589
申请日：2000-05-05
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：黃弘一
IPC分类号： H03K
CPC分类号： G11C7/062 , H03K3/356113 , H03K3/356191
摘要：一種信號傳輸架構，特別是其中之信號接收器和信號傳送器。其中信號傳送器係傳送一差動輸入信號對至傳輸線，其主要包括電晶體控制電路，用來預充電期問，透過傳輸線將信號接收器的輸入端預充電至一既定電壓，在預充電結束後，則傳送差動輸入信號對到傳輸線上。信號接收器則包括一正回授差動放大器、一耦合電路和一預充電裝置。預充電裝置可以在預充電期間將正回授差動放大器的差動輸入端預充電上述既定電壓。進行取值時，耦合電路則從輸入端耦合接收之差動輸入信號到差動輸入端上。當差動輸入端上出現足夠的電位差時，則啟動正回授差動放大器來放大進入之差動輸入信號對並且輸出至差動輸出端上。
简体摘要：一种信号传输架构，特别是其中之信号接收器和信号发送器。其中信号发送器系发送一差动输入信号对至传输线，其主要包括晶体管控制电路，用来预充电期问，透过传输线将信号接收器的输入端预充电至一既定电压，在预充电结束后，则发送差动输入信号对到传输在线。信号接收器则包括一正回授差动放大器、一耦合电路和一预充电设备。预充电设备可以在预充电期间将正回授差动放大器的差动输入端预充电上述既定电压。进行取值时，耦合电路则从输入端耦合接收之差动输入信号到差动输入端上。当差动输入端上出现足够的电位差时，则启动正回授差动放大器来放大进入之差动输入信号对并且输出至差动输出端上。

9. 发明专利

TW201815066A 比較器和信號輸出方法审中-公开
简体标题：比较器和信号输出方法
公开(公告)号：TW201815066A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106132765
申请日：2017-09-25
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：夏柏艾曼 , SHABRA, AYMAN , 阿士伯恩米迦勒 , ASHBURN JR., MICHAEL A.
IPC分类号： H03K5/22 , H03M1/38
CPC分类号： H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F2200/294 , H03F2200/411 , H03F2200/78 , H03K3/00 , H03K3/356139 , H03K3/356191 , H03K5/249
摘要：本發明提供了一種比較器，包括：第一放大級和第二放大級，所述第一放大級和所述第二放大級用於接收輸入信號；以及雙穩態電路，與所述第一放大級和所述第二放大級耦合，用於提供輸出信號，所述輸出信號是從兩個可選值中選出的；其中，所述第一放大級用於在第一時間區間驅動所述雙穩態電路，所述第二放大級用於在第二時間區間驅動所述雙穩態電路。
简体摘要：本发明提供了一种比较器，包括：第一放大级和第二放大级，所述第一放大级和所述第二放大级用于接收输入信号；以及双稳态电路，与所述第一放大级和所述第二放大级耦合，用于提供输出信号，所述输出信号是从两个可选值中选出的；其中，所述第一放大级用于在第一时间区间驱动所述双稳态电路，所述第二放大级用于在第二时间区间驱动所述双稳态电路。

10. 发明专利

TW201813312A 位準偏移器及用來偏移電壓位準的方法审中-公开
简体标题：位准偏移器及用来偏移电压位准的方法
公开(公告)号：TW201813312A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106120892
申请日：2017-06-22
申请人：芬蘭商密尼馬處理器公司 , MINIMA PROCESSOR OY
发明人：帕西歐亞里 , PAASIO, ARI , 柯斯金南羅里 , KOSKINEN, LAURI , 土溫柯威斯特馬修 , TURNQUIST, MATTHEW
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/0185 , H03K3/356113 , H03K3/356121 , H03K3/356191 , H03K19/0013 , H03K19/018521 , H03K19/018585 , H03K19/0963
摘要：一種位準偏移器，包括：第一控制開關(207)，係用以將輸出端連接到第一供應電壓(VDDH)，以將輸出信號設置為高，以及第二控制開關(208)，係用以將輸出端連接到信號接地(GND)，以將輸出信號設置為低。該位準偏移器，係包括用於將輸出端連接到第一供應電壓的預充電開關(210)以及用於控制輸入信號的能力以控制第二控制開關的輸入閘極電路(211)。該位準偏移器包括用於基於輸出信號控制第一控制開關的保持器電路(212)。當輸出信號為低時，第一控制開關由第一供應電壓控制，以及當輸出信號為高時，以第一供應電壓和信號接地之間的第二供應電壓控制。
简体摘要：一种位准偏移器，包括：第一控制开关(207)，系用以将输出端连接到第一供应电压(VDDH)，以将输出信号设置为高，以及第二控制开关(208)，系用以将输出端连接到信号接地(GND)，以将输出信号设置为低。该位准偏移器，系包括用于将输出端连接到第一供应电压的预充电开关(210)以及用于控制输入信号的能力以控制第二控制开关的输入闸极电路(211)。该位准偏移器包括用于基于输出信号控制第一控制开关的保持器电路(212)。当输出信号为低时，第一控制开关由第一供应电压控制，以及当输出信号为高时，以第一供应电压和信号接地之间的第二供应电压控制。

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