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1. 发明专利

TWI516018B 倍頻裝置及其操作方法有权
简体标题：倍频设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI516018B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW101134839
申请日：2012-09-21
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：郭建男 , KUO, CHIEN NAN , 顏子超 , YAN, TZU CHAO
IPC分类号： H03D7/12
CPC分类号： H03B19/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1253 , H03B5/1296 , H03B19/14 , H03B2200/0074

2. 发明专利

TWI362175B 耦合電感多頻帶電壓控制振盪器及產生一振盪訊號之方法 COUPLED-INDUCTOR MULTI-BAND VCO AND METHOD OF GENERATING AN OSCILLATOR SIGNAL 有权
简体标题：耦合电感多频带电压控制振荡器及产生一振荡信号之方法 COUPLED-INDUCTOR MULTI-BAND VCO AND METHOD OF GENERATING AN OSCILLATOR SIGNAL
公开(公告)号：TWI362175B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW094127334
申请日：2005-08-11
申请人：高通公司
发明人：喬克伯尼斯
IPC分类号： H03B
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/1218 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1296 , H03B2200/0048 , H03B2201/025
摘要：一種採用一具有N＞＝2個埠之基於耦合電感之諧振器的多頻帶電壓控制振盪器(VCO)。每一埠具有一電感器及至少一個電容器。該等N個埠之N個電感器係磁耦接。該等電感器/埠可予以選擇性啟用與停用，以允許該VCO在不同頻帶處運作。每一埠之電容器可包括一或多個固定電容器、一或多個可變電容器(可變電抗器)、一或多個可切換式電容器或固定、可變及可切換式電容器之任意組合。經啟用之埠中之該等可切換式電容器(若存在)可予以選擇性啟用與停用，以改變該VCO之振盪頻率。該經啟用之埠中之該等可變電抗器(若存在)能改變該振盪頻率，以將該VCO鎖定至一所要頻率。該多頻帶VCO可用多種振盪器拓撲來實施且其能替代多個單頻帶VCO。
简体摘要：一种采用一具有N＞＝2个端口之基于耦合电感之谐振器的多频带电压控制振荡器(VCO)。每一端口具有一电感器及至少一个电容器。该等N个端口之N个电感器系磁耦接。该等电感器/端口可予以选择性激活与停用，以允许该VCO在不同频带处运作。每一端口之电容器可包括一或多个固定电容器、一或多个可变电容器(可变电抗器)、一或多个可切换式电容器或固定、可变及可切换式电容器之任意组合。经激活之端口中之该等可切换式电容器(若存在)可予以选择性激活与停用，以改变该VCO之振荡频率。该经激活之端口中之该等可变电抗器(若存在)能改变该振荡频率，以将该VCO锁定至一所要频率。该多频带VCO可用多种振荡器拓扑来实施且其能替代多个单频带VCO。

3. 发明专利

TWI289933B 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI289933B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW094122128
申请日：2005-06-30
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：鈴木敏 SATOSHI SUZUKI , 松塚隆之 TAKAYUKI MATSUZUKA , 長明健一郎 KENICHIRO CHOMEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0658 , H01L27/0808 , H01L29/93 , H03B5/1203 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H03B5/1296
摘要： [課題] 提供一種半導體裝置，使用由形成雙極性電晶體之半導體層之中之基極層和集極層構成之PN接面在同一半導體基板上形成和電容成分串聯之電阻成分小之可變電容元件，和雙極性電晶體組合而形成電壓控制振盪電路。[解決手段] 藉著使用由形成雙極性電晶體之半導體層之中之基極層和集極層形成之PN接面在單一之集極層8上相分離之複數個基極層9而形成複數個PN接面，而且共用該集極層的將各PN接面逆向串聯，形成使得在複數個基極層間產生之電容按照供給共用之集極層之電壓變化之可變電容元件31，藉著將該可變電容元件和在同一半導體基板6上所形成之BPT10組合並連接而形成電壓控制振盪電路。
简体摘要： [课题] 提供一种半导体设备，使用由形成双极性晶体管之半导体层之中之基极层和集极层构成之pn结在同一半导体基板上形成和电容成分串联之电阻成分小之可变电容组件，和双极性晶体管组合而形成电压控制振荡电路。[解决手段] 借着使用由形成双极性晶体管之半导体层之中之基极层和集极层形成之pn结在单一之集极层8上相分离之复数个基极层9而形成复数个pn结，而且共享该集极层的将各pn结逆向串联，形成使得在复数个基极层间产生之电容按照供给共享之集极层之电压变化之可变电容组件31，借着将该可变电容组件和在同一半导体基板6上所形成之BPT10组合并连接而形成电压控制振荡电路。

4. 发明专利

TW200723678A 用於類比及混合信號應用之折疊串接拓撲技術 ORIGAMI CASCADED TOPOLOGY FOR ANALOG AND MIXED-SIGNAL APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：用于模拟及混合信号应用之折叠串接拓扑技术 ORIGAMI CASCADED TOPOLOGY FOR ANALOG AND MIXED-SIGNAL APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200723678A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095128484
申请日：2006-08-03
申请人：加州大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：張茂重 CHANG, MAU-CHUNG FRANK , 黃達坤 HUANG, DAQUAN , 拉洛卡堤姆R. LAROCCA, TIM RICHARD
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03D7/1433 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1296 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0025 , H03D2200/0043 , H03D2200/0088 , H03F1/22 , H03F3/19 , H03F2200/294 , H03F2200/537 , H03F2200/61
摘要：本發明係有關耦合電路以及具有電源供應之電路耦合方法,其中多個電晶體直接電感耦合至供應電源用以直接供應單一DC供應電壓至多個電晶體中每一個電晶體,多個變壓器具有第一側與第二側繞線,第一側與第二側繞線至少有一部分提供電感式負載用以將多個電晶體與供應電源做電感式耦合,多個變壓器亦提供一AC信號路徑用以將多個電晶體中鄰近之電晶體耦合在一起。
简体摘要：本发明系有关耦合电路以及具有电源供应之电路耦合方法,其中多个晶体管直接电感耦合至供应电源用以直接供应单一DC供应电压至多个晶体管中每一个晶体管,多个变压器具有第一侧与第二侧绕线,第一侧与第二侧绕线至少有一部分提供电感式负载用以将多个晶体管与供应电源做电感式耦合,多个变压器亦提供一AC信号路径用以将多个晶体管中邻近之晶体管耦合在一起。

5. 发明专利

TW201633338A 適用於振盪器之變壓器與其方法审中-公开
简体标题：适用于振荡器之变压器与其方法
公开(公告)号：TW201633338A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104106437
申请日：2015-03-02
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 蔡志育 , TSAI, CHIH YU
IPC分类号： H01F27/30 , H01F38/00 , H01F41/06
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F41/042 , H01F2027/2809 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1296
摘要：本發明之實施例提供了一種適用於振盪器之變壓器與方法。變壓器包含有一第一線圈與一第二線圈。第一線圈為一第一金屬平面線圈且沿著一預設立體區域繞設，預設立體區域包含有一第一層與一第二層，第一層與第二層均包含有一左側區域與一右側區域，第一線圈沿第一層之左側區域之第一端繞設通過一第一中心線後，沿第二層之右側區域繞設直至第二層之左側區域之第二端。而第二線圈為一第二金屬平面線圈且沿著預設立體區域繞設，第二線圈沿第二層右側區域之第一端繞設通過一第一中心線後，沿第二層之左側區域繞設直至第一層之右側區域之第二端。其中，第一線圈於第二層之右側區域之一第二中心線位置設有一第一中間抽頭，第二線圈於第二層之左側區域之第二中心線位置設有一第二中間抽頭。
简体摘要：本发明之实施例提供了一种适用于振荡器之变压器与方法。变压器包含有一第一线圈与一第二线圈。第一线圈为一第一金属平面线圈且沿着一默认三維区域绕设，默认三維区域包含有一第一层与一第二层，第一层与第二层均包含有一左侧区域与一右侧区域，第一线圈沿第一层之左侧区域之第一端绕设通过一第一中心线后，沿第二层之右侧区域绕设直至第二层之左侧区域之第二端。而第二线圈为一第二金属平面线圈且沿着默认三維区域绕设，第二线圈沿第二层右侧区域之第一端绕设通过一第一中心线后，沿第二层之左侧区域绕设直至第一层之右侧区域之第二端。其中，第一线圈于第二层之右侧区域之一第二中心线位置设有一第一中间抽头，第二线圈于第二层之左侧区域之第二中心线位置设有一第二中间抽头。

6. 发明专利

TWI482426B 電壓控制振盪器模組以及振盪訊號產生方法有权
简体标题：电压控制振荡器模块以及振荡信号产生方法
公开(公告)号：TWI482426B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101108384
申请日：2012-03-13
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張智翔 , CHANG, CHIH HSIANG , 鄭乃禎 , CHENG, NAI CHEN , 李瑜 , LEE, YU , 楊清淵 , YANG, CHING YUAN
IPC分类号： H03B5/12 , H03L7/099
CPC分类号： H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1243 , H03B5/1296 , H03B19/14 , H03B27/00 , H03B2200/004 , H03B2200/0078 , H03B2201/0208 , H03L7/24

7. 发明专利

TW201338401A 電壓控制振盪器模組以及振盪訊號產生方法审中-公开
简体标题：电压控制振荡器模块以及振荡信号产生方法
公开(公告)号：TW201338401A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108384
申请日：2012-03-13
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張智翔 , CHANG, CHIH HSIANG , 鄭乃禎 , CHENG, NAI CHEN , 李瑜 , LEE, YU , 楊清淵 , YANG, CHING YUAN
IPC分类号： H03B5/12 , H03L7/099
CPC分类号： H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1243 , H03B5/1296 , H03B19/14 , H03B27/00 , H03B2200/004 , H03B2200/0078 , H03B2201/0208 , H03L7/24
摘要：一種電壓控制振盪器模組，包括一第一電壓控制振盪單元、一第二電壓控制振盪單元以及一匹配電路。第一電壓控制振盪單元具有一第一端及一第二端，用以產生一第一振盪訊號。第二電壓控制振盪單元耦接至第一電壓控制振盪單元，用以產生一第二振盪訊號。匹配電路耦接在第一及第二電壓控制振盪單元之間。匹配電路包括多個電感模組，分別耦接在第一電壓控制振盪單元的第一端與第二電壓控制振盪單元之間，在第一電壓控制振盪單元的第一端與第二端之間，以及在第一電壓控制振盪單元的第二端與第二電壓控制振盪單元之間。另外，一種振盪訊號產生方法亦被提出。
简体摘要：一种电压控制振荡器模块，包括一第一电压控制振荡单元、一第二电压控制振荡单元以及一匹配电路。第一电压控制振荡单元具有一第一端及一第二端，用以产生一第一振荡信号。第二电压控制振荡单元耦接至第一电压控制振荡单元，用以产生一第二振荡信号。匹配电路耦接在第一及第二电压控制振荡单元之间。匹配电路包括多个电感模块，分别耦接在第一电压控制振荡单元的第一端与第二电压控制振荡单元之间，在第一电压控制振荡单元的第一端与第二端之间，以及在第一电压控制振荡单元的第二端与第二电压控制振荡单元之间。另外，一种振荡信号产生方法亦被提出。

8. 发明专利

TW200820623A 背閘極耦合之壓控振盪器 BACK GATE COUPLED VOLTAGE CONTROL OSCILLATOR 失效
简体标题：背闸极耦合之压控振荡器 BACK GATE COUPLED VOLTAGE CONTROL OSCILLATOR
公开(公告)号：TW200820623A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW095138947
申请日：2006-10-23
申请人：國立臺灣科技大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：張勝良 JANG, SHENG LYANG , 李少華 LEE, SHAO HWA , 莊昀學 CHUANG, YUNHSUEH , 邱仲慶 CHIU, CHUNG CHING
IPC分类号： H03L
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B5/1296
摘要：一種壓控振盪器,包括壓控振盪電路和背閘極耦合電路。其中,壓控振盪電路至少包括一第一電晶體和一第二電晶體以及一電感和電容所構成的共振腔。而背閘極耦合電路由多個電容和多個電阻所構成。在本發明的實施例中,電容耦接於第一電晶體與第二電晶體之背閘極端,以降低壓控振盪器之消耗功率及相位雜訊。
简体摘要：一种压控振荡器,包括压控振荡电路和背闸极耦合电路。其中,压控振荡电路至少包括一第一晶体管和一第二晶体管以及一电感和电容所构成的共振腔。而背闸极耦合电路由多个电容和多个电阻所构成。在本发明的实施例中,电容耦接于第一晶体管与第二晶体管之背闸极端,以降低压控振荡器之消耗功率及相位噪声。

9. 发明专利

TWI548202B 具有強耦合ＬＣ槽的積體電路架構有权
简体标题：具有强耦合ＬＣ槽的集成电路架构
公开(公告)号：TWI548202B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW100138552
申请日：2011-10-21
申请人：南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：馬凱學 , MA, KAI XUE , 馬哈林甘納賈拉真 , MAHALINGAM, NAGARAJAN , 牟首先 , MOU, SHOUXIAN , 揚傑聖 , YEO, KIAT SENG
IPC分类号： H03B5/12 , H03L7/099 , H03L7/18
CPC分类号： H03H7/0115 , H03B5/1215 , H03B5/1218 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1296 , H03B19/00 , H03B2200/0074 , H03J3/20 , H03J2200/10 , H03L7/00

10. 发明专利

TW201234766A 具有強耦合ＬＣ槽的積體電路架構 INTEGRATED CIRCUIT ARCHITECTURE WITH STRONGLY COUPLED LC TANKS 审中-公开
简体标题：具有强耦合ＬＣ槽的集成电路架构 INTEGRATED CIRCUIT ARCHITECTURE WITH STRONGLY COUPLED LC TANKS
公开(公告)号：TW201234766A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100138552
申请日：2011-10-21
申请人：南洋理工大學
发明人：馬凱學 , 馬哈林甘納賈拉真 , 牟首先 , 揚傑聖
IPC分类号： H03B , H03L
CPC分类号： H03H7/0115 , H03B5/1215 , H03B5/1218 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1296 , H03B19/00 , H03B2200/0074 , H03J3/20 , H03J2200/10 , H03L7/00
摘要：一種用於一例如是壓控振盪器或是注入鎖定除頻器的射頻(RF)電路之積體電路係被提出。該積體電路架構係包含一初級LC槽電路以及一或多個次級LC槽電路,該初級LC槽電路係包括並聯連接的一第一電感器以及一第一電容性裝置,每個次級LC槽電路係包括並聯連接的一電感器以及一電容性裝置。該一或多個次級LC槽電路的每一個係電氣地、磁性地或是電氣與磁性地的組合强耦合至該初級LC槽電路並且彼此强耦合。
简体摘要：一种用于一例如是压控振荡器或是注入锁定除频器的射频(RF)电路之集成电路系被提出。该集成电路架构系包含一初级LC槽电路以及一或多个次级LC槽电路,该初级LC槽电路系包括并联连接的一第一电感器以及一第一电容性设备,每个次级LC槽电路系包括并联连接的一电感器以及一电容性设备。该一或多个次级LC槽电路的每一个系电气地、磁性地或是电气与磁性地的组合强耦合至该初级LC槽电路并且彼此强耦合。

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