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1. 发明专利

TWI627665B 鰭式場效電晶體及其製造方法有权
简体标题：鳍式场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TWI627665B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW105110744
申请日：2016-04-06
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：葉達勳 , YEH, TA HSUN , 羅正瑋 , LUO, CHENG WEI , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/06 , H01L29/78

2. 发明专利

TWI575695B 電子裝置和電磁輻射抑制方法有权
简体标题：电子设备和电磁辐射抑制方法
公开(公告)号：TWI575695B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103136312
申请日：2014-10-21
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H05K9/0071 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H03H1/0007 , H05K1/0216 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201633338A 適用於振盪器之變壓器與其方法审中-公开
简体标题：适用于振荡器之变压器与其方法
公开(公告)号：TW201633338A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104106437
申请日：2015-03-02
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 蔡志育 , TSAI, CHIH YU
IPC分类号： H01F27/30 , H01F38/00 , H01F41/06
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F41/042 , H01F2027/2809 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1296
摘要：本發明之實施例提供了一種適用於振盪器之變壓器與方法。變壓器包含有一第一線圈與一第二線圈。第一線圈為一第一金屬平面線圈且沿著一預設立體區域繞設，預設立體區域包含有一第一層與一第二層，第一層與第二層均包含有一左側區域與一右側區域，第一線圈沿第一層之左側區域之第一端繞設通過一第一中心線後，沿第二層之右側區域繞設直至第二層之左側區域之第二端。而第二線圈為一第二金屬平面線圈且沿著預設立體區域繞設，第二線圈沿第二層右側區域之第一端繞設通過一第一中心線後，沿第二層之左側區域繞設直至第一層之右側區域之第二端。其中，第一線圈於第二層之右側區域之一第二中心線位置設有一第一中間抽頭，第二線圈於第二層之左側區域之第二中心線位置設有一第二中間抽頭。
简体摘要：本发明之实施例提供了一种适用于振荡器之变压器与方法。变压器包含有一第一线圈与一第二线圈。第一线圈为一第一金属平面线圈且沿着一默认三維区域绕设，默认三維区域包含有一第一层与一第二层，第一层与第二层均包含有一左侧区域与一右侧区域，第一线圈沿第一层之左侧区域之第一端绕设通过一第一中心线后，沿第二层之右侧区域绕设直至第二层之左侧区域之第二端。而第二线圈为一第二金属平面线圈且沿着默认三維区域绕设，第二线圈沿第二层右侧区域之第一端绕设通过一第一中心线后，沿第二层之左侧区域绕设直至第一层之右侧区域之第二端。其中，第一线圈于第二层之右侧区域之一第二中心线位置设有一第一中间抽头，第二线圈于第二层之左侧区域之第二中心线位置设有一第二中间抽头。

4. 发明专利

TW201604903A 積體變壓器审中-公开
简体标题：积体变压器
公开(公告)号：TW201604903A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103124582
申请日：2014-07-17
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F19/00 , H01F27/28
摘要：一種積體變壓器包含有一第一電感及一第二電感，其中該第一電感包含了由一第一金屬層所構成的B圈螺旋狀繞線以及由一第二金屬層所構成的A圈繞線，其中由該第二金屬層所構成的A圈繞線與該第一金屬層所構成的B圈螺旋狀繞線的最內部的A圈繞線實質上重疊；該第二電感包含了至少由該第二金屬層所構成的C圈繞線，其中該第二電感之由該第二金屬層所構成的C圈繞線與該第一電感之由該第一金屬層所構成的部分繞線實質上重疊，其中A大於等於B，且A大於等於C。
简体摘要：一种积体变压器包含有一第一电感及一第二电感，其中该第一电感包含了由一第一金属层所构成的B圈螺旋状绕线以及由一第二金属层所构成的A圈绕线，其中由该第二金属层所构成的A圈绕线与该第一金属层所构成的B圈螺旋状绕线的最内部的A圈绕线实质上重叠；该第二电感包含了至少由该第二金属层所构成的C圈绕线，其中该第二电感之由该第二金属层所构成的C圈绕线与该第一电感之由该第一金属层所构成的部分绕线实质上重叠，其中A大于等于B，且A大于等于C。

5. 发明专利

TWI690043B 積體電路裝置有权
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TWI690043B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105104567
申请日：2016-02-17
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/48

6. 发明专利

TWI627646B 適用於振盪器之變壓器與其方法有权
简体标题：适用于振荡器之变压器与其方法
公开(公告)号：TWI627646B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW104106437
申请日：2015-03-02
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 蔡志育 , TSAI, CHIH YU
IPC分类号： H01F27/30 , H01F38/00 , H01F41/06

7. 发明专利

TW201737323A 鰭式場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：鳍式场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201737323A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105110744
申请日：2016-04-06
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：葉達勳 , YEH, TA HSUN , 羅正瑋 , LUO, CHENG WEI , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823481 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/0653
摘要：一種鰭式場效電晶體。鰭式場效電晶體包括基底、鰭片結構、閘極堆疊結構及隔離結構。鰭片結構設置於基底上並具有多個溝渠，而閘極堆疊結構其覆蓋於鰭片結構。隔離結構配置於基底上，以隔離閘極堆疊結構與基底，其中隔離結構具有不同的厚度。
简体摘要：一种鳍式场效应管。鳍式场效应管包括基底、鳍片结构、闸极堆栈结构及隔离结构。鳍片结构设置于基底上并具有多个沟渠，而闸极堆栈结构其覆盖于鳍片结构。隔离结构配置于基底上，以隔离闸极堆栈结构与基底，其中隔离结构具有不同的厚度。

8. 发明专利

TW201541476A 積體變壓器审中-公开
简体标题：积体变压器
公开(公告)号：TW201541476A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103114707
申请日：2014-04-23
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F19/00 , H01F27/28
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F5/00 , H01F19/04 , H01F2027/2809
摘要：一種積體變壓器包含有一第一電感以及一第二電感，其中該第一電感包含至少一第一圈以及一第二圈，且該第一電感至少由一第一金屬層以及一第二金屬層的多個繞線所構成，其中該第一金屬層與該第二金屬層為兩個相鄰的金屬層，且該第一電感之該第二圈係位於該第一圈之內；該第二電感包含至少一第一圈，且該第二電感至少由該第二金屬層所構成的至少一繞線所構成，其中該第二電感之該第一圈與該第一電感之該第一圈實質上重疊；其中該第一電感之該第二圈包含了使用該第一金屬層與該第二金屬層來形成一並聯繞線結構的一區段。
简体摘要：一种积体变压器包含有一第一电感以及一第二电感，其中该第一电感包含至少一第一圈以及一第二圈，且该第一电感至少由一第一金属层以及一第二金属层的多个绕线所构成，其中该第一金属层与该第二金属层为两个相邻的金属层，且该第一电感之该第二圈系位于该第一圈之内；该第二电感包含至少一第一圈，且该第二电感至少由该第二金属层所构成的至少一绕线所构成，其中该第二电感之该第一圈与该第一电感之该第一圈实质上重叠；其中该第一电感之该第二圈包含了使用该第一金属层与该第二金属层来形成一并联绕线结构的一区段。

9. 发明专利

TW201731046A 積體電路裝置审中-公开
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TW201731046A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105104567
申请日：2016-02-17
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/4952 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2224/0912 , H01L2224/45015 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4813 , H01L2224/4912 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752
摘要：一種積體電路裝置，包括一傳輸線，傳輸線包括一第一接地線和一第一訊號線。第一接地線包括一第一墊、一第二墊及一第一接合線，第一接合線為一種打線結構，連接第一墊與第二墊。第一訊號線包括一第三墊、一第四墊及一第二接合線，第二接合線為一種打線結構，連接第三墊與第四墊。藉此，傳輸線僅佔用少量的積體電路面積，且可提供足夠低的特徵阻抗。
简体摘要：一种集成电路设备，包括一传输线，传输线包括一第一接地线和一第一信号线。第一接地线包括一第一垫、一第二垫及一第一接合线，第一接合线为一种打线结构，连接第一垫与第二垫。第一信号线包括一第三垫、一第四垫及一第二接合线，第二接合线为一种打线结构，连接第三垫与第四垫。借此，传输线仅占用少量的集成电路面积，且可提供足够低的特征阻抗。

10. 发明专利

TWI571895B 參數可變之裝置、可變電感及具有該可變電感之裝置有权
简体标题：参数可变之设备、可变电感及具有该可变电感之设备
公开(公告)号：TWI571895B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW103119291
申请日：2014-06-03
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F21/02 , H01F27/42
CPC分类号： H01F21/12 , H01F27/32 , H01F2021/125

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