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热词
    • 1. 发明专利
    • 印刷電路板
    • 印刷电路板
    • TW201613442A
    • 2016-04-01
    • TW104116000
    • 2015-05-20
    • 藤倉股份有限公司FUJIKURA LTD.
    • 小松尙美KOMATSU, NAOMI
    • H05K3/46C09J171/12H01P3/02H01P3/08H05K1/02
    • H05K1/0228C09J171/12H01P3/085H01P3/088H01P11/003H05K1/0225H05K1/0237H05K1/03H05K3/429H05K3/4635H05K2201/0141H05K2203/061
    • 印刷電路板係包括:由液晶聚合物所構成之第1絕緣性基材11、形成於第1絕緣性基材11之一側主面11a的第1信號線131、由液晶聚合物所構成之第2絕緣性基材21、沿著第1信號線131之延伸方向形成於第2絕緣性基材21之一側主面21a的第2信號線231、以及使第1絕緣性基材11之一側主面11a與第2絕緣性基材21之一側主面21a黏合並由改質聚苯醚所構成的黏合層30,在第1信號線及第2信號線所傳送之信號的頻率是2.5GHz以上而且5.0GHz以下的情況,是從在沿著第1信號線131之寬度方向的端部中之一側端部的位置,至在沿著第2信號線231之寬度方向的端部中之一側端部的位置之距離的偏置量S比第1信號線131之電路寬度L1更長,並作成130μm以上而且300μm以下。
    • 印刷电路板系包括:由液晶聚合物所构成之第1绝缘性基材11、形成于第1绝缘性基材11之一侧主面11a的第1信号线131、由液晶聚合物所构成之第2绝缘性基材21、沿着第1信号线131之延伸方向形成于第2绝缘性基材21之一侧主面21a的第2信号线231、以及使第1绝缘性基材11之一侧主面11a与第2绝缘性基材21之一侧主面21a黏合并由改质聚苯醚所构成的黏合层30,在第1信号线及第2信号线所发送之信号的频率是2.5GHz以上而且5.0GHz以下的情况,是从在沿着第1信号线131之宽度方向的端部中之一侧端部的位置,至在沿着第2信号线231之宽度方向的端部中之一侧端部的位置之距离的偏置量S比第1信号线131之电路宽度L1更长,并作成130μm以上而且300μm以下。
    • 3. 发明专利
    • 具有溝槽之互連件
    • 具有沟槽之互连件
    • TW201721960A
    • 2017-06-16
    • TW105126767
    • 2016-08-22
    • 英特爾公司INTEL CORPORATION
    • 歐陽鞏OUYANG, GONG黃 邵武HUANG, SHAOWU蕭凱XIAO, KAI
    • H01P11/00H01P3/08H05K1/02H05K3/30H05K3/46
    • H01P3/081H01P3/04H01P11/003H05K1/024H05K1/0243H05K1/0245H05K2201/09036H05K2201/09872
    • 諸如印刷電路板或薄膜堆疊的層狀結構中之一種導體,至少一個開口溝槽緊緊位於該導體側面,該至少一個開口溝槽填充有比該導體之環繞電介質更低介電損耗之周圍介質(例如,空氣、另一氣體、真空)。該溝槽可藉由諸如雷射劃線、化學蝕刻或機械位移的任何適當精確方法製作。電介質之薄層可留在該導體之該等側面上,以防止可減小傳導性之氧化或其他反應。當該導體攜帶信號時,電場及/或磁場的通常將穿過環繞電介質之部分在該溝槽中遇到該低損耗周圍介質(例如空氣)。降低環繞該導體之有效介電損耗,從而尤其在高頻率下減小信號衰減及串音。
    • 诸如印刷电路板或薄膜堆栈的层状结构中之一种导体,至少一个开口沟槽紧紧位于该导体侧面,该至少一个开口沟槽填充有比该导体之环绕电介质更低介电损耗之周围介质(例如,空气、另一气体、真空)。该沟槽可借由诸如激光划线、化学蚀刻或机械位移的任何适当精确方法制作。电介质之薄层可留在该导体之该等侧面上,以防止可减小传导性之氧化或其他反应。当该导体携带信号时,电场及/或磁场的通常将穿过环绕电介质之部分在该沟槽中遇到该低损耗周围介质(例如空气)。降低环绕该导体之有效介电损耗,从而尤其在高频率下减小信号衰减及串音。
    • 8. 发明专利
    • 用於高頻寬通訊之可撓性電路結構
    • 用于高带宽通信之可挠性电路结构
    • TW201707528A
    • 2017-02-16
    • TW105113742
    • 2016-05-03
    • 英特爾公司INTEL CORPORATION
    • 海爾 史帝芬HHALL, STEPHEN H.凱斯杜里 維傑KASTURI, VIJAY哈曼 麥可THAMANN, MICHAEL T.
    • H05K1/11
    • H05K1/028H01P11/003H05K1/148
    • 提供用於使得一可撓性電路能夠進行小半徑彎曲之技術及機構。在一實施例中,該可撓性電路包括一第一區段、一第二區段,及在該第一區段與該第二區段之間的一第三區段。該第一區段之堆疊結構包括一第一跡線部分及一第一導體,且該第二區段之堆疊結構包括一第二跡線部分及一第二導體。在另一實施例中,在該第一導體及該第二導體維持於一參考電位時,該第三區段之一第一橫跨結構在該第一跡線部分與該第二跡線部分之間交換一第一信號。在交換該第一信號時,該第三區段之與該第一橫跨結構共平面之一第二橫跨結構維持於該參考電位或傳播與該第一信號互補的一第二信號。
    • 提供用于使得一可挠性电路能够进行小半径弯曲之技术及机构。在一实施例中,该可挠性电路包括一第一区段、一第二区段,及在该第一区段与该第二区段之间的一第三区段。该第一区段之堆栈结构包括一第一迹线部分及一第一导体,且该第二区段之堆栈结构包括一第二迹线部分及一第二导体。在另一实施例中,在该第一导体及该第二导体维持于一参考电位时,该第三区段之一第一横跨结构在该第一迹线部分与该第二迹线部分之间交换一第一信号。在交换该第一信号时,该第三区段之与该第一横跨结构共平面之一第二横跨结构维持于该参考电位或传播与该第一信号互补的一第二信号。