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1. 发明专利

TW201409650A 具有一體化法拉第屏蔽的多層電子結構审中-公开
简体标题：具有一体化法拉第屏蔽的多层电子结构
公开(公告)号：TW201409650A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102107891
申请日：2013-03-06
申请人：珠海越亞封裝基板技術股份有限公司 , ZHUHAI ADVANCED CHIP CARRIERS&ELECTRONIC SUBSTRATE SOLUTIONS TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：卓爾赫爾維茨 , DROR, HURWITZ
IPC分类号： H01L23/552 , H01L21/768
CPC分类号： H05K3/4644 , H01L2924/0002 , H01P3/06 , H01P3/085 , H05K1/0221 , H05K1/0242 , H05K3/429 , H05K3/4647 , H05K9/0024 , H05K2201/0723 , H05K2201/09618 , H05K2201/09672 , H05K2201/0979 , H05K2201/09972 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
摘要：一種多層電子支撐結構，其包括包封在介電材料中的至少一個金屬組件，並且還包括至少一個法拉第柵，用於屏蔽所述至少一個金屬組件以免受外部電磁場幹擾和防止所述金屬組件的電磁發射。
简体摘要：一种多层电子支撑结构，其包括包封在介电材料中的至少一个金属组件，并且还包括至少一个法拉第栅，用于屏蔽所述至少一个金属组件以免受外部电磁场干扰和防止所述金属组件的电磁发射。

2. 发明专利

TW200820485A 漸變接合式導電膜及使用其的高頻傳送線路以及高頻濾波器 GRADED JUNCTION CONDUCTIVE FILM AND HIGH FREQUENCY TRANSMISSION LINE AND HIGH FREQUENCY FILTER USING IT. 审中-公开
简体标题：渐变接合式导电膜及使用其的高频发送线路以及高频滤波器 GRADED JUNCTION CONDUCTIVE FILM AND HIGH FREQUENCY TRANSMISSION LINE AND HIGH FREQUENCY FILTER USING IT.
公开(公告)号：TW200820485A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096132424
申请日：2007-08-31
申请人：加川清二 KAGAWA, SEIJI
发明人：加川清二 KAGAWA, SEIJI
IPC分类号： H01P
CPC分类号： H01P3/06 , H01P3/023 , H01P3/026 , H01P3/08 , H01P3/122 , H05K1/0242 , H05K1/09 , H05K2201/0269 , H05K2201/0338 , H05K2201/037
摘要：一種漸變接合式導電膜,其為在塑膠薄膜10的至少一面,具有電阻不同的第一及第二金屬薄膜11a、11b,第一與第二金屬薄膜11a、11b的邊界具有金屬組成比在厚度方向中變化的漸變組成層12'。
简体摘要：一种渐变接合式导电膜,其为在塑胶薄膜10的至少一面,具有电阻不同的第一及第二金属薄膜11a、11b,第一与第二金属薄膜11a、11b的边界具有金属组成比在厚度方向中变化的渐变组成层12'。

3. 发明专利

TWI364399B 三維微結構及其形成方法 THREE-DIMENSIONAL MICROSTRUCTURES AND METHODS OF FORMATION THEREOF 有权
简体标题：三维微结构及其形成方法 THREE-DIMENSIONAL MICROSTRUCTURES AND METHODS OF FORMATION THEREOF
公开(公告)号：TWI364399B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW096150717
申请日：2007-12-28
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司
发明人：互克威廉D , 雪洛爾大衛W
IPC分类号： B81B , B81C , H01P
CPC分类号： H01P3/06 , B81B3/0059 , B81B2203/0109 , B81B2203/0307 , H01P11/005 , Y10T29/49123 , Y10T428/12361 , Y10T428/12389 , Y10T428/24331 , Y10T428/24545
摘要：所提供為三維微結構及其形成方法。該微結構藉由連續建造製程所形成，且其包含互相附加的微結構元件。舉例而言，該微結構於電磁能的同軸傳輸線得到應用。
简体摘要：所提供为三维微结构及其形成方法。该微结构借由连续建造制程所形成，且其包含互相附加的微结构组件。举例而言，该微结构于电磁能的同轴传输线得到应用。

4. 发明专利

TW200814919A 設計遮蔽互連之方法及系統 METHOD AND SYSTEM FOR DESIGNING SHIELDED INTERCONNECTS 审中-公开
简体标题：设计屏蔽互连之方法及系统 METHOD AND SYSTEM FOR DESIGNING SHIELDED INTERCONNECTS
公开(公告)号：TW200814919A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096117592
申请日：2007-05-17
申请人：維松威爾公司 VIZIONWARE, INC.
发明人：卡尼斯W 伊杰 EGAN, KENNETH W.
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01P3/06
摘要：本發明揭示一種對於一信號互連決定電磁遮蔽之特徵的方法。該電磁遮蔽係包含一遮蔽介電層及一遮蔽導電層。該方法包括:決定一組諧波頻率,該組諧波頻率與欲經由該互連傳輸之一信號的操作頻率相關連;基於一介電材料之損耗正切及該組諧波頻率識別該介電材料;決定一由該信號之傳輸所產生的預期可估計電磁場;及決定該預期可估計電磁場離該互連之一最大範圍。該方法額外包括基於該最大範圍決定該遮蔽介電層之一尺寸;基於該已識別介電材料及該尺寸,模擬該互連及該遮蔽介電層之電磁特徵;及驗證該互連極該遮蔽介電層之一操作。
简体摘要：本发明揭示一种对于一信号互连决定电磁屏蔽之特征的方法。该电磁屏蔽系包含一屏蔽介电层及一屏蔽导电层。该方法包括:决定一组谐波频率,该组谐波频率与欲经由该互连传输之一信号的操作频率相关连;基于一介电材料之损耗正切及该组谐波频率识别该介电材料;决定一由该信号之传输所产生的预期可估计电磁场;及决定该预期可估计电磁场离该互连之一最大范围。该方法额外包括基于该最大范围决定该屏蔽介电层之一尺寸;基于该已识别介电材料及该尺寸,仿真该互连及该屏蔽介电层之电磁特征;及验证该互连极该屏蔽介电层之一操作。

5. 发明专利

TW200501389A 同軸導波微結構及其形成方法 COAXIAL WAVEGUIDE MICROSTRUCTURES AND METHODS OF FORMATION THEREOF 审中-公开
简体标题：同轴导波微结构及其形成方法 COAXIAL WAVEGUIDE MICROSTRUCTURES AND METHODS OF FORMATION THEREOF
公开(公告)号：TW200501389A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093105667
申请日：2004-03-04
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C.
发明人：雪洛大衛W SHERRER, DAVID W. , 費雪約翰J FISHER, JOHN J.
IPC分类号： H01L , H01P
CPC分类号： H01P3/06 , H01P1/08 , H01P3/00 , H01P5/103 , H01P5/183 , H01P11/002 , H01P11/003 , H01P11/005 , H05K1/0221 , H05K1/0272 , H05K3/4644 , H05K3/4685 , H05K2201/09809 , Y10T29/49117 , Y10T29/49123
摘要：本發明提供了同軸導波管微結構。該微結構包含基材及配置在該基材之上的同軸導波管。該同軸導波管包含：中心導體；包含一個或多個壁之外圍導體，該外圍導體係與該中心導體間隔開，且配置在該中心導體附近；一個或多個介電質支承構件，用以支承該中心導體，該介電質支承構件係與該中心導體接觸，且被包封在該外圍導體之內；以及介於該中心導體與該外圍導體之間的核心容積，其中該核心容積係處於真空狀態或氣體狀態下。此外，本發明提供了以循序建立的製程來形成同軸導波管微結構之方法。
简体摘要：本发明提供了同轴导波管微结构。该微结构包含基材及配置在该基材之上的同轴导波管。该同轴导波管包含：中心导体；包含一个或多个壁之外围导体，该外围导体系与该中心导体间隔开，且配置在该中心导体附近；一个或多个介电质支承构件，用以支承该中心导体，该介电质支承构件系与该中心导体接触，且被包封在该外围导体之内；以及介于该中心导体与该外围导体之间的内核容积，其中该内核容积系处于真空状态或气体状态下。此外，本发明提供了以循序创建的制程来形成同轴导波管微结构之方法。

6. 发明专利

TW201800762A 傳輸線审中-公开
简体标题：传输线
公开(公告)号：TW201800762A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106103426
申请日：2017-02-02
申请人：塔拉檢視有限公司 , TERAVIEW LIMITED
发明人：李家鍾 , LEE, KA CHUNG
IPC分类号： G01R1/067 , G01R3/00 , G01R31/308
CPC分类号： G01R31/308 , G01R1/06772 , G01R1/06788 , G01R3/00 , H01P3/06 , H01P3/085 , H01P5/026 , H05K1/0219 , H05K1/025 , H05K2201/09727
摘要：本案關於一種具有第一端及第二端的傳輸線裝置，該傳輸線裝置經配置以在該第一端及該第二端之間傳輸一信號，該傳輸線裝置包含一信號導體、一第一傳導片及一第二傳導片、一絕緣材料及複數個傳導材料片段，該信號導體在該傳輸線裝置的該第一端及該第二端之間延伸，該第一傳導片及該第二傳導片經定位在該信號導體的兩個相對側上，該絕緣材料將該第一及第二傳導片與該信號導體隔開，該複數個傳導材料片段在該第一及第二傳導片之間延伸且經排列在該傳輸線裝置之該第一及第二端之間的不同位置處，其中該等傳導材料片段及該等傳導片經排列為大致圍繞該信號導體在該傳輸線裝置之該第一及第二端之間的長度的至少局部。
简体摘要：本案关于一种具有第一端及第二端的传输线设备，该传输线设备经配置以在该第一端及该第二端之间传输一信号，该传输线设备包含一信号导体、一第一传导片及一第二传导片、一绝缘材料及复数个传导材料片段，该信号导体在该传输线设备的该第一端及该第二端之间延伸，该第一传导片及该第二传导片经定位在该信号导体的两个相对侧上，该绝缘材料将该第一及第二传导片与该信号导体隔开，该复数个传导材料片段在该第一及第二传导片之间延伸且经排列在该传输线设备之该第一及第二端之间的不同位置处，其中该等传导材料片段及该等传导片经排列为大致围绕该信号导体在该传输线设备之该第一及第二端之间的长度的至少局部。

7. 发明专利

TW201543091A 導波體审中-公开
简体标题：导波体
公开(公告)号：TW201543091A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104103270
申请日：2015-01-30
申请人：摩勒克斯公司 , MOLEX INCORPORATED
发明人：塚原剛 , TSUKAHARA, TAKESHI , 星川重之 , HOSHIKAWA, SHIGEYUKI , 田中幹士 , TANAKA, MIKIJI , 田中美緒 , TANAKA, MIO
IPC分类号： G02B6/02
CPC分类号： H01P3/122 , G02B6/10 , H01P3/06 , H01P11/001 , H01P11/005
摘要：一種導波體包括：一實心的誘電體(51)；以及一外部導體(61)，包覆在所述誘電體(51)的外周，所述誘電體(51)的橫斷面是長方形的且具有在一對長邊(51a)上向外凸出的一形狀，且所述外部導體(61)的內表面緊密地附著於所述誘電體(51)的外表面。通過使誘電體與長方形的橫斷面的長邊對應的表面向外凸出，誘電體緊密地附著於外部導體，由此，穩定且降低傳輸損失、簡化結構及製造過程、降低成本、且提高穩定性。
简体摘要：一种导波体包括：一实心的诱电体(51)；以及一外部导体(61)，包覆在所述诱电体(51)的外周，所述诱电体(51)的横断面是长方形的且具有在一对长边(51a)上向外凸出的一形状，且所述外部导体(61)的内表面紧密地附着于所述诱电体(51)的外表面。通过使诱电体与长方形的横断面的长边对应的表面向外凸出，诱电体紧密地附着于外部导体，由此，稳定且降低传输损失、简化结构及制造过程、降低成本、且提高稳定性。

8. 发明专利

TWI445242B 三維微結構及其形成方法有权
简体标题：三维微结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI445242B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW096150718
申请日：2007-12-28
申请人：諾華尼克斯有限公司 , NUVOTRONICS, LLC
发明人：雪洛爾大衛W , SHERRER, DAVID W. , 尼古斯克斯多佛A , NICHOLS, CHRISTOPHER A. , 周熙房 , ZHOU, SHIFANG
IPC分类号： H01P3/06 , H01P11/00
CPC分类号： H01P3/06 , H01P11/005 , Y10T29/49123

9. 发明专利

TW201125000A 高頻用供電線、高頻用供電線的製造方法以及供電線保持結構 POWER SUPPLY LINE FOR HIGH-FREQUENCY CURRENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE POWER SUPPLY LINE 审中-公开
简体标题：高频用供电线、高频用供电线的制造方法以及供电线保持结构 POWER SUPPLY LINE FOR HIGH-FREQUENCY CURRENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE POWER SUPPLY LINE
公开(公告)号：TW201125000A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099133358
申请日：2010-09-30
申请人：松下電工股份有限公司
发明人：二畠康 , 前田裕史 , 寺裏浩一 , 松信幸博 , 土岐政人 , 原信次
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01P3/06 , Y10T29/49117
摘要：本發明提供一種可較高地取得內筒部對外筒部的定位精度且成形性良率較佳的高頻用供電線及高頻用供電線的製造方法。高頻用供電線1具有雙重筒狀導體部2，該雙重筒狀導體部2包括內筒部2a、以及通過4個連結部2c於遍及長度方向的全長上和內筒部2a一體連結的同心的外筒部2b。4個連結部2以規定間隔而配置於圓周方向上。藉由於內筒部2a和外筒部2b之間設置4個連結部2c，而和先前於內筒部200a與外筒部200b之間僅有1個連結部200c的高頻用供電線100相比，可提高內筒部2a的定位精度，從而可降低高頻電阻。
简体摘要：本发明提供一种可较高地取得内筒部对外筒部的定位精度且成形性良率较佳的高频用供电线及高频用供电线的制造方法。高频用供电线1具有双重筒状导体部2，该双重筒状导体部2包括内筒部2a、以及通过4个链接部2c于遍及长度方向的全长上和内筒部2a一体链接的同心的外筒部2b。4个链接部2以规定间隔而配置于圆周方向上。借由于内筒部2a和外筒部2b之间设置4个链接部2c，而和先前于内筒部200a与外筒部200b之间仅有1个链接部200c的高频用供电线100相比，可提高内筒部2a的定位精度，从而可降低高频电阻。

10. 发明专利

TW200842102A 三維微結構及其形成方法 THREE-DIMENSIONAL MICROSTRUCTURES AND METHODS OF FORMATION THEREOF 审中-公开
简体标题：三维微结构及其形成方法 THREE-DIMENSIONAL MICROSTRUCTURES AND METHODS OF FORMATION THEREOF
公开(公告)号：TW200842102A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096150717
申请日：2007-12-28
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：互克威廉D HOUCK, WILLIAM D. , 雪洛爾大衛W SHERRER, DAVID W.
IPC分类号： B81B
CPC分类号： H01P3/06 , B81B3/0059 , B81B2203/0109 , B81B2203/0307 , H01P11/005 , Y10T29/49123 , Y10T428/12361 , Y10T428/12389 , Y10T428/24331 , Y10T428/24545
摘要：所提供為三維微結構及其形成方法。該微結構藉由連續建造製程所形成,且其包含互相附加的微結構元件。舉例而言,該微結構於電磁能的同軸傳輸線得到應用。
简体摘要：所提供为三维微结构及其形成方法。该微结构借由连续建造制程所形成,且其包含互相附加的微结构组件。举例而言,该微结构于电磁能的同轴传输线得到应用。

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