专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201547033A 具有異質結構的變容二極體审中-公开
简体标题：具有异质结构的变容二极管
公开(公告)号：TW201547033A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104112553
申请日：2015-04-20
申请人：三胞半導體公司 , TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：陶更明 , TAO, NICK GENGMING
IPC分类号： H01L29/93
CPC分类号： H01L29/93 , H01L29/205 , H01L29/66174
摘要：本發明之具體實例描述積體電路(integrated circuit，IC)裝置(諸如變容二極體)之設備、方法及系統。該IC裝置包括複合集電極及異質結構。在該集電極/基極界面處包括較寬帶隙材料層作為該集電極之一部分。該寬帶隙材料之存在可增加崩潰電壓且允許在該集電極之較窄帶隙部分中增加的超突變(hyperabrupt)摻雜特徵。此可允許在不降低與同質接面裝置相關聯之崩潰效能的情況下增加調諧範圍且改良互調變(intermodulation，IMD)效能。亦可描述及/或主張其他具體實例。
简体摘要：本发明之具体实例描述集成电路(integrated circuit，IC)设备(诸如变容二极管)之设备、方法及系统。该IC设备包括复合集电极及异质结构。在该集电极/基极界面处包括较宽带隙材料层作为该集电极之一部分。该宽带隙材料之存在可增加崩溃电压且允许在该集电极之较窄带隙部分中增加的超突变(hyperabrupt)掺杂特征。此可允许在不降低与同质接面设备相关联之崩溃性能的情况下增加调谐范围且改良互调制(intermodulation，IMD)性能。亦可描述及/或主张其他具体实例。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式