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1. 发明专利

TWI524503B 深溝槽變容器有权
简体标题：深沟槽变容器
公开(公告)号：TWI524503B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW098139744
申请日：2009-11-23
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：柯林斯大衛S , COLLINS, DAVID S. , 羅素羅伯特M , RASSEL, ROBERT M. , 湯普森艾瑞克 , THOMPSON, ERIC
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/70 , H01L29/92
CPC分类号： H01L29/93 , H01L27/0805 , H01L27/0808 , H01L29/66181 , H01L29/945

2. 发明专利

TW201037817A 深溝槽變容器 DEEP TRENCH VARACTORS 审中-公开
简体标题：深沟槽变容器 DEEP TRENCH VARACTORS
公开(公告)号：TW201037817A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098139744
申请日：2009-11-23
申请人：萬國商業機器公司
发明人：柯林斯大衛S , 羅素羅伯特M , 湯普森艾瑞克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/93 , H01L27/0805 , H01L27/0808 , H01L29/66181 , H01L29/945
摘要：本發明揭示一種與一深溝槽電容器（capacitor）結構相容的深溝槽變容器（varactor）結構及其製造方法。在一第二深溝槽上形成一嵌埋板層（buried plate layer），同時保護第一溝槽免於形成任何嵌埋板層。深溝槽的內部填滿導電材料，以形成內部電極。在外面形成至少一摻雜井並相鄰第一深溝槽之部份，且構成至少一外部變容器電極。多個摻雜井可並聯，以提供具有複雜電壓相依性之電容值的變容器。嵌埋板層以及與其相連的另一摻雜井構成第二深溝槽上所形成之一線性電容器的一外部電極。
简体摘要：本发明揭示一种与一深沟槽电容器（capacitor）结构兼容的深沟槽变容器（varactor）结构及其制造方法。在一第二深沟槽上形成一嵌埋板层（buried plate layer），同时保护第一沟槽免于形成任何嵌埋板层。深沟槽的内部填满导电材料，以形成内部电极。在外面形成至少一掺杂井并相邻第一深沟槽之部份，且构成至少一外部变容器电极。多个掺杂井可并联，以提供具有复杂电压相依性之电容值的变容器。嵌埋板层以及与其相连的另一掺杂井构成第二深沟槽上所形成之一线性电容器的一外部电极。

3. 发明专利

TW201034167A 優化元件隔離之結構 STRUCTURE FOR OPTIMIZED DEVICE ISOLATION 审中-公开
简体标题：优化组件隔离之结构 STRUCTURE FOR OPTIMIZED DEVICE ISOLATION
公开(公告)号：TW201034167A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098135373
申请日：2009-10-20
申请人：萬國商業機器公司
发明人：班諾伊特約翰J , 柯林斯大衛S , 費爾欽費德那塔莉B , 賈許麥克L , 劉學鋒 , 羅素羅伯特M , 聖安吉史蒂芬A , 斯林克曼詹姆士A
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/823481 , H01L21/823493 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0921 , H01L27/0928
摘要：本發明提供一種半導體元件的結構，其包括具有三重井技術的一隔離的MOSFET(如NFET)，其鄰接於本身鄰接於一隔離的NFET之一隔離的PFET。該結構包括一基板，其中在該基板內任何n-井、p-井及p帶區域之下形成有一深n-帶區域。一p帶區域形成在該深n帶區域之上，且在該隔離的MOSFET的隔離p井之下，而另一個p帶區域形成在該深n帶區域之上，且在所有的p井與n井之下，包括那些在該基板內該等隔離的PFET與NFET元件的一部份。該隔離的MOSFET之該等n井連接至該深n帶區域。所得到的結構提供改良的元件隔離，並降低由該基板傳遞到該等FET之雜訊，而仍可在該等三重井隔離區域域外部及內部兩者維持該標準CMOS間隔配線間隔規則及電氣偏壓特性。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件的结构，其包括具有三重井技术的一隔离的MOSFET(如NFET)，其邻接于本身邻接于一隔离的NFET之一隔离的PFET。该结构包括一基板，其中在该基板内任何n-井、p-井及p带区域之下形成有一深n-带区域。一p带区域形成在该深n带区域之上，且在该隔离的MOSFET的隔离p井之下，而另一个p带区域形成在该深n带区域之上，且在所有的p井与n井之下，包括那些在该基板内该等隔离的PFET与NFET组件的一部份。该隔离的MOSFET之该等n井连接至该深n带区域。所得到的结构提供改良的组件隔离，并降低由该基板传递到该等FET之噪声，而仍可在该等三重井隔离区域域外部及内部两者维持该标准CMOS间隔配线间隔守则及电气偏压特性。

4. 发明专利

TWI482252B 與貫穿基板介層整合的金屬配線構造有权
简体标题：与贯穿基板介层集成的金属配线构造
公开(公告)号：TWI482252B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW098125348
申请日：2009-07-28
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：柯林斯大衛S , COLLINS, DAVID S. , 喬瑟夫艾文 , JOSEPH, ALVIN , 林格藍彼得J , LINDGREN, PETER J. , 史坦普安東尼K , STAMPER, ANTHONY K. , 華森金寶M , WATSON, KIMBALL M.
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768 , G06F17/50
CPC分类号： H01L23/522 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201023325A 與基板導孔整合的金屬配線構造 METAL WIRING STRUCTURE FOR INTEGRATION WITH THROUGH SUBSTRATE VIAS 审中-公开
简体标题：与基板导孔集成的金属配线构造 METAL WIRING STRUCTURE FOR INTEGRATION WITH THROUGH SUBSTRATE VIAS
公开(公告)号：TW201023325A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098125348
申请日：2009-07-28
申请人：萬國商業機器公司
发明人：柯林斯大衛S , 喬瑟夫艾文 , 林格藍彼得J , 史坦普安東尼K , 華森金寶M
IPC分类号： H01L , G06F
CPC分类号： H01L23/522 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：一種貫穿基板介層(through substrate vias,TSVs)陣列形成穿過半導體基板以及其上之接觸介層級(contact-via-level)介電層。金屬佈線級介電層及嵌於其中的線級金屬佈線結構直接形成在接觸介層級介電層上。線級金屬佈線結構包含乳酪孔(cheesing holes),其填充有金屬佈線級介電層的獨立部分。於一實施例中,乳酪孔的整體位在貫穿基板介層陣列區域的外面,而最大化貫穿基板介層與線級金屬佈線結構間的接觸面積。於另一實施例,形成一組在貫穿基板介層陣列中縫隙(seams)整體上方的乳酪孔,以避免電鍍時困陷(trapping)任何電鍍液在貫穿基板介層的縫隙中,而避免於縫隙腐蝕貫穿基板介層。
简体摘要：一种贯穿基板介层(through substrate vias,TSVs)数组形成穿过半导体基板以及其上之接触介层级(contact-via-level)介电层。金属布线级介电层及嵌于其中的线级金属布线结构直接形成在接触介层级介电层上。线级金属布线结构包含奶酪孔(cheesing holes),其填充有金属布线级介电层的独立部分。于一实施例中,奶酪孔的整体位在贯穿基板介层数组区域的外面,而最大化贯穿基板介层与线级金属布线结构间的接触面积。于另一实施例,形成一组在贯穿基板介层数组中缝隙(seams)整体上方的奶酪孔,以避免电镀时困陷(trapping)任何电镀液在贯穿基板介层的缝隙中,而避免于缝隙腐蚀贯穿基板介层。

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